专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电力通信融合网络系统以及电力通信融合网络系统中的控制方法-CN202080004265.2有效
  • 尾辻泰一;岩月胜美 - 国立大学法人东北大学
  • 2020-03-17 - 2021-11-26 - H02J1/10
  • 提供一种包括多个无线基站和属于各无线基站所形成的小区的直流电网组在内的电力通信融合网络系统,直流电网组中的各直流电网具有直流电力线,该直流电力线连接有包括发电设备以及蓄电设备在内的多个电力设备,该各直流电网基于通过无线通信在电力设备之间进行交换的各电力设备的状态信息,实施用于抑制直流电力线中的电力的时间波动的第一控制,在多个直流电网所属的小区中,多个直流电网中的第一直流电网基于通过无线通信在直流电网之间进行交换的各直流电网的状态信息,实施用于与第二直流电网之间互换电力的第二控制,属于第一小区的第一直流电网组在第一直流电网组以及属于第二小区的第二直流电网组的电力状况满足了预先设定的第一条件时,实施用于在第一直流电网组与第二直流电网组之间互换电力的第三控制。
  • 电力通信融合网络系统以及中的控制方法
  • [发明专利]互补型逻辑门器件-CN200980128161.6无效
  • 尾辻泰一;佐野荣一 - 国立大学法人东北大学;国立大学法人北海道大学
  • 2009-07-24 - 2011-06-29 - H01L21/8234
  • 本发明提供一种用于打破半导体集成逻辑电路,尤其是以硅CMOS(互补型金属氧化膜半导体)逻辑电路为代表的互补型逻辑门器件构成的超高集成、超低功耗型集成逻辑电路的速度性能极限的互补型逻辑门器件。不使用N沟道FET和P沟道FET,只利用由石墨烯33形成电子运行层,具有双极特性,且门限值不同的第一FET 1和第二FET 2的两个FET。将第一FET 1的栅极11和第二FET 2的栅极21短路连接作为输入端,将第一FET 1的源极12设为低电位;将第一FET 1的漏极13和第二FET 2的漏极22连接作为输出端,将第二FET 2的漏极23设为高电位。
  • 互补逻辑器件

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