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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110245879.6在审
发明人： 徐锦心;王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底，衬底包括第一区和第二区；位于第一区上的第一鳍部结构和位于第二区上的第二鳍部结构，第一鳍部结构包括若干第一沟道层，相邻第一沟道层之间具有第一间隔，第二鳍部结构包括若干第二沟道层，相邻第二沟道层之间具有第二间隔；位于第一区的第一鳍部结构上和第一间隔内的第一栅极结构，位于第二区的第二鳍部结构上和第一间隔内的第二栅极结构；开口，位于第一栅极结构和第二栅极结构之间，开口的顶部表面高于或齐平于第一栅极结构和第二栅极结构的顶部表面；隔离结构，位于开口内，且隔离结构将开口封闭成密闭腔。所述半导体结构的寄生电容减小，性能得到了提升。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202011153434.7在审
发明人： 徐锦心;王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供基底；在所述基底上形成图形化的阻挡层，所述阻挡层覆盖所述第二沟槽区和隔离区，暴露所述第一沟槽区；形成图形化的第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露所述第一沟槽区的基底，以及所述第二沟槽区和所述隔离区的阻挡层；以所述阻挡层和所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一沟槽；形成覆盖所述第一沟槽和所述隔离区，且暴露所述第二沟槽区的第二掩膜层；以所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第二沟槽。所述方法降低了半导体结构形成工艺的工艺复杂度和工艺精度。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种信息保护装置及保护方法-CN201410103937.1在审
发明人：王孝远;郭兵;徐锦心 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： G06F21/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种信息保护装置及保护方法，以及包含所述信心保护装置的电子装置。信息保护装置中包括控制电路和光电二级管，其中所述控制电路和所述光电二级管相串联，并控制所述光电二级管导通，以实现电位信号的重设，防止信息外泄。所述保护装置中包括控制电路以及光电二极管，其中所述控制电路在接受信号后能够控制所述光电二极管导通，导通之后对原有的电位信息进行重设，从而破坏原有的电位信息，以防信息外泄，从而实现信息的自我保护功能，从而使各种保密信息更加安全。
一种信息保护装置保护方法

[发明专利]CMOS图像传感器-CN200910197450.3有效
发明人：朱虹;吴立维;徐锦心;冷江华;辛春艳;杨建平 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种CMOS图像感测器件包括：光电二极管，用于将所接收的光信号转化为电信号，至少包括具有不同掺杂类型的两个掺杂区；转移电荷单元，用于与所述光电二极管耦接；浮动扩散区，用于通过所述转移电荷单元与所述光电二极管相连接；重置晶体管和源极跟随器晶体管，分别连接至所述浮动扩散区。本发明避免了光电二极管与浮动扩散区的直接接触，减少了对硅衬底的损伤，减少了暗电流。
cmos 图像传感器

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200910056523.7有效
发明人：刘钊;朱虹;徐锦心;奚民伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-14 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种CMOS图像传感器及其制造方法，所述CMOS图像传感器包括：晶圆，包括形成有图像传感区和电极垫的正面及相对于所述正面的背面；树脂层，用压模法覆盖在所述晶圆正面；聚光树脂，用压模法覆盖在所述树脂层上。所述CMOS图像传感器及其制造方法解决了现有技术采用涂胶法控制困难、成本高且可靠性差的问题。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200910056518.6有效
发明人：刘钊;朱虹;徐锦心;奚民伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-14 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种CMOS图像传感器及其制造方法，所述CMOS图像传感器包括：提供晶圆的封装结构，所述晶圆的封装结构包括硅衬底、形成于硅衬底上的图像传感区和电极垫、以及连接所述电极垫的连接结构；用压模法在所述晶圆的封装结构对应图像传感区的表面覆盖聚光树脂。所述CMOS图像传感器及其制造方法解决了现有技术的CMOS图像传感器结构和制造工艺复杂、并且制造成本高的问题。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法-CN200710042152.8有效
发明人：杨承;罗飞;徐锦心;朱虹 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，包括：提供具有金属氧化物半导体器件和光敏区的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；在所述介质层中形成底部露出所述光敏区的第一开口；在所述第一开口中填充导电硅材料，形成第一接触塞；在形成有所述第一接触塞的介质层中形成第二开口；在所述第二开口中形成与所述金属氧化物半导体器件连接的第二接触塞。本发明还提供一种互补金属氧化物半导体图像传感器。本发明可减小互补金属氧化物半导体图像传感器的漏电流，提高器件的性能。
互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法-CN200710041164.9有效
发明人： 徐锦心;朱虹 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-05-23 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种CMOS图像传感器，包括至少一个CMOS图像传感器像素单元对，所述CMOS图像传感器像素单元对包括第一像素单元和第二像素单元；CMOS图像传感器中每个所述像素单元包括光电二极管区域和驱动电路区域；其中，驱动电路区域包括有输出晶体管；第一像素单元和第二像素单元的相邻的两个输出晶体管的漏极相连，作为共用输出端。本发明还给出另一种CMOS图像传感器，通过相邻像素单元共用输出晶体管的输出接触孔和电源接触孔，降低了有效接触孔数量。这种结构使得能够在没有降低技术节点条件下设计更小尺寸的像素单元，不需要修改外围电路和工艺参数，不会增加掩模和工艺成本，降低了输出电容，提高了填充比和光学路径。
cmos 图像传感器及其形成方法

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