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- [发明专利]高电位侧驱动电路-CN201911119278.X有效
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外园和也;王东;福留淳
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三菱电机株式会社
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2019-11-15
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2023-09-26
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H03K17/0812
- 本发明的目的在于减小高电位侧驱动电路的芯片面积。本发明的高电位侧驱动电路将第1电位作为电源电位，该高电位侧驱动电路具备：恒压电路，其将第2电位作为基准电位而进行动作，根据第1电位生成比第1电位低且比第2电位高的第3电位；逻辑电路，其将第3电位作为基准电位而进行动作；电平移位电路，其接收逻辑电路的输出信号，将输出信号的基准电位从第3电位移位为第2电位；以及驱动电路，其将通过电平移位电路移位后的第2电位作为基准电位，通过逻辑电路的输出信号对开关元件进行驱动。
- 电位驱动电路
- [发明专利]半导体器件驱动电路-CN202111507624.9在审
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福留淳;外园和也;羽野光隆
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三菱电机株式会社
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2021-12-10
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2022-06-17
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H03K17/16
- 本发明的目的在于提供稳定地防止与dV/dt施加相伴的误动作的半导体器件驱动电路。半导体器件驱动电路(HVIC1)具有：脉冲传送电路(7a、7b)，其基于电平移位接通脉冲信号(HONm)、电平移位断开脉冲信号(HOFFm)对接通脉冲传送信号(HON)、断开脉冲传送信号(HOFF)进行输出；dV/dt检测电路(9)，其基于信号(HONm、HOFFm)对dV/dt期间进行检测；逻辑滤波电路(4)，其在同时被输入了信号(HON、HOFF)的情况下不使输出(S_H、R_H)变化；以及锁存电路(5)，其输出与逻辑滤波电路(4)的输出同步的信号(Q_H)。脉冲传送电路(7a)具有在dV/dt期间使信号(HON、HOFF)的信号电平降低的阻抗调整部(8a、8b)。
- 半导体器件驱动电路
- [发明专利]半导体器件驱动电路-CN201580085300.7有效
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外园和也;山本晃央;王东
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三菱电机株式会社
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2015-12-18
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2021-11-12
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H03K17/08
- 半导体器件驱动电路具有：阈值调整电路，其输出阈值；不饱和电压检测电路，其在半导体开关元件的第1电极与第2电极之间的电压是不饱和电压的情况下，取得以预先确定的增加率增加的检测电压，且对上述检测电压是否比上述阈值高进行判定；以及驱动电路，其基于输入信号生成上述半导体开关元件的驱动信号，且在通过上述不饱和电压检测电路判定为上述检测电压比上述阈值高的情况下，将上述驱动信号维持为切断。上述阈值调整电路能够在第1电压与比上述第1电压低的第2电压之间对上述阈值进行切换，在上述半导体开关元件是断开状态的情况下将上述第1电压作为上述阈值输出，在上述半导体开关元件接通，上述第1电极与上述第2电极之间的电压是饱和电压的情况下，将上述第2电压作为上述阈值输出。
- 半导体器件驱动电路
- [发明专利]半导体器件驱动电路及逆变器装置-CN201580083994.0有效
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外园和也;山本晃央;王东
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三菱电机株式会社
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2015-10-19
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2020-12-18
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H02M7/537
- 半导体器件驱动电路对半导体开关元件进行驱动，该半导体开关元件具备第1电极、第2电极、以及对所述第1电极及第2电极的电连接进行控制的控制电极。所述半导体器件驱动电路具备：输入端子，其接收输入信号；电平移位部，其将所述输入信号的电压电平进行移位，输出应向所述控制电极赋予的驱动信号；第1电阻，其根据施加于所述第1电极的第1电压生成第1电流；第2电阻，其根据施加于所述第2电极的第2电压生成第2电流；以及电压差判定部，其在所述第1电流和所述第2电流的差大于或等于预先设定的不饱和判定值时，发出检测信号。所述半导体器件驱动电路构成为，所述电平移位部、所述第1电阻、所述第2电阻及所述电压差判定部设置于1个集成电路芯片。
- 半导体器件驱动电路逆变器装置
- [发明专利]电平移位电路、集成电路及功率半导体模块-CN201480084149.0有效
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外园和也;山本晃央;王东
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三菱电机株式会社
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2014-12-17
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2020-11-03
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H03K19/0185
- 初级侧电路(2a)对应于输入信号(IN)而输出第1基准电位(GND)下的第1信号。电平移位主电路(3)通过将从初级侧电路(2a)接收到的第1信号的基准电位(GND)向第2基准电位(VS)变换，从而输出第2基准电位(VS)下的第2信号。次级侧电路(4a)通过使用第2信号而生成第2基准电位(VS)下的输出信号(OUT)。至少1个整流性元件电路(23)设置在初级侧电路(2a)和次级侧电路(4a)之间。初级侧电路(2a)及次级侧电路(4a)的至少任一者具有至少1个检测电路(24、25)，该至少1个检测电路(24、25)通过对在整流性元件电路(23)流动的电流的变化进行检测，从而对与第2基准电位(VS)相对应的电位(VE2)是否小于或等于与第1基准电位(GND)相对应的电位(VE1)进行检测。
- 电平移位电路集成电路功率半导体模块
- [发明专利]半导体器件驱动电路-CN201580085115.8有效
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外园和也;山本晃央;王东
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三菱电机株式会社
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2015-12-10
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2020-05-08
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H02M1/08
- 半导体器件驱动电路具备：信号传送电路，其包含将具有第1电压电平的输入信号进行电平移位的第1电平移位电路，信号传送电路基于所述输入信号生成具有比所述第1电压电平高的第2电压电平的驱动信号；以及不饱和电压检测电路，其在检测出由所述驱动信号驱动的半导体开关元件的不饱和电压的情况下，将具有所述第1电压电平的第1错误信号输出。半导体器件驱动电路通过将所述第1错误信号或变换信号进行电平移位，从而生成具有所述第2电压电平的第2错误信号，该变换信号为将所述第1错误信号变换为脉冲信号后的信号。半导体器件驱动电路还具备软切断电路，该软切断电路如果被输入了所述第2错误信号，则变更所述半导体开关元件的驱动信号，以使得所述半导体开关元件进行软切断。
- 半导体器件驱动电路
- [发明专利]半导体装置及半导体芯片-CN201480081664.3有效
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外园和也;山本晃央;王东
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三菱电机株式会社
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2014-09-01
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2019-12-20
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H01L21/02
- 半导体装置(301、303)使用了半导体芯片组之中的至少1个。半导体装置具有半导体芯片组所包含的一个半导体芯片(201、202)和封装件(401)。一个半导体芯片具有记录有第1识别信息的信息记录区域(250)，该第1识别信息表示半导体芯片组之中的一个半导体芯片以第1分类为基准属于哪个组。信息记录区域具有与第1识别信息相对应地选择性地熔断后的多个熔断器。在封装件显示有第2识别信息，该第2识别信息表示半导体芯片组之中的一个半导体芯片以第2分类为基准属于哪个组。通过将第1及第2识别信息相互组合，从而能够从半导体芯片组确定一个半导体芯片。
- 半导体装置芯片特性信息管理方法
- [发明专利]半导体元件的驱动电路以及半导体装置-CN201380078319.X有效
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外园和也;山本晃央;王东
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三菱电机株式会社
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2013-07-16
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2018-05-04
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H02M1/08
- 初级侧电路将基准电位(GND)作为基准而生成与输入信号的上升沿同步的第1导通脉冲和与输入信号的下降沿同步的第1截止脉冲。电平移位电路将基准电位(VS)作为基准而生成使第1导通脉冲的电压电平进行移位而得到的第2导通脉冲和使第1截止脉冲的电压电平进行移位而得到的第2截止脉冲。次级侧电路将与第2导通脉冲同步地上升且与第2截止脉冲同步地下降的输出脉冲作为半导体元件的驱动信号而进行输出，在第2导通脉冲和第2截止脉冲双方为高电平时对输出进行保持。在基准电位(VS)的上升时，再次产生第1导通脉冲和第1截止脉冲中的、与第2基准电位的上升时的输入信号的状态相对应的脉冲，在第2基准电位的上升结束后，通过使第2导通脉冲或第2截止脉冲中的任意者成为高电平，从而再次对输入信号的状态进行传递。
- 半导体元件驱动电路以及装置
- [发明专利]驱动电路、半导体装置-CN201580081184.1在审
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外园和也;山本晃央;王东
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三菱电机株式会社
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2015-06-22
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2018-02-16
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H03K17/12
- 具备1个恒压电路，其生成第1电压和第2电压；第1、第2输出电路，其被输入该第1电压及该第2电压，被输入栅极驱动信号；第1端子，其与该第1输出电路的输出连接；以及第2端子，其与该第2输出电路的输出连接，该第1输出电路在该栅极驱动信号上升时对该第1端子施加该第1电压，之后提高该栅极驱动信号的电压而施加于该第1端子，在该栅极驱动信号下降时对该第1端子施加该第2电压，该第2输出电路在该栅极驱动信号上升时对该第2端子施加该第1电压，之后提高该栅极驱动信号的电压而施加于该第2端子，在该栅极驱动信号下降时对该第2端子施加该第2电压。
- 驱动电路半导体装置
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