专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于半导体器件的电场强度测量方法-CN202110596719.6有效
  • 尹芳辉;王黎明;刘子琛;杨代铭;梅红伟;曹彬 - 清华大学深圳国际研究生院
  • 2021-05-31 - 2023-08-01 - G01R29/14
  • 本发明公开了基于半导体器件的电场强度测量方法,包括:S1、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择两种不同型号的半导体器件,编号Slow、Shigh,对应的击穿场强Dlow、Dhigh;其中,Slow能被待测位置处的场强击穿,Shigh不能被待测位置处的场强击穿;S2、判断Slow与Shigh之间的击穿场强之差是否小于测量允许误差,若小于,则待测位置处的场强为(Dhigh+Dlow)/2;若不小于,则进入步骤S3;S3、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择击穿场强为半导体器件Slow与Shigh的击穿场强均值的半导体器件Smid,并放置在待测位置处;S4、判断Smid是否被击穿:若被击穿,则将Smid作为更新的半导体器件Slow并返回步骤S2;若未被击穿,则将Smid作为更新的半导体器件Shigh并返回步骤S2。
  • 一种基于半导体器件电场强度测量方法

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