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[发明专利]多层耦合型光电转换元件及多层耦合型光电转换元件的制造方法-CN202310032173.0在审
发明人：五反田武志;浅谷刚;齐田穣;户张智博 -专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明提供能够防止水与钙钛矿层的接触的多层耦合型光电转换元件及多层耦合型光电转换元件的制造方法。实施方式的多层耦合型光电转换元件具有层叠体。层叠体是将第一电极功能层、第一光活性层、中间功能层、第二光活性层、第二电极功能层层叠而成的。第一光活性层由晶体硅构成。第二光活性层由具有钙钛矿型晶体结构的光活性材料构成。第二电极功能层所包含的一部分层被层叠在层叠体的内部，并且以将位于层叠体的端面的第二光活性层的端部覆盖的方式在端面上延伸而层叠。
多层耦合光电转换元件制造方法

[发明专利]多层接合型光电转换元件及其制造方法-CN202080108319.X在审
发明人：五反田武志;户张智博;齐田穣 -专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10K39/15 文献下载
摘要：提供能够以高效率发电并且耐久性高的半导体元件。实施方式的多层接合型光电转换元件依次具备第一电极、包含钙钛矿半导体的第一光活性层、第一掺杂层、隧道绝缘膜、包含硅的第二光活性层、和第二电极。而且，上述隧道绝缘膜的厚度为1nm～15nm，上述第一掺杂层包含硅和作为杂质的3价或5价的元素。该元件可以通过包含下述工序的方法来制造：在形成包含第二活性层的底部电池单元后，通过涂布来形成第一光活性层。
多层接合光电转换元件及其制造方法

[实用新型]多层耦合型光电转换元件-CN202320065798.2有效
发明人：五反田武志;浅谷刚;齐田穣;户张智博 -专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本实用新型提供能够防止水与钙钛矿层的接触的多层耦合型光电转换元件及多层耦合型光电转换元件的制造方法。实施方式的多层耦合型光电转换元件具有层叠体。层叠体是将第一电极功能层、第一光活性层、中间功能层、第二光活性层、第二电极功能层层叠而成的。第一光活性层由晶体硅构成。第二光活性层由具有钙钛矿型晶体结构的光活性材料构成。第二电极功能层所包含的一部分层被层叠在层叠体的内部，并且以将位于层叠体的端面的第二光活性层的端部覆盖的方式在端面上延伸而层叠。
多层耦合光电转换元件

[发明专利]多层接合型光电转换元件及其制造方法-CN202180070473.7在审
发明人：五反田武志;户张智博;齐田穣 -专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10K30/80 文献下载
摘要：本发明提供一种能以高效率发电、而且耐久性高的半导体元件。实施方式的多层接合型光电转换元件依次具备第一电极(101)、含有钙钛矿半导体的第一光活性层(103)、第一掺杂层(107)、含有硅的第二光活性层(108)、第二掺杂层(111)、钝化层(109)和第二电极(110)。而且，存在于所述第一光活性层(103)与第二光活性层(108)侧的邻接层之间的层间界面实质上为平滑面，所述多层接合型光电转换元件还进一步具备光散射层，所述光散射层贯通所述钝化层(109)的一部分而将所述第二掺杂层(111)和所述第二电极(110)电接合，且所述光散射层由相互离开的多个硅合金层(112)形成。该元件可采用包括在形成了含有第二活性层(108)的底部单元后，通过涂布形成第一光活性层(103)的方法来制造。
多层接合光电转换元件及其制造方法

[发明专利]光电转换元件及其制造方法-CN202180077074.3在审
发明人：五反田武志;户张智博;齐田穣;山下胜也;藤永贤治;盐川美雪 -专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本发明提供一种能以高效率发电、而且耐久性高的光电转换元件及其制造方法。实施方式的光电转换元件具备第一电极(11)、具有含卤素离子的钙钛矿结构的活性层(13)和透光性的第二电极(16)，通过活性层的交流阻抗谱法测定的瓦尔堡系数是被特定的。这样的元件可通过在涂布了含有钙钛矿结构的前体的溶液后，实施适当的退火处理或喷气来制造。
光电转换元件及其制造方法

[发明专利]太阳能电池模块-CN202211302212.6在审
发明人：五反田武志;山下胜也;大西春树;齐田穣;户张智博 -专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10K50/80 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制发电性能的降低的太阳能电池模块。实施方式的太阳能电池模块具有被并排配置的第一太阳能电池元件及第二太阳能电池元件、连接部件和屏蔽部件。连接部件将第一太阳能电池元件的第一电极与第二太阳能电池元件的第二电极电连接。第一太阳能电池元件及第二太阳能电池元件具有包含钙钛矿型半导体的第一单元及包含硅的第二单元。第一电极配置在厚度方向上供第一单元配置的第一方向的端部。第二电极配置在厚度方向上供第二单元配置的第二方向的端部。屏蔽部件由电绝缘性材料构成，配置在第一太阳能电池元件的第一电极中的第二太阳能电池元件侧的端部与连接部件之间。
太阳能电池模块

[实用新型]太阳能电池模块-CN202222798176.9有效
发明人：五反田武志;山下胜也;大西春树;齐田穣;户张智博 -专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10K30/80 文献下载
摘要：本实用新型提供一种能够抑制发电性能的降低的太阳能电池模块。实施方式的太阳能电池模块具有被并排配置的第一太阳能电池元件及第二太阳能电池元件、连接部件和屏蔽部件。连接部件将第一太阳能电池元件的第一电极与第二太阳能电池元件的第二电极电连接。第一太阳能电池元件及第二太阳能电池元件具有包含钙钛矿型半导体的第一单元及包含硅的第二单元。第一电极配置在厚度方向上供第一单元配置的第一方向的端部。第二电极配置在厚度方向上供第二单元配置的第二方向的端部。屏蔽部件由电绝缘性材料构成，配置在第一太阳能电池元件的第一电极中的第二太阳能电池元件侧的端部与连接部件之间。
太阳能电池模块

[发明专利]多层接合型光电变换元件及其制造方法-CN202080006271.1在审
发明人：五反田武志;户张智博;齐田穣 -专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明提供一种能够高效率地发电并且耐久性高的半导体元件。实施方式的多层接合型光电变换元件(100)，依次具备：第一电极(101)；包含钙钛矿半导体的第一光活性层(103)；第一钝化层(106)；第一掺杂层(108)；包含硅的第二光活性层(109)；以及第二电极(112)。并且，所述多层接合型光电变换元件还具备光散射层，该光散射层贯通所述钝化层(106)的一部分，将所述第一光活性层(103)与所述第一掺杂层(108)电接合，且由相互分离的多个硅合金层(107)构成。该元件能够通过包括如下工序的方法来制造：在形成了包含第二光活性层(109)的底部单元之后通过涂布来形成第一光活性层(103)。
多层接合光电变换元件及其制造方法

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