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[发明专利]一种沟槽工艺洗边宽度的优化方法、装置、介质及器件-CN202111354067.1在审
发明人：赵春山;康柏;张武志;曹亚民;周维 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽工艺洗边宽度的优化方法，通过获取沟槽工件的第一工艺数据，得到优化处理的初始条件或初始值，实现对相关系统或装置的初始化；相关实施例通过调整DTI显影洗边宽度来降低钨CMP过程中晶圆边缘剥落的概率，从而有效减少钨剥落缺陷；本发明实施例在不涉及设备更换和生产线更新的前提下，仅在原有设备和工艺基础上优化了工艺，大幅降低了BSI工艺缺陷数量，使得芯片良率得到显著改善。
一种沟槽工艺宽度优化方法装置介质器件

[发明专利]一种改善背照式CMOS图像传感器白色像素的方法-CN202111265238.3在审
发明人：张小龙;康柏;张武志;曹亚民;杨斌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种改善背照式CMOS图像传感器白色像素的方法，所述改善背照式CMOS图像传感器白色像素的方法，包括：步骤S1：提供具有像素结构的硅基衬底；步骤S2：在像素结构表面沉积氮化硅层间介质层，所采用的氢离子浓度为第一氢离子浓度，形成第一氢离子浓度的氢离子通过第一氢离子源提供；步骤S3：提供具有第二氢离子浓度的第二氢离子源，使得第二氢离子源所产生的氢离子与氮化硅层间介质层的硅悬挂键键合；步骤S4，获得硅悬挂键与氢离子键合后的背照式CMOS图像传感器。本发明通过提供具有第二氢离子浓度的第二氢离子源，使得氢离子与硅悬挂键键合，极大的减少了硅悬挂键，提高暗光下的图像质量，抑制白点像素的形成。
一种改善背照式 cmos 图像传感器白色像素方法

[发明专利]一种通过调整DTI钨阻挡层厚度改善BSI RTS水平的方法-CN202110789832.6在审
发明人：赵春山;康柏;张武志;曹亚民;周维 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种通过调整DTI钨阻挡层厚度改善BSI RTS水平的方法，提供硅基底，在硅基底上形成深沟槽；在深沟槽中依次覆盖第一氧化层、HK介质层、第二氧化层、钨粘着层；在硅基底上沉积钨以填充深沟槽；刻蚀去除硅基底表面的钨；在填充满钨的深沟槽上表面通过PECVD的方法沉积厚度为的氧化阻挡层。显著降低了芯片RTS的整体水平，P50和P97参数改善20％以上；同时芯片白点像素和暗电流水平也大幅降低；芯片的噪声水平得到显著改善，提高了芯片良率，在相同成本下获得更多利润。
一种通过调整 dti 阻挡厚度改善 bsi rts 水平方法

[发明专利]拼接芯片的线上监控方法-CN202011061269.2在审
发明人：赵庆贺;康柏;张武志;曹亚民 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种拼接芯片的线上监控方法，包括步骤：步骤一、将多个小尺寸的拼接单元拼接形成大尺寸的拼接芯片，拼接时对拼接单元进行排序使拼接芯片的窄边宽度小于等于量测机台的识别宽度的下限；步骤二、在拼接芯片的长边外侧设置多个第一图形标记将拼接芯片分割成多个重复测量单元，相邻两个第一图形标记之间的距离小于等于量测机台的识别宽度的下限；步骤三、量测机台通过所述第一图形标记锁定对应的重复测量单元并实现对锁定的重复测量单元进行测量并进而进行重复测量完成拼接芯片的线上监控。本发明能实现对大尺寸的拼接芯片的线上监控。
拼接芯片线上监控方法

[发明专利]BSI工艺深沟槽隔离制造方法-CN202010780590.X在审
发明人：赵春山;康柏;张武志;曹亚民;周维 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种BSI工艺深沟槽隔离制造方法，包括以下步骤：刻蚀形成深沟槽隔离后淀积第一预设厚度的金属，将深沟槽隔离填充满并在深沟槽隔离表面及两侧形成覆盖层；采用研磨去除第二预设厚度的部分覆盖层；采用晶圆面内刻蚀速率能调节刻蚀工艺，刻蚀去除剩余的覆盖层，仅保留深沟槽隔离中的金属填充。本发明可改善晶圆面内均匀性，解决晶圆边缘窗口不足的问题；采用两步移除深沟槽隔离表面金属还可以调节深沟槽隔离顶部金属尺寸，降低天线效应，降低RTS。
bsi 工艺深沟隔离制造方法

[发明专利]层状双氢氧化物纳米带的制备方法-CN201210179186.2无效
发明人：丁鹏;施利毅;康柏;汪庆 -专利权人：上海大学
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C01B13/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种层状双氢氧化物纳米带的制备方法。该方法是将二价离子Mg2+、Zn2+、Ni2+、Mn2+和Cu2+与三价金属离子Al3+、Fe3+和Cr3+按照配比1:1~3:1配制成溶液A，将氢氧化钠或氢氧化钾与碳酸钠或碳酸钾按照氢氧根离子和碳酸根离子的摩尔比为1:1~3:1混合溶解在去离子水中，配制成溶液B，在10~50°C温度条件下，将上述溶液A和溶液B按照二价金属盐溶液与强碱溶液的摩尔浓度之为1:1~1:3迅速混合，在上述温度条件下不断搅拌0.5~4小时；而后在50~150°C陈化8h~72h；最后将所得的产品经过去离子水洗涤，干燥或直接分散在乙醇中得到一维的层状双氢氧化物纳米带。本发明的优点是利用较为温和的方法，在没有模板和表面活性剂的条件下，合成的纵横比较大的一维纳米带。并且该发明具有工艺简单、操作方便、结构易控等特点。
层状氢氧化物纳米制备方法

[发明专利]一种无卤阻燃聚丙烯纳米复合材料及其制备方法-CN201110306154.X无效
发明人：丁鹏;施利毅;唐圣福;汪庆;黄伟锋;康柏 -专利权人：东莞上海大学纳米技术研究院;上海大学
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种无卤阻燃聚丙烯纳米复合材料，其组分及质量百分比如下：60～80重量份聚丙烯，15～30重量份纳米层状双氢氧化物，1～8重量份有机硅树脂，1～5重量份相容剂，0.1～1重量份抗氧剂。还公开了一种制备该无卤阻燃聚丙烯纳米复合材料的方法，采用的纳米层状双氢氧化物、有机硅树脂及聚丙烯在高温下形成稳定的碳层，有效的阻隔了热量和可燃气体的渗透，提高了材料的阻燃性能。该复合材料制备过程中采用的阻燃剂为无卤阻燃剂，其制备过程不产生有毒和腐蚀性气体，符合绿色环保要求。
一种阻燃聚丙烯纳米复合材料及其制备方法