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- [发明专利]高频电路-CN202011468404.5有效
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德田胜利
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株式会社村田制作所
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2020-12-14
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2023-09-15
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H03F1/26
- 本发明提供一种具备抑制了噪声指数的劣化的放大器、分配器、以及旁路路径的高频电路。高频电路(1)具备:放大器(10);功率分配器(20),配置在放大器的输出路径上;旁路路径(80L),绕过放大器;旁路路径(90L),绕过功率分配器;开关(61s以及81s),串联配置在旁路路径(80L)上;和开关(91s),串联配置在旁路路径(90L)上,旁路路径(80L)与将信号输入端子(100)和放大器连结的路径上的节点(n1)以及将放大器和功率分配器连结的路径上的节点(n2)连接,旁路路径(90L)和开关(61s)与开关(81s)之间的节点(n3)以及功率分配器的输出路径上的节点(n4)连接。
- 高频电路
- [发明专利]放大器-CN202180087596.1在审
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德田胜利
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株式会社村田制作所
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2021-12-08
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2023-09-05
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H01P5/02
- 本发明涉及放大器。放大器(10)具备级联连接的高频信号的输入侧的晶体管(21)以及高频信号的输出侧的晶体管(22)。放大器(10)具备与晶体管(21)的输入端连接的输入匹配电路(31)、以及与晶体管(22)的输出端连接的输出匹配电路(32)。在输入匹配电路(31)中包含传输线路变压器(41)。传输线路变压器(41)具备线路(411)和线路(412)。线路(411)连接在高频信号的输入端子与晶体管(21)之间。线路(412)配置为能够与线路(411)电磁耦合,一端与线路(411)和高频信号的输入端子之间的节点(N41)连接,另一端连接在与接地电位之间。
- 放大器
- [发明专利]放大电路-CN201980027841.2在审
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田部井慎;若木谦;德田胜利;渡边大介
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株式会社村田制作所
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2019-04-18
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2020-12-04
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H03F1/52
- 放大电路(10)是将作为高频信号的输入信号进行放大的放大电路(10),具备:放大器(40),被施加输入信号和偏置电压;输入匹配电路(20),连接于放大器(40)的输入侧,将阻抗进行匹配;和保护电路(30),连接于输入匹配电路(20)和放大器(40)之间的路径中的不被施加偏置电压的路径上的节点(N1),保护电路(30)具有:第一二极管(31),连接在节点(N1)和接地之间;和第二二极管(32),与第一二极管(31)并联地且与第一二极管(31)反向地连接在节点(N1)和接地之间,第一二极管(31)以及第二二极管(32)的阈值电压大于节点(N1)处的输入信号的最大电压振幅,并且小于放大器(40)的耐电压与偏置电压之差。
- 放大电路
- [发明专利]放大电路、高频前端电路以及通信装置-CN202010433186.5在审
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德田胜利
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株式会社村田制作所
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2020-05-20
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2020-11-24
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H03F3/34
- 本发明提供一种放大电路、高频前端电路以及通信装置,在应用了升压型的输入匹配电路的情况下能够有效地抑制向放大器输入过电压。放大电路(10)具备:由晶体管(Tr1)构成的放大器(20),连接在输入端子(11)与输出端子(12)之间;输入匹配电路(30),连接在输入端子(11)与放大器(20)的输入侧之间,将阻抗从低阻抗变换为高阻抗;限幅电路(40),连接在输入匹配电路(30)与放大器(20)的输入侧之间的节点(N1)和接地之间,包含彼此反向地连接的两个二极管(D1以及D2);和电容器(C1),在节点(N1)与接地之间,与限幅电路(40)串联地连接。
- 放大电路高频前端以及通信装置
- [发明专利]半导体封装以及具备该半导体封装的半导体模块-CN201510181750.8在审
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德田胜利;金良守;森户成
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株式会社村田制作所
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2015-04-16
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2015-11-04
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H01L21/56
- 本发明提供一种能够抑制高次谐波产生的半导体封装。本发明的半导体封装(101)包括:开关IC(10),该开关IC(10)具有配置有电极(11)的IC上表面(10b)和未配置有电极的IC下表面(10a),且用于高输出;连接端子(12),该连接端子(12)形成于从向开关IC(10)的厚度方向进行投影的投影区域(25)起向侧方偏移的位置;引线(13),该引线(13)电连接电极(11)与连接端子(12);以及模塑树脂部(14),该模塑树脂部(14)覆盖IC上表面(10b)和引线(13),并覆盖连接端子(12)的与引线(13)相连接的一侧的面(12b)。连接端子(12)的与引线(13)相连接的一侧的面(12b)的相反侧的面(12a)没有被模塑树脂部(14)覆盖而露出。IC下表面(10a)没有被金属覆盖。
- 半导体封装以及具备模块
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