专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]功率金氧半导体场效晶体管及其制作方法-CN201510238800.1在审
  • 张翊麒 - 杰力科技股份有限公司
  • 2015-05-12 - 2016-12-07 - H01L29/78
  • 本发明提供一种功率金氧半导体场效晶体管及其制作方法。一种功率金氧半导体场效晶体管包括基材、介电层、多个焊球、第一及第二图案化金属层;基材包括有源表面、背面、位于有源表面的源极区与栅极区及位于背面的漏极区;第一图案化金属层设置于有源表面并包括源极电极、栅极电极、漏极电极及连接线路;源极及栅极电极电性连接源极及栅极区,连接线路位于基材的边缘并电性连接漏极电极;介电层设置于有源表面上并暴露第一图案化金属层;第二图案化金属层包括多个覆盖源极、栅极及漏极电极的球底金属层及覆盖连接线路并延伸至边缘以电性连接漏极区的连接金属层;焊球设置于球底金属层上。本发明可提升功率金氧半导体场效晶体管的电性效能。
  • 功率半导体晶体管及其制作方法
  • [发明专利]功率金氧半导体场效晶体管的制造方法-CN200910246513.X有效
  • 张翊麒;吴嘉连 - 杰力科技股份有限公司
  • 2009-11-30 - 2011-06-01 - H01L21/8234
  • 本发明提供一种功率金氧半导体场效晶体管的制造方法。在具有第一导电型的基底上形成具有第一导电型的磊晶层。在磊晶层中形成具有第二导电型的主体层。在基底上形成多数个罩幕图案。在罩幕图案之间的主体层及磊晶层中形成多数个沟渠。在沟渠的表面形成氧化物层。在沟渠中形成导体层。对罩幕图案进行削减制程,以缩小各罩幕图案的线宽。以经削减的罩幕图案为罩幕,在各沟渠的两侧的主体层中形成具有第一导电型的二源极区。在导体层上及经削减的罩幕图案之间形成多数个介电图案。移除经削减的罩幕图案。
  • 功率半导体晶体管制造方法

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