专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法和含硅氧化物被覆氮化铝粒子-CN201980055075.0有效
  • 大冢雄树;冈本英俊;御法川直树 - 昭和电工株式会社
  • 2019-08-23 - 2022-04-12 - C01B21/072
  • 本发明提供能制造维持氮化铝粒子的高导热性、且耐湿性提高的含硅氧化物被覆氮化铝粒子的含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法、含有含硅氧化物被覆氮化铝粒子的散热性树脂组合物的制造方法和含硅氧化物被覆氮化铝粒子。一种含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法,所述含硅氧化物被覆氮化铝粒子具有氮化铝粒子和覆盖所述氮化铝粒子表面的含硅氧化物被膜,所述制造方法具有:通过包含特定结构的有机硅氧烷化合物覆盖所述氮化铝粒子表面的第1步骤,以及在300℃以上且小于1000℃的温度下加热被所述有机硅氧烷化合物覆盖的所述氮化铝粒子的第2步骤;其中、所述含硅氧化物被覆氮化铝粒子的碳原子含量为小于1000质量ppm。
  • 氧化物被覆氮化粒子制造方法
  • [发明专利]被覆二氧化硅的氮化硼粒子的制造方法、被覆二氧化硅的氮化硼粒子-CN202080016869.9在审
  • 御法川直树;小林郁惠;大冢雄树 - 昭和电工株式会社
  • 2020-07-09 - 2021-10-12 - C08K9/10
  • 本发明的课题在于提供被覆二氧化硅的氮化硼粒子的制造方法、含有被覆二氧化硅的氮化硼粒子的散热性树脂组合物的制造方法及被覆二氧化硅的氮化硼粒子,该被覆二氧化硅的氮化硼粒子的制造方法可制造能维持氮化硼粒子的高热传导性且耐湿性、接合性提高了的被覆二氧化硅的氮化硼粒子。本发明为一种具备氮化硼粒子与覆盖氮化硼粒子的表面的二氧化硅被膜的被覆二氧化硅的氮化硼粒子的制造方法,通过由包含特定结构的有机硅氧烷化合物覆盖氮化硼粒子的表面的第1步骤,与将被有机硅氧烷化合物覆盖的氮化硼粒子在500℃以上且1000℃以下的温度下加热的第2步骤,可得到被覆结实·均匀·超薄膜的二氧化硅层的氮化硼粒子。
  • 被覆二氧化硅氮化粒子制造方法
  • [发明专利]固化性散热组合物-CN201280023426.8有效
  • 内田博;大冢雄树;小堤利彦 - 昭和电工株式会社
  • 2012-05-15 - 2014-02-05 - C08G59/42
  • 本发明涉及一种固化性散热组合物,其含有:(A)使(a)多异氰酸酯化合物、(b)聚碳酸酯二醇化合物、(c)具有羧基的二羟基化合物反应而得的具有羧基的聚氨酯树脂;(B)环氧树脂;和(C)无机填料(其中,不包括硫酸钡和氧化钛),无机填料(C)的含有率为50~96质量%。作为无机填料(C),优选并用扁平状的氮化硼与粒子状的氧化铝、氮化铝或氮化硼。本发明的固化性散热树脂组合物兼具高热导率和柔软性、相对于金属的良好的粘接性,在包含功率半导体、光半导体的半导体元件、半导体装置、电路用金属板、由上述金属板形成的电路、电路基板、混合集成电路领域等中极其有用。
  • 固化散热组合

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