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[实用新型]一种多组分动态搅拌装置-CN201020252613.1无效
发明人：付高锋;付强;尹鑫 -专利权人：洛阳市锐创电气设备有限公司
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： B01F7/24 文献下载
摘要：本实用新型属于搅拌技术领域，提出一种多组分动态搅拌装置，主要包括驱动装置、机体(1)、进料组合阀、清洗机构(18)及出液嘴(13)；驱动机体(1)内搅拌体(9)的电机为伺服电机；进料组合阀的循环阀对应进料阀设置，进料阀具有与机体搅拌室连通的出液口；循环阀与进料阀连通，控制进料阀出液口的活塞(15-1)与控制循环阀出液口的活塞(15-2)为联动且互斥结构；循环阀与储料罐(48)、供料装置(46)、进料阀的进液口连通，构成胶液或其它组分的过滤循环结构；清洗机构(18)由清洗阀(18-2)与吹气阀(18-1)构成；出液嘴(13)设置在机体的底部。本实用新型由伺服电机驱动实现了直接断胶，管道内液体杂质可由过滤循环结构排出。
一种组分动态搅拌装置

[发明专利]NdCa₄O(BO₃)₃晶体零频率温度系数切型及应用-CN201010136214.3有效
发明人：袁多荣;于法鹏;张树君;潘立虎;尹鑫;郭世义;段秀兰;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H03H3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种NdCa4O(BO3)3晶体零频率温度系数切型及应用，晶体旋转α角度，记为(ZXw)α，-20°≤α≤45°，切型尺寸比例为厚度∶宽度∶长度＝1∶(2-3)∶(6-10)。NdCa4O(BO3)3晶片切型的宽度方向上镀铂金电极，电极厚度为200-220nm；采用宽度切变振动模式，在-140-200℃范围内，晶片谐振频率的温度稳定性控制在0～25ppm/℃。本发明克服了石英晶体机电耦合系数较低(＜8％)，钽酸锂、硅酸镓镧等晶体频率稳定范围较窄的问题，适于制成宽温度范围内使用的频率控制器件。
ndca sub bo 晶体频率温度系数应用

[发明专利]一种黄长石结构的高温压电晶体及其制备方法与应用-CN201010134821.6有效
发明人：张怀金;张园园;尹鑫;于浩海;王继扬 -专利权人：山东大学
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种高温压电晶体及其制备方法与应用，晶体具有通式ARM₃O₇，其中A＝Ca，Sr或Ba；R＝La或Gd；M＝Al或Ga；空间群，黄长石结构，晶体由层状MO₄四面体构成，A²⁺和R³⁺离子以镜面对称性随机分布在层与层之间。利用提拉法制备，采用谐振法测量全部压电性能参数。本发明的ARM₃O₇晶体具有较高的压电常数和机电耦合系数，熔点较高，在熔点前无相变，热稳定性好，特别适于用作高温压电晶体材料。
一种长石结构高温压电晶体及其制备方法应用

[发明专利]硅酸镓镧系列晶体高温零温度补偿切型及应用-CN201010011815.1有效
发明人：于法鹏;袁多荣;张树君;潘立虎;尹鑫;郭世义;段秀兰;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2010-01-07 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅酸镓镧系列晶体高温零温度补偿切型及应用。对于32点群的硅酸镓镧系列晶体，正的d11的方向取为x的正方向，y、z方向根据右手螺旋法则确定；晶体厚度方向为Y，长度方向为X，以X方向按右手螺旋法则旋转α角度，记为YXltw(α)，-90°＜α＜+20°，+α为逆时针旋转，-α为顺时针旋转；切型尺寸比例为厚度∶宽度∶长度＝0.2～2∶6～12∶6～12。本发明的硅酸镓镧系列晶体高温零温度补偿切型和频率器件具有频率稳定性高，适应温度范围广，晶片加工简单的特点。
硅酸系列晶体高温温度补偿应用

[实用新型]一种硅酸镓电光晶体调Q激光器-CN200920240851.8有效
发明人：方新;王继扬;黄造;尹鑫;宋余华;张少军;汤瑾;张怀金;范永来;谈广清;蒋民华;张延炜 -专利权人：山东大学
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01S3/115 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种适用于高低温环境工作的脉冲固体激光器，特别是一种采用新型电光晶体硅酸镓作为电光开关的电光调Q激光器。它包括激光泵浦源、谐振腔、Nd:YAG棒、LGS晶体组件、高压脉冲调Q电源，激光泵浦源设置于Nd:YAG棒的一侧，激光泵浦源为脉冲氙灯，谐振腔由全反镜和输出镜组成，谐振腔内依次设置有LGS晶体组件、Nd:YAG棒。本实用新型使Nd:YAG电光调Q激光器在-40℃～+65℃高低温环境条件下实现了高功率、高效率、高重频运转，而且性能稳定，解决了背景技术中军工、航天高功率Nd:YAG电光调Q激光器的技术难题，拓宽了该激光器的应用范围。
一种硅酸电光晶体激光器

[发明专利]基于硅酸稼镧晶体1.3μm电光开关的人眼安全拉曼激光器-CN200810138721.3无效
发明人：张怀金;王继扬;方新;张少军;尹鑫;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2008-07-30 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：一种基于硅酸稼镧晶体1.3μm电光开关的人眼安全拉曼激光器，属于晶体生长与晶体器件技术领域。通过闪光灯或激光二极管泵浦Nd:YAG晶体或透明陶瓷、Nd:YAP晶体、Nd:GVO₄或Nd:YxGd_1－xVO₄晶体，产生1.3微米的激光，使用La₃Ga₅SiO₁₄晶体为电光开关，使激光形成脉冲激光，再通过白钨矿结构晶体或锆英石结构晶体的拉曼频移效应，产生人眼安全的1.5μm波长激光。本发明制作的激光器具有简单、紧凑、阈值低、输出功率高、稳定性好、转换效率高、光束质量好、操作简单、成本低，以及便于工业化的大批量制造等特点。
基于硅酸晶体 1.3 电光开关安全激光器

[实用新型]可支撑于钻机上的钻塔-CN200620052834.8无效
发明人：陈英志;尹鑫 -专利权人：湖南飞碟新材料有限责任公司
申请日： 2006-11-14 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： E21B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可支撑于钻机上钻塔，该钻塔的竖塔过程简单，且能够在钻直孔和钻斜孔的两种状态之间转换，该支撑于钻机上的钻塔包括塔身、底座、支撑脚和设于塔身上的滑轮组，支撑脚一端与塔身相连，另一端与底座相连，其特征在于所述塔身的下端设有用于将塔身支撑于钻机上的支撑体。
支撑钻机钻塔

[发明专利]一种以光胶粘合而成的YVO₄晶体偏振棱镜-CN200710015795.3无效
发明人：陶绪堂;高泽亮;尹鑫 -专利权人：山东大学
申请日： 2007-06-05 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种以光胶粘合而成的YVO₄晶体偏振棱镜，包括两块YVO₄晶体棱镜，每块棱镜都是截面为等腰直角三角形的三棱柱，棱镜的顶角为45°，两块棱镜沿斜面通过光胶对接在一起，所用光胶的折射率为1.48－1.50之间。本发明的特点是每个棱镜都是截面为等腰直角三角形的三棱柱，棱镜的顶角恰好为45°，折射光线正好从三棱柱的底面出射。能够做到棱镜内存在的折射光尽量小，降低了伤害人眼的可能性。经测量，本发明的偏振棱镜消光比小于10^－4。与目前的YVO₄偏振棱镜相比，本发明的棱镜结构更加简单，加工面和加工角度的数量都减少，并且降低了对人眼伤害的可能性，使用更加方便，其性能可以与成熟的方解石棱镜相当。
一种胶粘 yvo sub 晶体偏振棱镜

[实用新型]一种钻机-CN200620050647.6无效
发明人：尹鑫;李杰 -专利权人：湖南飞碟新材料有限责任公司
申请日： 2006-04-18 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： E21B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钻机，分动箱的输入轴斜齿轮固定在输入轴上，过桥斜齿轮空套在过桥轴上；过桥斜齿轮分别与慢速斜齿轮和快速斜齿轮啮合传动，慢速斜齿轮两侧分别装有第一接合齿圈和第二接合齿圈，第一接合套可与第一接合齿圈和去卷扬机轴齿轮同时啮合传动，快速斜齿轮一侧设有第三接合齿圈，齿毂的内齿与输出轴的外齿相啮合，输出轴的小圆弧锥齿轮与回转器传动连接，第二接合套可与第二接合齿圈和齿毂的外齿同时啮合传动或与第三接合齿圈和齿毂的外齿同时啮合传动。本实用新型是一种分动箱传动齿轮啮合性能较好，换档方便、换档冲击小、不易脱档、噪音小且整机长度缩短的钻机。
一种钻机

[发明专利]一种铌酸锂晶体的极化方法-CN200610043951.2无效
发明人：宋建安;袁多荣;尹鑫;郭世义;段秀兰 -专利权人：山东大学
申请日： 2006-05-15 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸锂晶体极化方法和专用设备，属于晶体材料后处理技术领域。将铌酸锂晶体Y切，晶体样品置于两个铌酸锂极化晶片之间，极化晶片和晶体样品之间有铌酸锂晶体粉料，上下两个极化晶片各加一铂片构成极化电极，极化温度1200±5℃，加电场极化。专用设备中铂电极、极化晶片、铌酸锂晶体粉料、晶体样品构成紧密接触体，紧密接触体外套有一个刚玉套筒。本发明采用晶体Y方向极化，铌酸锂晶片代替传统的铌酸锂陶瓷板，极化装置和保温装置在极化时固定在一起。用本发明的方法和装置进行极化处理的LN和掺杂LN能更好地实现完全单畴化。
一种铌酸锂晶体极化方法

[发明专利]高稳定电光Q开关铌酸锂晶体及其制备方法-CN200410024017.7无效
发明人：袁多荣;魏学成;尹鑫;程秀凤;吕衍秋;宋建安;郭世义;吕孟凯;许东 -专利权人：山东大学
申请日： 2004-04-14 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：高稳定电光Q开关铌酸锂晶体，属于晶体材料技术领域。原料摩尔比为[Li₂CO₃]/[Nb₂O₅]＝48～58∶42～50，可掺杂钙、钡、锶、锌、铟、铁、钴、铜、锰、铈、镱、铬、钕或铒的氧化物中的一种或几种，在熔融状态下，利用提拉法生长。本发明的铌酸锂晶体所制作的电光Q开关具有良好的温度稳定性，即在环境温度－40℃和50℃的条件下及温度变化情况下，晶体的椭圆度系数、对比度系数及电光系数均不发生明显变化，在－40℃～50℃的温度区间均能实现稳定开关。本发明的方法易于得到大块优质单晶体。
稳定电光开关铌酸锂晶体及其制备方法

[发明专利]一种多块晶体电光Q开关器件-CN200410023702.8无效
发明人：张少军;尹鑫;蒋民华;王青圃;张怀金;王继扬 -专利权人：山东大学
申请日： 2004-02-27 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： H01S3/127 文献下载
摘要：一种多块晶体电光Q开关器件，属于旋光性电光晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明由至少两块La₃Ga₅SiO1₄或掺Nd离子La₃Ga₅SiO₁₄或相关系列晶体材料La₃Ga_5－xAl_xSiO₁₄，Sr₃Ga₂Ge₄O₁₄，Na₂CaGe₆O₁₄，Ca₃Ga₂Ge₄O₁₄，La₃Ga_5.5Nb_0.5O₁₄，La₃Ga_5.5Ta_0.5O₁₄按照一定的设计切型和设计晶轴取向制成的一种晶体电光Q开关器件，用于Ho:YAG脉冲激光器及其它近红外和可见脉冲激光器作电光调Q使用。它解决了现有技术存在的半波电压高，消光比低，电场偏压影响晶体的旋光性，Q开关器件的消光比受晶体生长应力影响大，对晶体质量要求苛刻等缺点。本发明的晶体电光Q开关器件具有半波电压低，消光比高，基本上消除电场偏压对晶体旋光性的影响，使晶体生长应力的影响降低，稳定性好，降低制作成本等优点。
一种晶体电光开关器件

[发明专利]一种晶体电光Q开关器件-CN02110374.7无效
发明人：王继扬;尹鑫;张少军;胡小波;张怀金;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2002-05-20 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01S3/11 文献下载
摘要：本发明是涉及一种晶体电光Q开关器件，属于晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明的主要内容由La₃Ga₅SiO₁₄或掺Nd离子La₃Ga₅SiO₁₄或相关系列晶体材料La₃Ga_5-xAl_xSiO₁₄，Sr₃Ga₂Ge₄O₁₄，Na₂CaGe₆O₁₄，Ca₃Ga₂Ge₄O₁₄，La₃Ga_5.5Nb_0.5O₁₄，La₃Ga_5.5Ta_0.5O₁₄制成的一般形式和带有布儒斯特角的电光Q开关，用于YAG激光器及其他激光器作调Q使用。它解决了现有技术存在的半波电压高，不可调，随温度变化大稳定性差等缺点。本发明具有半波电压低，可调，稳定性好等优点。
一种晶体电光开关器件

[发明专利]碘酸钾晶体的去孪去畴方法-CN91106528.8无效
发明人：尹鑫;吕孟凯 -专利权人：山东大学
申请日： 1991-08-31 - 公布日： 1994-02-16 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明为KIO3晶体的去孪去畴方法，属于晶体的后处理技术领域。KIO3晶体为非线性光学材料，可制作效应较高的光学器件，因其电畴和孪晶较复杂，目前尚无去孪去畴的方法，从而限制了该晶体的应用，本发明方法可使KIO3晶体去孪去畴，为该晶体制作成器件并加以应用提供了优良的材料。
碘酸晶体去孪去畴方法

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