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[发明专利]循环利用副产物生产多晶硅的方法-CN200810172090.7无效
发明人：杰克·布莱斯 -专利权人：卓越诚信集团有限公司
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明提供了一种有效地循环利用废液废气副产物的生产多晶硅的方法，工艺流程如下：提纯SiHCl3原料，生成SiHCl3精料，将SiHCl3精料在还原炉中进行H2还原反应，生成多晶硅和由HCl、H2、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2组成的副产物，冷冻回收所述副产物，得到由SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2组成的冷凝液和由HCl、H2组成的气体，处理所述气体，得到H2并输送到所述还原炉参与H2还原反应，其中，处理由HCl和H2组成的气体的方法为使所述气体与硅粉反应生成SiHCl3，将生成的SiHCl3作为SiHCl3原料使用；由SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2组成的冷凝液循环进入所述还原炉参与
循环利用副产物生产多晶方法

[其他]三氯氢硅(SiHCl3)的制备-CN87100535无效
发明人：张崇玖 -专利权人：张崇玖
申请日： 1987-01-24 - 公布日： 1987-11-25 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：SiHCl3(三氯氢硅)是制备高纯多晶硅的主要原料。以往SiHCl3的合成是采用HCl气体通入到加热的硅粉中制备，用固定床反应时SiHCl3的产率只有60—70％。用沸腾床反应时可使SiHCl3的产率提高到80—90％，其余主要为SiCl4副产物。本发明是利用废物SiCl4作为原料，与HCl一起通入到加热的硅粉中，通过调节SiCl4通入量的大小，控制SiHCl3的收率，直至达到100％。
三氯氢硅 sihcl3 制备

[发明专利]一种还原SiCl4制SiHCl3的磁旋转氢气电弧反应器-CN200910050250.5无效
发明人：郭文康;须平;张俊亭;郭少峰 -专利权人：上海尤仕力等离子体科技有限公司
申请日： 2009-04-29 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：鉴于目前国内多晶硅企业使用的热氢还原法还原SiCl4制SiHCl3存在能耗高、SiCl4转化率低及SiHCl3生成率低以及气相白炭黑法处理SiCl4生成的白炭黑经济附加值低，本发明提供了一种能耗低、SiCl4转化率高、SiHCl3生成率高的方法，使气态SiCl4与氢气的混合物在磁旋转的两电极之间发生电弧放电，在氢气等离子体的气氛下还原SiCl4制SiHCl3，通过电弧放电的方式将电能直接转化成热能，提高了电能的利用率，同时氢等离子体的条件大大提高了SiCl4的转化率和SiHCl3生成率，由于SiHCl3是生产多晶硅的主要原料，因此本发明能够实现多晶硅的封闭式生产，达到环保高效的目标。
一种还原 sicl4 sihcl3 旋转氢气电弧反应器

[发明专利]多晶硅的制作方法-CN201310251372.7无效
发明人：潘龙祥 -专利权人：潘龙祥
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明通过下述技术方案来实现：将石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅；把工业硅粉碎并在流化床反应器中，用无水氯化氢(HCl)与之反应，生成三氯氢硅(SiHCl3)，反应温度为300度，反应形成气态混合物(H2，HCl，SiHCl3，SiCl4，Si)；将气态混合物过滤硅粉，冷凝SiHCl3、SiCl4，气态H2，HCl返回到反应中或排放到大气中，然后分解冷凝物SiHCl3、SiCl4，净化三氯氢硅；净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。
多晶制作方法

[发明专利]三氯氢硅(SiHCl3)的制备-CN87100535.2无效
发明人：张崇玖 -专利权人：张崇玖
申请日： 1987-01-24 - 公布日： 1991-03-06 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：SiHCl3(三氯氢硅)是制备高纯多晶硅的主要原料。以往SiHCl3的合成是采用HCl气体通入到加热的硅粉中来制备，用固定床反应时SiHCl3的产率只有60-70％。用沸腾床反应时可使SiHCl3的产率提高到80-90％，其余主要为SiCl4副产物。本发明就是利用反应时排出的废物SiCl4作为原料，再与HCl一起通入到加热的硅粉中，通过调节SiCl4通入量的大小，来控制SiHCl3的收率，直至达到100％。
三氯氢硅 sihcl3 制备

[发明专利]纯化SiCl4和/或SiHCl3的粗品的液固相光催化净化方法-CN201410406685.X有效
发明人：赵进才;马万红;闫研;籍宏伟;陈春城;车延科 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及纯化SiCl4和/或SiHCl3的粗品的液固相光催化净化方法。本发明是将半导体光催化剂颗粒或半导体光催化剂膜置于SiCl4和/或SiHCl3的工业粗品中，得到含有半导体光催化剂颗粒的悬浮光催化体系或含有半导体光催化剂膜的膜光催化体系，然后采用UV光源、可见光源或它们的混合光源进行光照，得到光照后的悬浮光催化体系或膜光催化体系，将光照后的悬浮光催化体系或膜光催化体系进行固液分离，可得到用于生产高质量石英光纤的SiCl4或SiHCl3纯品。得到的纯化后的SiCl4和/或SiHCl3，利用10cm光程的液槽测试其红外吸收，相对应的OH峰基本消失，相对应的饱和‑CH峰最大吸光度低于0.5。
纯化 sicl sub sihcl 液固相光催化净化方法

[发明专利]一种转化四氯化硅制取三氯氢硅和多晶硅的方法-CN201711213856.7在审
发明人：吴杰 -专利权人：四川高铭科技有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：针对目前工业生产多晶硅过程中产生污染环境的SiCl4，用热氢化法将其转化为生产多晶硅原料SiHCl3，存在一次转化率低、能耗高、设备投资大，及用SiCl4生产白炭黑经济效益远低于多晶硅的问题，本发明为企业提供一种转化四氯化硅制取SiHCl3和多晶硅方法，是以氢气或氢气与氩气混合气为等离子体工作气体，送入等离子体发生器，在强电场作用下通过电弧放电形成温度为4000K以上的热等离子体射流，诱导反应器中的SiCl4发生还原反应，将SiCl4转化为SiHCl3和多晶硅；突出优点是工艺成熟、能耗低，设备投资小，主产SiHCl3、联产多晶硅、副产HCl，有效消除四氯化硅环境污染，提高经济效益。
多晶硅四氯化硅氢气转化制取能耗等离子体工作气体等离子体发生器热等离子体射流多晶硅原料一次转化率电弧放电还原反应三氯氢硅反应器氩气白炭黑混合气强电场热氢化副产联产送入诱导生产成熟

[实用新型]硅粉过滤系统-CN201120383537.2有效
发明人：刘科;谌亮;郭红兵;刘国成;夏志科 -专利权人：天威四川硅业有限责任公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： B01D46/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及多晶硅生产工艺中三氯氢硅合成设备，尤其是硅粉过滤系统，包括两台硅粉过滤器，每台硅粉过滤器的上端均设置有SiHCl3合成气出气口和氮气进口，下端均设置有SiHCl3合成气进气口，底端均设置有废气及废硅粉出口、吹扫气进口，SiHCl3合成气出气口、氮气进口、吹扫气进口均连接设置有气动硬密封偏心半球阀；所述废气及废硅粉出口处设置有双盘结构的气动圆盘阀；本实用新型采用硬密封偏心半球阀及双盘结构的气动圆盘阀，使用寿命长，有利于系统长时间稳定运行；采用DCS全自动控制，可灵活调整硅粉过滤器的切换时间，提高合成气体的过滤效果，便于工作人员观察进行实时操作，以提高SiHCl3合成的产量和质量。
过滤系统

[发明专利]提高多晶硅沉积速率及提高多晶硅副产SIHCL3/SICL4值的方法-CN201510969137.2有效
发明人：沈祖祥;王姗;冉耘瑞;陈建 -专利权人：成都蜀菱科技发展有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本提高多晶硅沉积速率及提高多晶硅副产SIHCL3/SICL4值的方法揭示了在多晶硅生长、沉积表面温度、供料中氢气与三氯氢硅的配比、还原炉系统运行压力均已确定的条件下，供料量与多晶硅生长、沉积速率2.比，还原过程中多晶硅棒的直径将与供料量等比变化的规律，并指出，当氢气与三氯氢硅的摩尔比在3‑8的范围内变化时，提高H2/SiHCl3的摩尔配比，副产中三氯氢硅与四氯化硅量的比值将得到提高。
提高多晶沉积速率硅副产 sihcl sub sicl 方法

[发明专利]一种多晶硅的生产还原方法及多晶硅-CN202211676950.7在审
发明人：马英中;李峰;王盼盼;吕雄强;董德智;陈彦玺;张彦辉;路小卫;马强龙;请求不公布姓名 -专利权人：宁夏润阳硅材料科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C01B33/039 文献下载
摘要：一种多晶硅的生产还原方法及多晶硅，其包括：步骤S1：将原料工业硅粉加入研磨反应器；通过称重传感器控制研磨过程，得到硅粉小颗粒；步骤S2：将硅粉小颗粒加入流化床反应器，通入HCl气体并保温反应以得到SiHCl3；步骤S3：将得到的SiHCl3加入还原炉中进行氢还原反应，生成沉淀于硅芯上的多晶硅，形成多晶硅棒；本发明通过智能化控制,减少了物料损耗和生产步骤,提高了还原效率,使得多晶硅棒的沉积速度均衡稳定,成品质量稳定
一种多晶生产还原方法

[发明专利]多晶硅和硅烷装置中的废气回收系统-CN201080038791.7无效
发明人： S·加德雷;M·R·科苏里 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： B01D53/22 文献下载
摘要：纯化SiHCl3和/或SiCl4用作越过用于接收来自多晶硅反应器的废气的气体分离膜渗透物侧的吹扫气体。结合的吹扫气体和渗透物再循环至反应器中。
多晶硅烷装置中的废气回收系统

[发明专利]一种多晶硅薄膜制备方法-CN201010570984.9无效
发明人：万青;曾梦麟;张雪平;佘鹏 -专利权人：湖南大学
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅薄膜生长方法，高温下在装载有液态金属Sn的石英、石墨等耐高温槽内，采用化学气相沉积工艺，以SiH4、SiHCl3等硅的气态化学物为硅源、以O2为氧源或者NH3为氮源先在液态Sn表面沉积一层SiO2或者SiNx过渡层，接着以SiH4或者含H2的SiH4或SiHCl3为反应气体，在过渡层上沉积一层一定厚度的多晶硅薄膜。
一种多晶薄膜制备方法

[发明专利]一种三氯氢硅合成尾气的处理方法及装置-CN200910260581.1有效
发明人：周强民 -专利权人：重庆大全新能源有限公司
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： B01D53/14 文献下载
摘要：本发明提供一种三氯氢硅合成尾气的处理方法，包括：使用氯硅烷吸收制备三氯氢硅产生的合成尾气得到氯硅烷吸收液，所述合成尾气包括HCl、SiHCl3、SiCl4、H2、硅粉尘和高沸物粉尘；加热所述氯硅烷吸收液到本发明提供的三氯氢硅合成尾气的处理方法及装置回收湿法处理后氯硅烷吸收液中的HCl、SiHCl3、SiCl4、H2、硅粉尘和高沸物，节约了原料，降低了生产成本。
一种三氯氢硅合成尾气处理方法装置

[发明专利]利用光伏晶体硅加工废砂浆生产三氯氢硅方法-CN201110238178.6有效
发明人：尹晏生;赵凤忠;高明利;尹克胜 -专利权人：尹克胜
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：回收PEG和铁，得含Si、SiC的二元砂；把氯化钾和硫酸进行复分解反应，制硫酸钾；副产HCl↑经冷冻、脱水、预热处理，得合格HCl气体，利用HCl气体夹带二元砂喷人气流床反应器内，形成旋流，以利Si+3HCl↑＝SiHCl3↑+H2↑反应进行和不反应的SiC的分离沉降；反应产物夹带不反应的SiC微粉进入分离提纯系统，经除尘装置分离回收SiC微粉；根据Si氯化物的不同理化性质，进行分离提纯，获得高纯度SiHCl3
利用晶体加工砂浆生产三氯氢硅方法

[发明专利]改良西门子法还原炉提高多晶硅一次沉积率的方法-CN201510969103.3有效
发明人：沈祖祥;王姗;冉耘瑞;陈建 -专利权人：成都蜀菱科技发展有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：其特征在于进入还原炉的H2/SiHCl3摩尔比值在3‑8的范围内提高氢气与三氯氢硅之摩尔配比值，多晶硅一次沉积率将按公式η=(1+0.06)nη0得到提高。式中，η0原始沉积率；η改变摩尔配比后的一次沉积率；n较原始摩尔配比提高值，n=0、1、2、3、...。
改良西门子还原提高多晶一次沉积方法

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