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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电路仿真器中非线性磁芯变压器的实现方法-CN201410108740.7在审
发明人： 尚也淳;徐启迪;陈光前 -专利权人：北京华大九天软件有限公司
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了在电路仿真器中建立非线性磁芯变压器J-A模型的一种方法，它通过在变压器模型中，引入关于磁动势MMF及磁通量Ф的两个磁学节点，并在这两个节点上分别建立J-A模型关于MMF和Ф的磁学方程，以及考虑磁通量变化所引起的磁感应电压ΔV对磁芯电感的影响，可以使得电路仿真器对变压器磁芯的非线性特性进行准确的仿真，正确模拟变压器磁芯的饱和，磁滞效应等非线性行为，从而提高整个电路仿真的精度，减少仿真误差。
电路仿真器中非线性变压器实现方法

[发明专利]一种用于电路快速仿真的二极管内部结点消去方法-CN201210246096.0无效
发明人： 尚也淳;陈志东;陈光前 -专利权人：北京华大九天软件有限公司
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于电路快速仿真的，消去内部结点的二极管模型建模方法，这种方法对二极管的电学方程进行近似求解，从而把包含有寄生电阻的3结点二极管模型等效为消去内部结点的两结点二极管模型。这种方法考虑了当前主流电路仿真器二极管模型的所有物理效应，如大注入效应，隧穿效应和反向击穿特性。从而可在保证电路收敛精度的条件下，减小电路求解矩阵的大小，使得电路矩阵的LU分解时间大为降低，从而可提高电路仿真器的速度。
一种用于电路快速仿真二极管内部结点消去方法

[发明专利]TFT磁滞效应的建模及仿真方法-CN201110451288.0无效
发明人： 尚也淳;胡晋彬;吴大可 -专利权人：北京华大九天软件有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于物理机制的TFT磁滞效应模型及仿真方法。在瞬态分析过程中，认为是器件内部陷阱对电荷的俘获和释放，会造成阈值电压的漂移，从而影响TFT的电特性，形成器件的磁滞现象。这种模型可用于对与界面态陷阱有关和与半导体晶界陷阱有关的磁滞现象进行分析。本发明还提供了一套把这种磁滞效应模型应用于电路仿真器的方法。应用这种模型，能对TFT的磁滞现象进行仿真，仿真结果能够反映当前所测量到的TFT磁滞现象。本发明所提出的模型及其仿真方法具有更广的适用性。
tft 效应建模仿真方法

[发明专利]一种新型的MOSFET NQS模型及电路仿真方法-CN201110451315.4无效
发明人： 尚也淳;程明厚;吴大可 -专利权人：北京华大九天软件有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种新的基于电荷弛豫时间近似的MOSFET NQS模型及电路仿真方法。这种模型通过当前时刻器件电荷的计算平衡值，上一时刻电荷的实际值，以及弛豫时间因子，直接对当前时刻的节点电荷进行求解，其仿真结果和Bsim3 NQS模型完全一致。另外，这种NQS模型考虑了MOSFET所有端本征电荷的作用。和Bsim3 NQS模型相比，这种模型减少了电路仿真所消耗的内存，节约了仿真时间，它使得高频电路的瞬态分析更加精确。这种模型不仅能对强反型的器件进行瞬态仿真，而且还可对处于亚阈区MOSFET的衬底电流和栅电流进行准确分析。
一种新型 mosfet nqs 模型电路仿真方法

[发明专利]集成电路中器件相关噪声的仿真方法-CN201110049106.7有效
发明人： 尚也淳;肖冰峻;吴大可 -专利权人：北京华大九天软件有限公司
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于高频电路仿真的噪声分析方法，它考虑了高频情况下出现的器件噪声源相关性对输出噪声的影响。这种方法是在常规的，只考虑独立噪声源的噪声分析基础上，计算相关噪声源耦合的传输函数，得到各相关噪声源耦合的噪声分析结果，并把这种结果计入最终的输出噪声功率谱密度。这种考虑噪声源相关性的噪声分析方法，是对常规电路噪声分析的改进，不需通过另外建立的相关噪声源子电路模型，因此简洁，仿真时间少。
集成电路器件相关噪声仿真方法

[发明专利]电路仿真中模型计算的检查方法-CN201010200001.2无效
发明人： 尚也淳;吴大可;周振亚 -专利权人：北京华大九天软件有限公司
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种电路仿真中模型计算的检查方法，属于电子设计自动化领域。这种方法对单个晶体管的节点电压进行扫描，分别计算器件模型中各参数与扫描电压的关系，以及所考察参数的解析导数和数值导数。通过检查所计算参数随扫描电压变化的连续性，及它的解析导数与数值导数的一致性，可以发现并改正模型计算中的问题。从而确保在模型中，参数与各偏压关系的连续，光滑，无奇异点，并且可以保证各参数对电压的导数计算正确。这种方法可用于对电路仿真器性能的改进，同时也可用于对电路仿真中出现的不收敛现象进行检查。
电路仿真模型计算检查方法

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