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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]声波组件-CN202210412360.7在审
发明人：林立人;戴国瑞;陈歆洁;林健财 -专利权人：瑞峰半导体股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种声波组件，包括：基板，具有上表面及下表面，于上表面的周边上设有多个焊垫；至少一个电子组件，设置在基板的上表面，使得在基板的上表面的周边的多个焊垫环绕电子组件；盖体结构，设置在具有电子组件的基板的上方，且盖体结构与基板形成封闭式空腔使得电子组件设置在封闭式空腔内；第一保护层，覆盖在基板的部分表面及覆盖在多个焊垫的部分表面上；导体层，设置在部分第一保护层、多个焊垫、在盖体结构的外侧表面及盖体结构的部分上表面；以及多个凸块，设置在位于盖体结构的上表面的导体层上。
声波组件

[实用新型]声波组件-CN202220910073.4有效
发明人：林立人;戴国瑞;陈歆洁;林健财 -专利权人：瑞峰半导体股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种声波组件，包括：基板，具有上表面及下表面，于上表面的周边上设有多个焊垫；至少一个电子组件，设置在基板的上表面，使得在基板的上表面的周边的多个焊垫环绕电子组件；盖体结构，设置在具有电子组件的基板的上方，且盖体结构与基板形成封闭式空腔使得电子组件设置在封闭式空腔内；第一保护层，覆盖在基板的部分表面及覆盖在多个焊垫的部分表面上；导体层，设置在部分第一保护层、多个焊垫、在盖体结构的外侧表面及盖体结构的部分上表面；以及多个凸块，设置在位于盖体结构的上表面的导体层上。
声波组件

[发明专利]具有硅穿孔结构的半导体组件及其制作方法-CN202010297319.0在审
发明人： 戴国瑞;林健财;康展榕 -专利权人：瑞峰半导体股份有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种具有硅穿孔结构的半导体组件及其制作方法，具有硅穿孔结构的半导体组件包括：设有多个孔洞贯穿过正面侧的第一表面及背面侧的第二表面的衬底；设置于孔洞内的穿通电极；设置于孔洞的内壁的衬层；设置于穿通电极的第一端面上的多个焊垫；设置于正面侧的第一绝缘层，使得每个焊垫的部分表面暴露出来；第一导电组件覆盖所暴露的焊垫及部分的第一绝缘层；设置于背面侧的第二绝缘层，覆盖位于背面侧的衬层，并使每一个穿通电极的第二端面整个或部分暴露出来；以及设置于穿通电极的第二端面的第二导电组件，延伸覆盖到部分的第二绝缘层上。
具有穿孔结构半导体组件及其制作方法

[实用新型]具有硅穿孔结构的半导体组件-CN202020559871.8有效
发明人： 戴国瑞;林健财;康展榕 -专利权人：瑞峰半导体股份有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种具有硅穿孔结构的半导体组件及其制作方法，具有硅穿孔结构的半导体组件包括：设有多个孔洞贯穿过正面侧的第一表面及背面侧的第二表面的衬底；设置于孔洞内的穿通电极；设置于孔洞的内壁的衬层；设置于穿通电极的第一端面上的多个焊垫；设置于正面侧的第一绝缘层，使得每个焊垫的部分表面暴露出来；第一导电组件覆盖所暴露的焊垫及部分的第一绝缘层；设置于背面侧的第二绝缘层，覆盖位于背面侧的衬层，并使每一个穿通电极的第二端面整个或部分暴露出来；以及设置于穿通电极的第二端面的第二导电组件，延伸覆盖到部分的第二绝缘层上。
具有穿孔结构半导体组件

[实用新型]半导体组件-CN201720781191.9有效
发明人：林立人;李泰源;戴国瑞;林健财 -专利权人：瑞峰半导体股份有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种半导体组件，包含在半导体晶圆的主动面上具有多个焊垫、第一保护层覆盖半导体晶圆的部份主动面，且将每一个焊垫的表面曝露出来、第一凸块下金属设置在部份第一保护层上及覆盖每一个焊垫的表面、重配置层设置在第一凸块下金属层上、第二凸块下金属层设置在部份重配置层上，且将重配置层的部份表面曝露出来、第二保护层设置在半导体晶圆、第二凸块下金属层及重配置层所曝露出的部份表面上及金属导线设置在除了焊垫以外的第二凸块下金属层所曝露出的部份表面上，藉由重配置层的线宽可支撑第二凸块下金属层以增加半导体组件的可靠度。
半导体组件

[发明专利]半导体装置及其制法-CN200510070908.0有效
发明人：柯俊吉;戴国瑞;黄建屏 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2005-05-17 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制法，该装置包括：具有焊垫的半导体基材；第一、第二保护层，依次层叠在该半导体基材上，且暴露该焊垫；金属层，结合在该焊垫且覆盖其周围局部的该第二保护层；第三保护层，覆盖在该第二保护层及局部的该金属层，具有局部暴露该金属层的开口，且该开口中心与该焊垫中心偏离的间距小于焊垫半径；以及焊料凸块，结合在该开口暴露出的金属层上；本发明可防止焊块龟裂或焊块底层金属脱层现象，可应用在低介电常数的芯片，本发明的结构及工序简单，简化了工序并降低了制造成本，不需使用重配置工序，因此也不会产生寄生电容的问题，因此克服了上述现有技术的种种缺点。
半导体装置及其制法

[发明专利]乙醇、二氧化氮双敏薄膜气体传感器-CN89106243.2无效
发明人： 戴国瑞;陈百华;李桂荣 -专利权人：吉林大学
申请日： 1989-07-29 - 公布日： 1991-03-13 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明是检测乙醇和二氧化氮双敏薄膜气体传感器。主要应用在汽车电子化、环境污染和气体分析等领域。采用等离子体增强化学气相淀积技术，制备Fe2O3-TiO2-SnO2复合薄膜敏感材料，其元件结构为旁热式，气体最低检出浓度为5ppm以下，它具有灵敏度高、响应快、恢复时间短和易进行大批批量生产等特点。
乙醇二氧化氮薄膜气体传感器

[实用新型]二氧化氮(NO2)薄膜气体传感器-CN89213564.6无效
发明人： 戴国瑞;陈百华;李桂荣;刘义 -专利权人：吉林大学
申请日： 1989-07-01 - 公布日： 1990-10-17 - 主分类号： G01N27/28 文献下载
摘要：本实用新型是属于二氧化氮(NO2)薄膜气体传感器。它是快速检测NO2气体的一种电子元件。采用PECVD方法制备了SnO2-Fe2O3复合薄膜敏感材料，元件结构为旁热式，气体的最低检出限为5ppm以下。NO2浓度为300ppm时。元件灵敏度为5～50。响应时间小于1秒。恢复时间小于2秒，易进行大批量生产，为气体传感器向小型化、多功能化和集成化发展提供可能性。
二氧化氮 no2 薄膜气体传感器

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