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[发明专利]半导体发光元件的制造方法-CN201880077036.6有效
发明人：山本稔;井上直人;为本广昭;堀田芳敬;大竹秀幸 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明的半导体发光元件的制造方法包含：准备基板(5)上设置有半导体结构的晶片的工序；以及在晶片的基板(5)内的厚度方向上的规定的深度，按规定的间隔距离以第一时间间隔(INT1)脉冲状多次照射激光的工序。在照射激光的工序中，以第一时间间隔(INT1)进行的各激光照射包含：向基板(5)内的厚度方向上的第一聚光位置照射具有第一脉冲能量的第一激光脉冲(LP1)的工序；以及在第一激光脉冲(LP1)的照射后，以比第一时间间隔(INT1)短的3ps～900ps的第二时间间隔(INT2)照射第二激光脉冲(LP2)的工序，其中第二激光脉冲的第二脉冲能量相对于上述第一脉冲能量的强度比设为0.5～1.5。
半导体发光元件制造方法

[发明专利]抗棘阿米巴接触镜用溶剂-CN201780011787.3有效
发明人： 大竹秀幸;柳川芳德;绳濑宽之 -专利权人：株式会社实瞳
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： A61L12/14 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供虽具有抗棘阿米巴作用、但对眼组织的影响小而具有安全性、并且能够适用于广范围的接触镜的具有通用性的接触镜用溶剂。上述目的可利用含有平均分子量为150000～1600000并且在分子内具有二烯丙基二甲基氯化铵单元的阳离子性聚合物和无机盐的抗棘阿米巴接触镜用溶剂来解决。
阿米巴接触溶剂

[发明专利]膜厚度测量装置和膜厚度测量方法-CN201510564718.8有效
发明人：高柳顺;大竹秀幸;相京秀幸;藤沢泰成;锅岛淳男 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： G01B15/02 文献下载
摘要：提供一种膜厚度测量装置和方法，膜厚度测量装置包括：太赫兹波发生器(19)；棱镜(21)，该棱镜具有入射面(69)、邻接面(70)和出射面(71)，该邻接面(70)能够与包括第一膜(31a)的样品(3)的形成有第一膜(31a)的一侧上的表面邻接；太赫兹波检测器(23)，该太赫兹波检测器(23)检测从棱镜(21)的出射面(71)出射的、样品(3)的反射波的S‑偏振分量和P‑偏振分量；以及控制部(6)，该控制部(6)构造成基于反射波的S‑偏振分量的时间波形与反射波的P‑偏振分量的时间波形之间的差来确定形成在样品(3)中的第一膜(31a)的厚度。
厚度测量装置测量方法

[发明专利]多层陶瓷的膜厚测定方法-CN201310455351.7无效
发明人： 大竹秀幸;高柳顺 -专利权人：爱信精机株式会社
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明提供一种膜厚测定方法，能够以非接触且无破坏地测定多层陶瓷所包含的各层的膜厚。检查装置（1）具备：光学装置（2），向具有多层陶瓷的试样（3）照射太赫兹波，并且检测反射波；锁定放大器（4），对反射波的检测信号进行同步放大；以及控制装置（5），对光学装置（2）进行控制。若向试样（3）射入太赫兹波，则在多层陶瓷的各个边界面上产生反射。结果，在试样（3）上反射的太赫兹波的时间波形中，各边界面上的反射波作为峰值而出现。该时间波形中的峰值间的时间差反映膜厚，因此根据这些峰值间的时间差来运算膜厚。
多层陶瓷测定方法

[发明专利]涂装膜的检查装置及检查方法-CN201180010990.1有效
发明人： 大竹秀幸;上原让;高柳顺 -专利权人：爱信精机株式会社
申请日： 2011-02-21 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本发明涉及涂装膜的检查装置及检查方法。涂装膜的检查装置具有：发生太赫兹波的太赫兹波发生器；将所述太赫兹波向形成有膜的试料照射的照射光学系统；对在所述试料被反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测器；控制部，其将检测出的太赫兹波的电场强度表示成时间轴的波形数据，从波形数据检测多个波峰，并基于波峰间的时间差算出膜厚。
涂装膜检查装置方法

[发明专利]太赫兹波产生装置以及太赫兹波产生方法-CN200980133581.3有效
发明人： 大竹秀幸;上原让;田中耕一郎;永井正也 -专利权人：爱信精机株式会社
申请日： 2009-08-24 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： G02F1/39 文献下载
摘要：本发明的太赫兹波产生装置具有：产生单一重复频率的超短脉冲激光的超短脉冲激光源(3)、和分别传送超短脉冲激光源(3)产生的超短脉冲激光并向LN晶体(15)射出的光纤F1-F5。光纤F1-F5中传送路的射出部(13)并列设置成使由上述射出部(13)分别射出的超短脉冲激光L依次错开照射在LN晶体(15)中的太赫兹波的传播线A上。此时，光纤F1-F5的传送路的光路长度随着靠近射出部(13)的并列方向一侧越变长。
赫兹产生装置以及方法