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[发明专利]一种基于倒装桥接的隔离器及其芯片封装结构和制备方法-CN202310928834.8在审
发明人：杨果来;陈忠志;刘学;杨佳函 -专利权人： 成都芯进电子有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于倒装桥接的隔离器及其芯片封装结构和制备方法，封装结构包括FPC隔离器件、原边芯片、副边芯片、第一基岛和第二基岛；原边芯片位于第一基岛上，副边芯片位于第二基岛上；FPC隔离器件倒装桥式叠封在原边芯片和副边芯片上，FPC隔离器件的PAD分别与对应的原副边芯片的PAD用导电胶连接或者用回流焊焊接，将原边芯片和副边芯片桥接在一起，FPC隔离器件的一侧与原边芯片处于同一电压区域，FPC隔离器件的另一侧与副边芯片处于同一电压区域。本发明将FPC隔离器件采用倒装桥接技术封装在原边芯片和副边芯片上，其避免了采用引线封装，故而避免了受bonding线带来的寄生电容电感的影响，提升了芯片性能。
一种基于倒装隔离器及其芯片封装结构制备方法

[发明专利]一种数字隔离器-CN202310924310.1在审
发明人：杨果来;陈忠志;刘学;杨佳函 -专利权人： 成都芯进电子有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明公开了一种数字隔离器，包括脉冲编码器、全差分放大器和脉冲解码器；脉冲编码器用于对输入信号进行编码调制，编码器与全差分放大器之间通过一对差分信道传输一路信号或采用其中一个信道传输共模编码，其他信道分别传输一路信号编码；同一路输入信号对应的两路编码信号，即两路差分编码信号或一路信号编码和一路共模编码，分别通过各自信道上的高压隔离电容传输后，由各自相匹配的双向钳位电路钳位至共模电压加减一个钳位电压，钳位后的两路电压信号通过对应的全差分放大器进行差分放大，差分放大后的信号接入脉冲解码器进行解调输出。本发明采用双向钳位电路以及全差分放大电路，达到降低功耗和提高传输效率，提升共模抑制能力的目的。
一种数字隔离器

[发明专利]一种隔离芯片及其组合式隔离电容结构-CN202310924322.4在审
发明人：杨佳函;陈忠志;刘学;杨果来 -专利权人： 成都芯进电子有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种隔离芯片及其组合式隔离电容结构，该隔离电容结构由FPC隔离电容和接收芯片上的高通滤波器串联组成；所述高通滤波器由若干中间金属层和分布式Poly电阻层排布产生的片上分布式高通电容电阻阵列构成；所述高通滤波器将所述接收芯片顶层金属PAD对地的寄生电容转换为传输信号并抑制共模干扰的高通滤波电容。本发明提出的组合式电容隔离结构，其通过采用片上低压电容电阻阵列构成分布式高通滤波器，将有害的对地寄生电容转换为可传输信号并抑制共模干扰的高通滤波电容，降低了隔离芯片的功耗、提高了传输效率的同时提升了共模抑制能力。
一种隔离芯片及其组合式电容结构

[发明专利]一种电容隔离器的电容仿真模型及电容仿真方法-CN202310912493.5在审
发明人：张楚;陈忠志;刘学;赵斌;曹开 -专利权人： 成都芯进电子有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容隔离器的电容仿真模型及电容仿真方法，通过基于简化电容隔离器内部结构进行3D建模，并可以简单，精准，快速的评估隔离器内部各个导体结点的容值对设计可通信的隔离器内部电容结构起到关键性的作用，从而解决了现有的电容计算方法难以精准、快速评估隔离器内部各个导体结点的容值的问题，从而降低了后续的隔离器件结构和隔离芯片内部电路设计的难度以及试验成本。
一种电容隔离器仿真模型方法

[发明专利]一种磁阻型传感器芯片时序控制电路及控制方法-CN201910137613.2有效
发明人：肖登艳;陈忠志;彭卓;赵翔 -专利权人： 成都芯进电子有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁阻型传感器芯片时序控制电路，检测采样控制器接入振荡器输出的时钟信号；所述移位寄存器和组合逻辑运算单元均连接于分频器，且分频器接入振荡器输出的时钟信号；所述移位寄存器连接于组合逻辑运算单元，且组合逻辑运算单元向AMR和比较器输出检测使能时钟信号。本发明还公开了一种磁阻型传感器芯片时序控制方法。本发明一种磁阻型传感器芯片时序控制电路及控制方法，有效的实现了对磁阻桥和比较器等功耗较大的器件进行工作‑睡眠控制，同时，本发明时序控制电路架构清晰，组合逻辑运算量小，不易产生毛刺信号，可以灵活的调整芯片的工作‑睡眠‑工作的占空比，满足不同的实际应用需求。
一种磁阻传感器芯片时序控制电路控制方法

[发明专利]一种磁信号检测时序控制电路及控制方法-CN201910137954.X有效
发明人：肖登艳;陈忠志;彭卓;赵翔 -专利权人： 成都芯进电子有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03K17/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁信号检测时序控制电路，顺序脉冲产生器对时钟信号分频计数，并产生一组顺序脉冲信号；非重叠时钟产生器产生霍尔片正交电流法的控制信号发送至霍尔片和逻辑运算单元；逻辑运算单元生成检测使能EN信号发送至斩波放大器和比较器，生成选择信号EN_REF发送至斩波放大器参考电压；当检测使能EN信号为高电平时，将霍尔开关芯片置于工作状态；当检测使能EN信号为低电平时，将霍尔开关芯片睡眠。本发明还公开了一种磁信号检测时序控制方法。本发明一种磁信号检测时序控制电路及控制方法，使得磁开关芯片检测磁信号时不区分磁场的极性，方便磁铁的安装，并且芯片采用周期性的工作‑睡眠方式，有效降低系统的功耗。
一种信号检测时序控制电路控制方法

[发明专利]一种多保护信号传输方法及应用有该方法的隔离电容-CN202310163493.X在审
发明人：杨果来;陈忠志;刘学;杨佳函 -专利权人： 成都芯进电子有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F18/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种多保护信号传输方法及应用有该方法的隔离电容。第一方面，本发明提供了一种基于数字编码的多保护信号传输方法，通过标定信号周期阈值，使得能够在多信号传输的过程中进行区分不同的信号来进行相应的响应措施。通过单通道进行信号传输，不再需要设置多个隔离电容。第二方面，本发明提供了一种差分隔离电容，通过上述的基于数字编码的多保护信号传输方法，将驱动侧的欠压保护、去饱和保护和温度采样实时传递到原边控制侧。不再需要中途设置其他高压隔离装备，能够有效的减少系统的设备开销成本，提高系统的集成整合。
一种保护信号传输方法应用隔离电容

[发明专利]引线框架结构、霍尔电流传感器芯片的封装结构及方法-CN202310328712.5在审
发明人：曹开;陈忠志;刘学;赵斌;赵翔;彭卓;张楚 -专利权人： 成都芯进电子有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及半导体芯片封装技术领域，公开了一种引线框架结构、霍尔电流传感器芯片的封装结构及方法，包括：引线框架基岛，沿所述引线框架基岛的x轴方向上所述引线框架基岛的中部设有凸出部，所述引线框架基岛的中部沿y轴方向上开设有用于放置管芯两个Hall盘的第一上槽口和第一下槽口，所述第一上槽口设置在所述凸出部上，所述第一下槽口为在y轴方向上沿远离所述凸出部的方向槽口直径逐渐减小的倒梯形槽；引线框架引脚，包括分别有若干引脚组成的第一引脚组和第二引脚组；隔离器件，设置于管芯与所述引线框架基岛之间，且所述隔离器件将所述引线经过所述引线框架基岛的区域全部覆盖。本发明提供了一种引线框架结构具有更低的导通内阻。
引线框架结构霍尔电流传感器芯片封装结构方法

[发明专利]一种霍尔电流传感器芯片的封装方法及芯片结构-CN202211434013.0在审
发明人：曹开;陈忠志;刘学;赵翔;彭卓;张楚 -专利权人： 成都芯进电子有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种霍尔电流传感器芯片的封装方法及芯片结构，在满足低电阻、大量程、可靠性高、体积尺寸小以及功能引脚多的基础上，本发明提供的封装方式包括封入具有电磁屏蔽功能的FPC隔离器件结构，其位置置于引线框架基岛和管芯之间，并使管芯霍尔点对应在FPC隔离器件结构开槽口位置，能避免金属薄膜在高频磁场下形成涡流,进而干扰传感器硅芯片的霍尔感应点的正常工作，降低差分霍尔传感器的带宽，同时满足隔离耐压要求。
一种霍尔电流传感器芯片封装方法结构

[发明专利]一种应用于RS485驱动器的快速响应限流保护电路-CN202211459857.0在审
发明人：肖登艳;陈忠志;赵翔;彭卓 -专利权人： 成都芯进电子有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于RS485驱动器的快速响应限流保护电路，包括电流采样单元和快速响应迟滞比较器；电流采样单元用于接收信号，其输出端连接快速响应迟滞比较器。快速响应迟滞比较器用于接收电流采样单元的输出电压，并将接收到的电压进行放大和比较，根据比较结果输出控制信号。本发明通过设置电流采样单元对功率管的电流进行采样，电流采样单元的输出信号连接快速响应迟滞比较器的电压转换单元，能够快速有效的响应功率管栅极电压信号的变化，使得输出控制信号能够快速地控制流过被保护功率管的电流。克服现有技术中RS485驱动器电路在高速应用中A/B总线发生短路时过流保护保护响应不及时造成芯片短路时电流过大烧毁芯片的问题。
一种应用于 rs485 驱动器快速响应限流保护电路

[发明专利]一种降压型同步整流LED恒流控制电路-CN202011488639.0有效
发明人：刘学;陈忠志;赵翔;彭卓 -专利权人： 成都芯进电子有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H05B45/345 文献下载
摘要：本发明公开了一种降压型同步整流LED恒流控制技术，包括VDMOS器件、LDMOS器件、比较放大单元、斜波控制单元、PWM比较器、同步整流驱动控制器和LED灯串单元，由于不需要检测上管电流，上管可以替代成导通电阻更小的VDMOS器件，降低了导通损耗，提升效率，减小发热。系统的散热成本降低，可靠性提高；芯片同时集成上下管开关，减小系统体积；相比传统单芯片同步整流架构，分立上管VDMOS成本远低于同性能集成LDMOS，降低了芯片总体成本。
一种降压同步整流 led 控制电路

[发明专利]一种隔离芯片封装结构及数字隔离器-CN202211259413.2在审
发明人：杨果来;陈忠志;刘学;杨佳函 -专利权人： 成都芯进电子有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种隔离芯片封装结构及数字隔离器，涉及芯片封装领域，包括封装框架，封装框架设置有：相互分离的框架基岛，所述框架基岛包括第一基岛与第二基岛，其中，所述第一基岛上设置有原边控制芯片，所述第二基岛上设置有副边控制芯片，第一基岛与第二基岛之间形成有净空区；隔离器件，所述隔离器件由柔性电路板构成，所述柔性电路设置有多个接口；其中，所述隔离器件固定于所述净空区，所述原边控制芯片与所述隔离器件的接口形成电路连接，所述副边控制芯片与所述隔离器件的接口形成电路连接。本发明降低了原边控制芯片工艺制作难度，不需要在控制芯片上生长隔离器件，使得原边控制芯片能更好的完成输入控制处理，降低了工艺要求。
一种隔离芯片封装结构数字隔离器

[发明专利]带电磁屏蔽、耐压隔离器件结构的封装芯片及其封装方法-CN202211260054.2在审
发明人：曹开;陈忠志;刘学;赵翔;彭卓;彭磊 -专利权人： 成都芯进电子有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了带电磁屏蔽、耐压隔离器件结构的封装芯片及其封装方法，涉及半导体制造技术领域，解决了现有技术中封装芯片电磁屏蔽、隔离耐压和工艺稳定性差的问题，其技术方案要点是：一种带电磁屏蔽、耐压隔离器件结构的封装芯片，选择由基板和设置于基板两侧屏蔽层组成的FPC材料制作隔离器件结构，并贴在引线框架基岛和管芯之间，解决了金刚石薄膜作为隔离器件结构时，不具备电磁屏蔽功能、加工难度大成本高且依赖进口的问题；解决了SiO2薄膜作为隔离器件结构时，隔离耐压性能不稳定、加工成本高、隔离器件结构厚、隔离耐压性能低的问题；解决了Bump+PI工艺复杂、成本高和隔离耐压性能低的问题。
电磁屏蔽耐压隔离器件结构封装芯片及其方法

[实用新型]一种电流采样组件和电流测量装置-CN202221749687.5有效
发明人：李勇;陈忠志;彭卓;赵翔 -专利权人： 成都芯进电子有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电流采样组件和电流测量装置，解决了解决现有技术中通流能力受芯片封装制程影响母排不能过大，因而电流大的应用环境缺乏好的解决方案，其技术方案要点是：母排，用于与采样对象串联连接；电流传感器，用于感知所述母排周围的磁场大小，并将磁场大小转换为等比例的电压信号或电流信号；电路板，用于引入外接电源给所述电流传感器供电，并将等比例的电压信号或电流信号输出；所述电流传感器、电路板和母排由上至下依次设置，所述电流传感器焊接于所述电路板的焊盘上，所述电路板与所述母排固定连接。本实用新型提供了将电流传感器一体封装的母排外置设计，用户可以根据实际采样对象的电流大小灵活更换母排的粗细进行匹配。
一种电流采样组件测量装置

[实用新型]一种用于检测大电流的传感器结构-CN202221749691.1有效
发明人：张楚;陈忠志;彭卓;赵翔 -专利权人： 成都芯进电子有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01R15/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于检测大电流的传感器结构，涉及大电流检测设备技术领域，包括基板，用于导入电流产生磁场，上述基板设置有气隙结构；绝缘介质，上述绝缘介质覆盖于基板的一侧面；传感器，用于检测磁场的磁感应强度，上述传感器与基板上的气隙对应设置；上述传感器与绝缘介质连接；塑封体，上述塑封体包覆传感器；上述气隙结构包括第一气隙结构和第二气隙结构，上述第一气隙结构与第二气隙结构对称设置，上述传感器设置于连接第一气隙结构与第二气隙结构的部分；上述基板采用铜或铝制成；上述绝缘介质的厚度远小于基板的厚度；解决了在现有制作工艺的基础上，提升电流传感器兼容性的问题。
一种用于检测电流传感器结构

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