专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]改善NBTI效应的方法-CN202210900163.X在审
  • 土瑞香 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-07-28 - 2022-11-08 - H01L21/336
  • 本发明提供一种改善NBTI效应的方法,提供衬底,衬底通过离子注入形成有P阱和N阱以及掺杂漏,在衬底上形成有叠层,叠层及其下方的衬底上形成有凹槽;通过淀积、研磨形成填充凹槽,且覆盖叠层的氧化层;在氧化层上形成一应力膜层;利用紫外光照射应力膜层,使得氮化硅层中的氢离子减少;重复在原应力膜层上淀积新的应力膜层并利用紫外光照射新生成的应力膜层,使多层应力膜层达到所需厚度。本发明在有源区STI氧化物淀积工艺后增加一个氮化硅薄膜沉积,由于氮化硅工艺在氮化硅沉积后会有一道紫外光照射的复合工艺减少氮化硅薄膜中的氢含量,尤其引起硼离子损失得到减轻,因而减少对PMOS的副作用,从而达到有效缓解NBTI机制,延长NBTI寿命。
  • 改善nbti效应方法

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