专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]自动放片机-CN202022594475.1有效
  • 戴言培 - 麒安科技有限公司
  • 2020-11-11 - 2021-05-07 - H01L33/48
  • 一种自动放片机,包括晶圆平边对位单元、第一晶圆移动模块、第二晶圆移动模块、模具平边对位单元及移载机构,晶圆平边对位单元包括可转动的晶圆承载座及第一摄影模块,第一晶圆移动模块包括第一放置区及平移机构,第一放置区供第一晶圆片放置,平移机构将第一晶圆片由第一放置区移载至晶圆承载座上;第二晶圆移动模块包括第二放置区及翻面机构,第二放置区供第二晶圆片放置,翻面机构自第二放置区吸取第二晶圆片且翻转后放置于晶圆承载座上;模具平边对位单元包括可转动的模具承载座及第二摄影模块;移载机构依序将放置晶圆承载座的第一晶圆片、第二晶圆片移载至模具承载座上的模具上,以此将第一晶圆片及第二晶圆片特定表面对合且堆栈于模具上。
  • 自动放片机
  • [实用新型]一种加热炉-CN202020294639.6有效
  • 戴言培 - 麒安科技有限公司
  • 2020-03-11 - 2020-10-23 - B23K3/04
  • 一种加热炉,包括:一炉体及设置于内部的加热装置及摇摆导流组;炉体提供一封闭的加热空间,内部具有一工作区,该工作区为欲加热的工件放置处;加热装置包括风扇、加热器及朝下式导流组,风扇将加热器所产生的热气经朝下式导流组吹至工作区;摇摆导流组位于加热装置与工作区之间,摇摆导流组包括多个直立式摇摆导流板、连动机构及动力装置,动力装置带动连动机构往复移动,连动机构负责牵引多个该直立式摇摆导流板左右摆动,直立式摇摆导流板能将朝下式导流组引流的热气作横向均匀的导引,让工作区内的工件均匀受热。
  • 一种加热炉
  • [实用新型]加热炉-CN201920953575.3有效
  • 戴言培 - 戴言培
  • 2019-06-24 - 2020-05-19 - B23K1/008
  • 本实用新型提供了一种加热炉,包括炉体,位于炉体内的转盘、至少一温度传感器、加热装置,以及与炉体相连通的抽真空装置、氮气供给装置、抽气装置、冷却装置。炉体提供一封闭的加热空间且设有可开闭的门板;转盘带动放置于所述转盘上的工件旋转;加热装置负责对工件加热;真空装置使所述炉体维持负压状态;氮气供给装置供给氮气于炉体内;冷却装置供给冷却液以进行降温动作。加热过程中另可依需求提供不同的作业环境,例如抽真空、填充氮气,或是在作业后快速降温等,从而在单一炉体内,能进行升温、吹氮气、抽真空、抽废气及急速冷却等作业,满足厂商的各项需求。
  • 加热炉
  • [发明专利]有机金属化学气相沉积机台-CN201110434571.2无效
  • 戴言培 - 麒安科技有限公司
  • 2011-12-15 - 2013-06-19 - C23C16/458
  • 本发明一种有机金属化学气相沉积机台,包括反应腔体、上盖、晶片承载盘、加热装置、机架、供气装置、以及旋转件,该机架固定着该晶片承载盘及加热装置于反应腔体内,该供气装置安装于该上盖处,提供反应气体朝该晶片承载盘表面施放,该旋转件安装于该上盖与该晶片承载盘之间,受一驱动装置带动而旋转,将反应气体有效率地导引至该晶片承载盘表面。
  • 有机金属化学沉积机台
  • [发明专利]Ⅲ-Ⅴ族晶圆可重复进行磊晶制程的方法与构造-CN201110248176.5无效
  • 郑朝元;戴言培 - 郑朝元;戴言培
  • 2011-08-26 - 2013-03-06 - H01L33/00
  • 本发明公开了一种Ⅲ-Ⅴ族晶圆可重复进行磊晶制程的方法与构造,依照该方法,进行第一次磊晶制程,使一磊晶结构形成于Ⅲ-Ⅴ族晶圆的正面上,其中磊晶结构包含一镭射吸收层与一组件作动层。压贴一转换基板于磊晶结构上。由该背面照射一具有特定波长的镭射光,以使该Ⅲ-Ⅴ族晶圆相对于镭射光为透明并以镭射吸收层吸收镭射光而分解。最后能剥离出Ⅲ-Ⅴ族晶圆,使其与已结合上该组件作动层的转换基板相分离。藉此,完整剥离出Ⅲ-Ⅴ族晶圆,使Ⅲ-Ⅴ族晶圆能进行第二次以上的磊晶制程的重复使用,进而降低基材成本。
  • 族晶圆可重复进行磊晶制程方法构造

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