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[实用新型]微功耗照明灯-CN96243374.8无效
发明人： 张崇玖 -专利权人： 张崇玖
申请日： 1996-12-12 - 公布日： 1998-05-06 - 主分类号： H01K1/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微功耗照明灯,包括二个或二个以上串联、串联后再反向并联的微功耗发光器件,发光器件与一降压元件相连,有一个外壳将上述器件装于其中,外壳上有二个用来与市电相连接的引出头。优点结构简单、体积小、微功耗、长寿命、组合方便,用途广、使用方便。
功耗照明灯

[实用新型]药物贴片-CN94242100.0无效
发明人： 张崇玖;何圣梅;张华 -专利权人： 张崇玖;何圣梅;张华
申请日： 1994-06-13 - 公布日： 1995-03-22 - 主分类号： A61F13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种药物贴片。包括防渗透层，防渗透层上覆有药物层，药物层由防病治病药物成分及辅料构成。防渗透层与药物层间可加吸储层。防渗透层可由铝箔层等组成。结构简单，成本低，使用方便，疗效好，用途广。
药物

[实用新型]大容量圆筒形平板型干法刻蚀机-CN90215562.8无效
发明人： 张崇玖;何圣梅 -专利权人： 张崇玖;何圣梅
申请日： 1990-12-12 - 公布日： 1991-09-04 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：大容量圆筒形平板型干法刻蚀机是一种等离子体微细加工专用设备。该机容量大，刻蚀精度较高且均匀，能连续完成打底膜、刻蚀、去胶。生产效率高，结构简单，成本低，其特征是反应室内有水平放置的三个以上电极板或二个以上垂直于水平面放置的电极板，奇数极板并联为一组，偶数极板并联为一组，在电源线路高频放电回路上并联有可调节的直流偏置电路或正负半周对称波形可调节交流低频偏置电路，进气口和出气口按排连接恰当。
容量圆筒平板型干法刻蚀

[发明专利]三氯氢硅(SiHCl3)的制备-CN87100535.2无效
发明人： 张崇玖 -专利权人： 张崇玖
申请日： 1987-01-24 - 公布日： 1991-03-06 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：SiHCl3(三氯氢硅)是制备高纯多晶硅的主要原料。以往SiHCl3的合成是采用HCl气体通入到加热的硅粉中来制备，用固定床反应时SiHCl3的产率只有60-70％。用沸腾床反应时可使SiHCl3的产率提高到80-90％，其余主要为SiCl4副产物。由于用SiCl4氢还原制备高纯多晶硅时耗能较多，一般硅材料厂将SiCl4作为废物排出，这除了使硅粉和HCl气体的利用率低外，还严重地污染环境。本发明就是利用反应时排出的废物SiCl4作为原料，再与HCl一起通入到加热的硅粉中，通过调节SiCl4通入量的大小，来控制SiHCl3的收率，直至达到100％。本发明提出的方法简单易行，凡生产硅材料的工厂或其它有SiCl4副产物排出的工厂均可利用。
三氯氢硅 sihcl3 制备

[其他]反向工作的晶体管偶合逻辑-CN87106288无效
发明人： 张崇玖 -专利权人： 张崇玖
申请日： 1987-09-10 - 公布日： 1988-03-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：反向工作的晶体管偶合逻辑电路，采用多晶肖特基或多晶二极管输入和多晶硅电阻或漏栅共接的多晶硅MOS，栅接地的多晶硅MOS作为负载，制作上采用等平面V形槽，垂直槽和空气隔离工艺，广泛采用自对准工艺，减少扩散和套刻次数，使晶体管管芯面积，结面结、结电容、Rbb，RC时间常数很小，以提高电路的速度和集成密度，同时提高了管子和电路的成品率。
反向工作晶体管偶合逻辑

[其他]三氯氢硅(SiHCl3)的制备-CN87100535无效
发明人： 张崇玖 -专利权人： 张崇玖
申请日： 1987-01-24 - 公布日： 1987-11-25 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：SiHCl3(三氯氢硅)是制备高纯多晶硅的主要原料。以往SiHCl3的合成是采用HCl气体通入到加热的硅粉中制备，用固定床反应时SiHCl3的产率只有60—70％。用沸腾床反应时可使SiHCl3的产率提高到80—90％，其余主要为SiCl4副产物。本发明是利用废物SiCl4作为原料，与HCl一起通入到加热的硅粉中，通过调节SiCl4通入量的大小，控制SiHCl3的收率，直至达到100％。
三氯氢硅 sihcl3 制备