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[发明专利]一种快速瞬态响应低压差电压调整器-CN201710294322.5有效
发明人：冯浪;岑远军;李大刚;马迎;李呈 -专利权人：成都华微电子科技有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种快速瞬态响应低压差电压调整器，涉及模拟集成电路领域，本发明包括误差放大器、功率管Mp和反馈采样电阻，其特征在于，还包括缓冲器、PNP晶体管和NPN晶体管，误差放大器的输出端接PNP晶体管的基极，PNP晶体管的发射极接电压调整器的输出端；NPN晶体管的集电极和基极接PNP晶体管的集电极，NPN晶体管的发射极接地，基极还与缓冲器的第一输入端连接；缓冲器的输出端接功率管的栅极；功率管的输入端接输入电压，输出端接PNP晶体管的发射极；PNP晶体管的发射极通过串联的第一反馈采样电阻和第二反馈采样电阻接地，第一反馈采样电阻和第二反馈采样电阻的连接点接误差放大器的反向输入端。本发明在不需要增加额外静态功耗的情况下，减小系统环路延时，实现快速瞬态响应。
一种快速瞬态响应低压电压调整器

[发明专利]低功耗快速瞬态响应低压差电压调整器-CN201710295591.3有效
发明人：冯浪;岑远军;李大刚;马迎;张克林;林亚立 -专利权人：成都华微电子科技有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：低功耗快速瞬态响应低压差电压调整器，涉及模拟集成电路领域，本发明包括与输入偏置电流源连接的误差放大器、输入端接高电平输入端的输出功率管、反馈比例电阻组，输出功率管和反馈比例电阻组的连接点作为最终输出端，其特征在于，在误差放大器和输出功率管之间设置有第一放大模块、瞬态响应放电通路模块和驱动器模块。本发明有效减小负载由大到小瞬态变化过程中输出电压的恢复时间。
功耗快速瞬态响应低压电压调整器

[发明专利]低功耗可编程SoC器件及设计方法-CN201811579287.2在审
发明人：李国;岑远军;杨东坪;王鑫 -专利权人：成都华微电子科技有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：低功耗可编程SoC器件，涉及集成电路技术，本发明内部电路设置于至少两个布线区域，每个布线区域设置有至少两路独立可控的时钟信号线。采用本发明的技术能够有效减低可编程SoC器件的功耗。
可编程布线区域低功耗集成电路技术时钟信号线独立可控内部电路功耗两路

[发明专利]SAR型ADC电容重分布阵列归一化桥接电容电路-CN201810451472.7在审
发明人：杨平;李永凯;王波;齐旭;岑远军;黄欣 -专利权人：成都华微电子科技有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H03M1/46 文献下载
摘要：SAR型ADC电容重分布阵列归一化桥接电容电路，涉及集成电路。本发明低N位电容阵列仅由N个低位电容构成，每个低位电容对应一个数据位；所述桥接电容的电容值为1个单位电容值；桥接电容和数据位电容均由X个独立的单位电容组成，X为自然数，取值由该电容所在位置确定，每个单位电容的电容值为1个单位电容值。本发明保证整个电容阵列均为单位电容，最大限度提升DA内核的转换线性度。
电容单位电容桥接电容电路电容阵列分布阵列归一化低位线性度内核集成电路转换保证

[发明专利]超高精度低代价高阶补偿带隙基准电路-CN201810451456.8在审
发明人：杨平;岑远军;李永凯;李大刚;齐旭;刘建康 -专利权人：成都华微电子科技有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：超高精度低代价高阶补偿带隙基准电路，涉及集成电路。本发明包括：串联的第一PMOS管和第六NMOS管，串联的第二PMOS管和第七NMOS管，第七NMOS管的源极接晶体管组的输入端，晶体管组的输出端和控制端接地；第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管的宽长比相同，均为一个单位宽长比；第六NMOS管和第七NMOS管的宽长比相同；第四PMOS管和第五PMOS管的宽长比均为2.375倍单位宽长比，第一电阻R1的电阻值R1＝35424Ω，第二电阻R2的电阻值R2＝119260.8Ω。本发明可以获得高精度带隙基准电压。
宽长比电阻带隙基准电路高阶补偿晶体管组低代价串联带隙基准电压接地控制端输出端输入端源极集成电路

[发明专利]基于反相器设计的高速比较器电路-CN201711479966.8在审
发明人：李永凯;岑远军;杨平;廖志凯;彭箫天;冯浪 -专利权人：成都华微电子科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H03K5/26 文献下载
摘要：基于反相器设计的高速比较器电路，涉及集成电路技术。本发明包括反相器部分和锁存部分，所述锁存部分包括：第七MOS管，其电流输入端接系统高电平VDD，电流输出端接第十一MOS管的电流输入端，栅端接比较器电路输出点OUT；第八MOS管，其电流输入端接系统高电平VDD，电流输出端接比较器电路输出点OUT，栅端接第七MOS管的电流输出端；第九MOS管，其栅端接第二时钟输入端，其电流输入端接系统高电平VDD，电流输出端接第七MOS管的栅端；第十MOS管，第十一MOS管和第十二MOS管。本发明有效减小了电路及版图设计难度，更加易于大规模集成电路设计。
电流输出端电流输入端栅端反相器高电平高速比较器电路比较器电路输出点锁存大规模集成电路设计集成电路技术时钟输入端版图设计减小电路

[发明专利]冷备份系统高阻态高线性采样保持电路-CN201710331574.0在审
发明人：杨平;岑远军;李大刚;李永凯;牛义 -专利权人：成都华微电子科技有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H03M1/06 文献下载
摘要：冷备份系统高阻态高线性采样保持电路，涉及集成电路。本发明包括采样开关，所述采样开关包括一个NMOS管，采样开关的输入端接NMOS管的源极，输出端接NMOS管的漏极，采样开关的控制端接NMOS管的栅极，其特征在于，还包括一个自举单元，自举单元的输入端接采样开关的输入端，自举单元的输出端接NMOS管的栅极，采样开关的控制端接自举单元的输出端。本发明在增添少量芯片面积及功耗的条件下，通过自举单元产生采样开关的导通电平电压，从而将沟道注入电荷引起的采样误差全部转化为线性采样误差。
备份系统高阻态高线性采样保持电路

[发明专利]具有宽频带高电源抑制比的低压差电压调整器-CN201510614200.0无效
发明人：冯浪;岑远军;张克林 -专利权人：成都华微电子科技有限公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：具有宽频带高电源抑制比的低压差电压调整器，涉及模拟集成电路领域。本发明包括反馈放大电路和输出级电路，反馈放大电路包括输出功率管和误差放大器，还包括：电源纹波采样电路，其输入端接电压输入端，输出端接纹波分量叠加电路的第一输入端，电源纹波采样电路用于采集电源纹波分量；纹波分量叠加电路，其第二输入端接误差放大器的输出端，其输出端接输出功率管的控制端，纹波分量叠加电路用于将电源纹波分量叠加到输出功率管的控制端。本发明在不增加额外面积开销和降低转换效率的情况下，大幅提高了LDO低频段的电源抑制比性能。
具有宽频电源抑制低压电压调整器

[发明专利]宽带高增益跨导放大器-CN201110334013.9有效
发明人：蔡化;岑远军;朱志勇;张克林 -专利权人：成都华微电子科技有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：宽带高增益跨导放大器，涉及电子技术。本发明包括第一级电路和第二级电路，第一级电路包含第一连接点、第二连接点、四个辅助放大器和第一尾电流管，第二级电路包含第三连接点、第四连接点和第二尾电流管，第一连接点和第二连接点分别通过第一电容电路连接到第一尾电流管的栅极；第三连接点)和第四连接点分别通过第二电容电路连接到第二尾电流管的栅极；第一尾电流管的栅极通过第三开关连接到第二尾电流管的漏极；第三连接点通过第四开关连接到共模反馈放大器的正向输入端，第四连接点通过第五开关连接到共模反馈放大器的正向输入端，共模反馈放大器的输出端通过第六开关连接第二尾电流管的漏极。本发明具有更快的响应速度、更高的增益和压摆率。
宽带增益放大器

[发明专利]翻转式采样保持电路-CN201110147941.4有效
发明人：蔡化;岑远军;朱志勇;张克林 -专利权人：成都华微电子科技有限公司
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：翻转式采样保持电路，涉及集成电路技术。本发明包括第一开关自举电路、第一采样开关管、第二开关自举电路、第二采样开关管、放大器和第一负载电容电路、第二负载电容电路，其特征在于，所述第一开关自举电路和第二开关自举电路结构相同，第一开关自举电路包含电荷补偿电路，所述电荷补偿电路包括形成回路的第一电容和第二NMOS管。本发明使采样开关引入的非线性大大降低，输入带宽得到提高，同时降低了整个采样保持电路的功耗。
翻转采样保持电路

[发明专利]LVDS驱动器-CN201010599909.5有效
发明人：蔡化;岑远军;朱志勇;张克林 -专利权人：成都华微电子科技有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：LVDS驱动器，涉及电子技术。本发明包括输入缓存单元和驱动单元，其特征在于，还包括充放电控制单元，所述充放电控制单元包括电压差/电流差转换单元、电流比较单元、控制逻辑单元和充放电单元；电流比较单元通过电压差/电流差转换单元和输入缓存单元连接；控制逻辑单元和电流比较单元连接，并与充放电单元的控制端连接；充放电单元的输出端和输入缓存单元的输出端连接。本发明的有益效果是，降低了驱动电路的栅压偏差，实现了动态稳定。
lvds 驱动器

[实用新型]一种用于数字通讯的码型转换设备-CN02265109.8无效
发明人： 岑远军 -专利权人：上海贝尔有限公司
申请日： 2002-06-28 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： H04J14/02 文献下载
摘要：一种用于数字通讯的码型转换设备，包括耦合器、T1/E1收发器、晶体振荡器、电平转换模块、光接收模块、光发送模块和可编程逻辑器件，其中耦合器、T1/E1收发器、电平转换模块和可编程逻辑器件依次相连接；晶体振荡器连接在T1/E1收发器上；光接收模块和光发送模块分别连接在电平转换模块上。本实用新型解决CMI和HDB3之间的码型转换和接口匹配，实现了专用仪表提供的HDB3码与OSC盘用的CMI之间的码型转换及接口匹配，实现作为具有HDB3电接口和CMI光接口连接于仪表和OSC盘之间的一个实体设备，从而很方便的就能对OSC盘进行测试。
一种用于数字通讯转换设备

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