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[发明专利]一种微同轴频变耦合滤波器-CN202310601659.1在审
发明人：李亚峰;李韵;李小军;张燚;李吉斌;封国宝 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01P1/202 文献下载
摘要：本发明涉及一种微同轴频变耦合滤波器，基于微同轴五层工艺方法实现，主要包括金属内导体、金属外导体、介质支撑和射频接口。N阶微同轴频变耦合滤波器的内导体包含N个L形状的谐振器、N‑1个主耦合、两个输入输出射频接口；谐振器的短路端与外导体接，谐振器的开路端通过介质支撑悬置外导体内部的空腔内。主耦合至少具有一个频变耦合结构，包括电耦合和磁耦合；磁耦合大小由连接相邻谐振器的耦合线距离短路端距离来控制；电耦合大小由相邻谐振器开路端之间的间隙距离来控制。通过调整电耦合和磁耦合大小可以得到主耦合系数的大小、极性和耦合系数的斜率，从而获得带外传输零点，在降低滤波器阶数的同时提高频率选择性和阻带特性。
一种同轴耦合滤波器

[发明专利]一种基于石墨烯转移的电子轰击诱发释气抑制方法-CN202310628627.0在审
发明人： 封国宝;李韵;李小军;宋新刚;李琪;苗光辉;李亚峰 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种基于石墨烯转移的电子轰击诱发释气抑制方法，首先，对一致性较好、缺陷少的铜基石墨烯样品采用PMMA(聚甲基丙稀酸甲酯)旋涂的方式制备石墨烯柔性聚合物载体，通过对石墨烯附着在载体上的质量进行表征，优化PMMA旋涂工艺；然后采用氯化铁溶液对铜基进行刻蚀以获得只含有石墨烯的柔性载体；在经过转移目标微波材料的表面活化后，通过旋转并加热的辅助方式对石墨烯进行转移，以获得质量较好的石墨烯修饰微波材料表面；最后，通过XRD和拉曼光谱测量表征转移石墨烯质量后，在电子轰击诱发释气的测试设备中获得表面修饰对释气的改善情况。
一种基于石墨转移电子轰击诱发抑制方法

[发明专利]一种抑制星载微波部件微放电效应的薄膜及沉积工艺-CN202310639832.7在审
发明人：苗光辉;白春江;王婷婷;何鋆;封国宝;王琪;杨晶 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种抑制星载微波部件微放电效应的薄膜及沉积工艺，包括在星载微波部件表面先后以原子层沉积方式制备目标厚度的氮化钛薄膜和无定形碳薄膜，所述氮化钛薄膜的目标厚度为15～20nm；所述无定形碳薄膜的目标厚度为5～8nm。在星载微波部件表面先后沉积氮化钛薄膜和无定形碳薄膜，能够实现微波部件表面微放电效应的抑制，并具有强的膜基结合力、良好的表面抗氧化性、复杂微波部件表面保形性和优异的电学特性。
一种抑制微波部件放电效应薄膜沉积工艺

[发明专利]一种TM模介质谐振机构-CN202310600072.9在审
发明人：李亚峰;李韵;李小军;张梓杰;李世康;封国宝 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01P7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种TM模介质谐振机构，包括：谐振腔体、上盖板、弹性盖板、TEM金属谐振柱、TM介质谐振器和紧固螺钉。所述谐振腔体为方腔结构，谐振腔体底部具有TEM金属谐振柱；该TEM金属谐振柱顶部设有限位坑，谐振腔体内设有TM介质谐振器，TM介质谐振器外直径与所述限位坑直径相同；该TM介质谐振器位于TEM金属谐振柱限位坑与弹性盖板之间；上盖板通过紧固螺钉固定在谐振腔体的顶部，使谐振腔形成电磁密闭的环境；TM介质谐振器的底面和顶端均进行被银处理。在保持介质谐振器和高度和内外直径尺寸不变的情况下，通过设计金属台阶的外部直径D1来改变谐振器和滤波器的工作频率，使滤波器满足设计指标性能。
一种 tm 介质谐振机构

[发明专利]一种表面微凸起大功率铁氧体环行器设计方法-CN202211599915.X在审
发明人：李韵;封国宝;刘硕;李亚峰;李小军 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01P1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面微凸起大功率铁氧体环行器设计方法，包括：加工得到具有凸台的金属腔体；在铁氧体基片表面上加工出若干个凸起，得到具有凸起的铁氧体；将具有凸起的铁氧体固定在金属腔体的凸台上。本发明所述的方法在保证电性能不变与不额外增加微波部件体积、重量的前提下，实现了铁氧体环行器微放电阈值功率的显著提高。
一种表面凸起大功率铁氧体环行器设计方法

[发明专利]一种微同轴3D打印超宽带毫米波天线-CN202211599198.0在审
发明人：刘硕;李韵;李小军;葛锦蔓;封国宝;李秋浓 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种微同轴3D打印超宽带毫米波天线，包括：背腔体、异形贴片，寄生贴片、U形缝隙、微同轴传输线和测试导体，其中，微同轴传输线的一端与背腔体连接，另一端与导体连接；异形贴片左右对称置于背腔体的Y方向中轴线处，所采用的异形贴片，寄生贴片、U形缝隙的结构用于提高天线带宽以及降低天线的横向尺寸的作用；导体用于连接天线与测试波导。本发明能够有效提高天线带以及降低天线的横向尺寸。
一种同轴打印宽带毫米波天线

[发明专利]一种介质二次电子发射产额的测量方法-CN201911378479.1有效
发明人： 封国宝;王琪;杨晶;苗光辉;谢桂柏;何鋆;崔万照 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明公开了一种介质二次电子发射产额的测量方法，包括：将金属导电栅网覆盖在待测介质的表面；将入射电子照射到金属导电栅网范围内，测量得到入射电流和样品电流；根据入射电流和样品电流，解算得到测量得到的总体二次电子产额；获取金属导电栅网在待测介质的表面上的覆盖比例、金属导电栅网对下层待测介质表面出射电子的遮挡系数，以及金属导电栅网自身的二次电子产额；解算得到待测介质表面出射的二次电子产额；解算得到待测介质的本征二次电子产额。本发明无需高精度的中和手段，可通用于普通金属二次电子产额测试设备，测量结果准确且不受样品厚度限制，能较好适应于低能端。
一种介质二次电子发射测量方法

[发明专利]一种原位监测辐照放电表面成键态断层剖面的方法-CN202211177005.2在审
发明人： 封国宝;李韵;李小军;杨晶;苗光辉;李亚峰;张恒 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01N23/2273 文献下载
摘要：一种原位监测辐照放电表面成键态断层剖面的方法，在设定的真空度环境下，包括：将样品底部连接示波器，判定不同能量电子辐照下样品表面是否发生放电，确定电子辐照门限值；采用原位Ar+离子刻蚀的方法对样品表面的断层剖面进行刻蚀，并标定刻蚀速率；选择辐照条件超过电子辐照门限值，对样品进行辐照；然后对样品表面进行逐步刻蚀，采用XPS获得不同刻蚀深度剖面的表面结合能谱。本发明所提出的原位成键态剖面的测试方法，极大的突破了电子辐照放电后原位表征的限制，能获得前所未有的测试结果。
一种原位监测辐照放电表面成键态断层剖面方法

[发明专利]一种确定随机点阵二次电子发射系数的方法-CN202211203577.3在审
发明人：李韵;李小军;封国宝;李斌;苗光辉;高妍 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种确定随机点阵二次电子发射系数的方法，包括：建立点阵空间结构三维位置模型；确定标准入射电子集；计算得到初始入射能量为E0、初始入射角度为θ0的N个入射电子入射到点阵空间结构三维位置模型时产生的二次电子的数量；计算得到点阵空间结构三维位置模型在初始入射能量为E0、初始入射角度为θ0时的二次电子发射系数；获取实验得到的二次电子发射系数实验值，并确定修正系数；改变入射电子的初始入射能量和初始入射角度，计算得到点阵空间结构三维位置模型在不同初始入射能量Ek、不同初始入射角度θk时的二次电子发射系数并进行修正后输出。本发明实现了3D打印随机点阵二次电子发射系数的确定，具有物理结构稳定、与器件结合度优异的优势。
一种确定随机点阵二次电子发射系数方法

[发明专利]一种基于石英材料的双模介质滤波器-CN202211188643.4在审
发明人：苗光辉;崔万照;何鋆;李韵;封国宝;高玉龙;王君峰 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01P1/207 文献下载
摘要：一种基于石英材料的双模介质滤波器，具有单模工作带宽很宽，横跨整个X频段，Q值高等特点，利用TE11模实现单腔双模，侧壁耦合介质单窗实现M23与M14的耦合。该介质谐振器的介电常数为3.8±0.1，正切损耗角为0.0002。设计圆柱形谐振器，该形状的谐振器谐振频率为11.82GHz、单模工作带宽大于4GHZ、Q值大于10000。设计的滤波器通带为11.78GHz～11.82GHz，通带内最大插损小于0.5dB，回波损耗大于17dB，体积为同指标金属滤波器的35％，具有高Q值、低插损、小型化和高隔离等优点，在通信、卫星和导航等领域有广泛的应用前景。
一种基于石英材料双模介质滤波器

[发明专利]一种微波载荷低气压放电空间电位的轻量化确定方法-CN202210910141.1在审
发明人： 封国宝;李韵;李小军;李军;李琪;苗光辉;李亚峰 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01R29/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种微波载荷低气压放电空间电位的轻量化确定方法：定义任一空间直角坐标系作为放电空间坐标系，获得微波载荷低气压放电空间的电荷分布；考虑空间电荷位置在电场和磁场推进下的动态变化，解算瞬时变化后微波载荷低气压放电空间的空间电荷分布；将瞬时变化后微波载荷低气压放电空间的所有电荷进行三维线性单元网格化归，得到空间网格电荷分布；采用高斯定理获得每一个网格点上元电荷的空间电位形式，将单元网格划归的空间网格电荷分布与空间元电荷的电位数据进行对应乘积叠加，获得所有电荷合成后的空间电位；对放电空间坐标系三个坐标轴方向的电位差分，获得空间电荷场分布。
一种微波载荷气压放电空间电位量化确定方法

[发明专利]一种频变交叉耦合同轴滤波器及其设计方法-CN202210910138.X在审
发明人：李亚峰;李韵;李小军;张梓杰;许飞;刘江涛;封国宝 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01P1/202 文献下载
摘要：本发明提供了一种频变交叉耦合同轴滤波器，包括N个双枝节谐振器，双枝节谐振器包括谐振杆和安装于谐振杆顶部的加载盘，谐振杆的底部为短路面，垂直安装在滤波器腔体内壁上，加载盘本体上设置有两个加载盘枝节；第i个双枝节谐振器与第i+1个双枝节谐振器邻接，i＝1、2...N‑1，每个双枝节谐振器与其邻接的双枝节谐振器之间形成主耦合；非邻接的双枝节谐振器之间形成至少一个频变交叉耦合单元，频变交叉耦合单元包括两个非邻接的双枝节谐振器，此两个双枝节谐振器之间形成交叉耦合，同时此两个双枝节谐振器的谐振杆通过连接筋连接形成电耦合，此两个双枝节谐振器相邻的加载盘枝节之间形成磁耦合。本发明在不提高滤波器阶数的条件下提升了滤波器的频率选择性。
一种交叉耦合同轴滤波器及其设计方法

[发明专利]一种基于可控碳纳米镀层的介质表面二次电子发射系数抑制方法-CN202011024329.3有效
发明人：谢贵柏;李小军;李韵;李琪;封国宝;杨晶;王琪 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于可控碳纳米镀层的介质表面二次电子发射系数抑制方法，属于介质表面二次电子发射系数抑制技术领域。本发明实现了多约束条件下基于可控碳纳米镀层的介质表面二次电子发射抑制方法，通过在金属基片表面原子层沉积可控的碳纳米薄膜，实现表面的二次电子发射系数的降低，二次电子发射系数降低幅度超过60％，在解决介质微波部件微放电效应及粒子加速器的电子云方面有较好的应用前景。
一种基于可控纳米镀层介质表面二次电子发射系数抑制方法

[发明专利]一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法-CN202010495917.9有效
发明人：何鋆;王琪;封国宝;杨晶;苗光辉;白春江;崔万照 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C23C14/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，属于真空电子学二次电子发射抑制技术领域，尤其涉及一种利用薄膜降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，所述的高能区是指入射到银表面电子的能量范围为250‑3000ev。采用NPB材料为薄膜材料，有效降低了银表面高能区的二次电子发射系数。可在银表面大面积制备NPB薄膜，降低了薄膜制备成本。本发明提出的方法对银基底没有温度等特殊要求，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
一种降低表面高能二次电子发射系数方法

[发明专利]一种基于第一性原理的二次电子产额的计算方法-CN202110564970.4在审
发明人： 封国宝;李小军;李琪;李韵;王琪;杨晶;苗光辉 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于第一性原理的二次电子产额的计算方法，通过第一性原理的计算获取材料的能量损失函数和表面功函数，然后使用蒙特卡罗的模拟方法根据所述能量损失函数和表面功函数对材料内每个电子的每次散射碰撞过程进行跟踪，通过统计所有出射电子便可以获得材料的二次电子产额。本发明对二次电子的计算不过不再需要对实验数据的依赖，而材料相关的参数如果通过实验获得成本高昂，本发明打破了这种对瓶颈，同时并不采用实验测量二次电子发射系数的反推式拟合方法，具有很好的通用型和推广价值。
一种基于第一性原理二次电子计算方法

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