“岩田基良”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]RF能量放射装置-CN202310246281.8在审
发明人：高野伸司;平本雅祥;小笠原史太佳;岩田基良;夘野高史;福井干男;细川大介 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H05B6/68 文献下载
摘要：一种RF能量放射装置，其具备用于载置加热对象物的腔室、RF信号产生部、RF放大部、放射元件、温度传感器和控制部。RF信号产生部振荡出RF信号。RF放大部放大RF信号并输出RF能量。放射元件向腔室内放射RF能量。温度传感器配置在RF放大部的附近。控制部控制RF放大部根据温度传感器的检测温度和多个阈值水平来调整RF能量的输出。根据本方式，能够提高装置的可靠性。
rf 能量放射装置

[发明专利]微波加热装置-CN201980053571.2有效
发明人：福井干男;夘野高史;小笠原史太佳;岩田基良;高野伸司;细川大介;平本雅祥 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H05B6/70 文献下载
摘要：微波加热装置具备容纳被加热物的加热室、生成微波的微波发生部以及同轴连接器。同轴连接器具有中心导体、绝缘体和外部导体。中心导体与微波发生部的输出端连接。在中心导体与绝缘体之间设置有气隙。根据本方式，能够抑制微波发生部与同轴连接器之间的焊接部处的因热应力导致的焊料裂纹的产生。
微波加热装置

[发明专利]RF能量放射装置-CN201980048574.7有效
发明人：高野伸司;平本雅祥;小笠原史太佳;岩田基良;夘野高史;福井干男;细川大介 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H05B6/68 文献下载
摘要：RF能量放射装置具备用于载置加热对象物的腔室、RF信号产生部、RF放大部、放射元件、温度传感器和控制部。RF信号产生部振荡出RF信号。RF放大部放大RF信号并输出RF能量。放射元件向腔室内放射RF能量。温度传感器配置在RF放大部的附近。控制部控制RF放大部根据温度传感器的检测温度和多个阈值水平来调整RF能量的输出。根据本方式，能够提高装置的可靠性。
rf 能量放射装置

[发明专利]高频加热装置-CN201980048575.1在审
发明人：夘野高史;小笠原史太佳;岩田基良;高野伸司;福井干男;细川大介;平本雅祥 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： F24C7/02 文献下载
摘要：高频加热装置(100)具有收纳负载(104)的加热室(103)、微波源(101)、至少一个放射部(102)、温度检测部(105)以及控制部(106)。微波源能够产生微波，并能够调整微波的频率和输出。至少一个放射部将微波向加热室内放射。温度检测部检测加热室内的温度。控制部控制微波源根据规定负载的温度推移的温度曲线和加热室内的温度，调整微波的输出。根据本方式，通过按照与烹调菜谱对应的温度曲线加热食材，能够使烹调的品质稳定化。
高频加热装置

[发明专利]半导体封装、其制造方法及模具、半导体封装的输入输出端子-CN201280012054.9有效
发明人：夘野高史;池田光;八幡和宏;岩田基良;内藤浩;神山智英 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：提供一种安装了高频用的高输出半导体元件的、便宜且高频特性良好的半导体封装。本发明的半导体封装（1）具备半导体元件（12），输入或输出高频信号；平板状的引线端子（13），一端与半导体元件（12）的输入端子或输出端子电连接；封固用树脂（16），将引线端子（13）和半导体元件（12）封固，使得引线端子（13）的另一端露出；接地强化用金属体（15），被封固用树脂（16）封固，使得第1主面对置于引线端子（13）、第2主面从封固用树脂（16）露出，接地强化用金属体（15）具有存在截面的结构，该截面与第2主面平行并且面积比第1主面的面积小。
半导体封装制造方法模具输入输出端子

[发明专利]高频放大电路-CN201380002337.X有效
发明人：神山智英;内藤浩;夘野高史;岩田基良;八幡和宏;池田光 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H03F3/60 文献下载
摘要：高频放大电路（1）为，在封装（112）内的安装面上具备晶体管（101）和输出侧匹配电路（103），输出侧匹配电路（103）具备经由第一导线（121）被传递来自晶体管（101）的高频信号的第一分布常量线路（105）、经由第二导线（122）将来自第一分布常量线路（105）的高频信号向封装（112）外部传送的平板状的引线端子（106）、以及一个电极经由第三导线（123）与引线端子（106）连接而另一个电极接地的电容元件（108），引线端子（106）的里面与树脂衬底接合，以电容元件（108）和第一分布常量线路（105）的排列方向与第一分布常量线路（105）和引线端子（106）的排列方向在上述安装面上交叉的方式，将电容元件（108）和第一分布常量线路（105）相邻接配置。
高频放大电路

[发明专利]微波加热装置-CN201380001419.2无效
发明人：池田光;岩田基良;神山智英 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2013-02-15 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H05B6/68 文献下载
摘要：在本发明的一个实施方式所涉及的微波加热装置中，被加热物(110)具有多个部位，该微波加热装置具备：将微波照射到加热箱内(100)的多个天线(13)；从被赋予了示出所述多个部位的每一个的特征的信息的块模型(101)中检测该信息的传感器(14)；被输入有针对被加热物(110)的加热条件的显示输入操作部(17)；根据由传感器(14)检测出的信息和被输入到显示输入操作部(17)的加热条件，通过电磁场解析来导出含有针对被加热物(110)的微波照射条件的加热概要的电磁场解析部(16)；以及根据被导出的加热概要，来控制由天线(13)辐射的微波的动作的控制部(10)。
微波加热装置

[发明专利]高频功率放大装置-CN201010126463.4无效
发明人： 岩田基良;竹原宏泰;山内广之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-04-07 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明揭示一种高频功率放大装置，具有：高频功率放大用晶体管(2)、对高频功率放大用晶体管的基极供给偏流的偏流供给电路(51)、以及连接在所述高频功率放大用晶体管的基极与偏流供给电路之间的偏流控制电路(52)，并且所述偏流控制电路连接到高频功率放大用晶体管的电源(32)，从而实现低功率时的高频功率放大装置高效率化，而且改善低功率时的功率放大器温度特性。
高频功率放大装置

[发明专利]高频功率放大器和通信设备-CN200710129250.5无效
发明人：增田拓也;岩田基良;石原慎一郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-04-10 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H03F3/189 文献下载
摘要：为了提供一种高频功率放大器，通过在高频稳定以高频放大晶体管的温度补偿作用为特征的偏置电路的偏置电压，能够改进高频功率放大器的线性和效率，在偏置电源晶体管41的基极与参考电位之间连接电容61。因此可能抑制偏置电源晶体管41的基极电压的变化，特别是当高频功率放大器在高输出时，并改进高频功率放大器的线性。
高频功率放大器通信设备

[发明专利]高频功率放大装置-CN200610073744.1有效
发明人： 岩田基良;竹原宏泰;山内广之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-04-07 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明揭示一种高频功率放大装置，具有：高频功率放大用晶体管(2)、对高频功率放大用晶体管的基极供给偏流的偏流供给电路(51)、以及连接在所述高频功率放大用晶体管的基极与偏流供给电路之间的偏流控制电路(52)，并且所述偏流控制电路连接到高频功率放大用晶体管的电源(32)，从而实现低功率时的高频功率放大装置高效率化，而且改善低功率时的功率放大器温度特性。
高频功率放大装置

[发明专利]高频功率放大器-CN200510099118.5无效
发明人：须崎秀史;朴在佑;岩田基良;太田顺道 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本发明的高频功率放大器在构成多单元的一个单位单元中、在栅－源极间或基－发射极间有短路存在的情况下，利用配置在每个单位单元上的二极管的隔直流特性，能制止对其它正常的单位单元工作的影响。
高频功率放大器

1
共 11 条