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[实用新型]一种基于高压半导体开关的多级串联封装结构-CN202321338665.4有效
发明人：聂强;高彬;任成贤;黄贤忠 -专利权人： 四川两用技术有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于高压半导体开关的多级串联封装结构，涉及高压半导体开关技术领域，包括：容腔件，容腔件两侧分别匹配设有盖板；容腔件内设有若干密封电极，若干密封电极分别电性连接高压半导体开关，相邻高压半导体开关之间通过连接电极电性连接，且最外侧密封电极的端子延伸至盖板一侧外。有益效果：通过将高压半导体开关多级串联嵌于容腔件内部，并呈柱形排列，并在柱形排列的基础上，在容腔件侧面嵌入触发信号耦合导管，不仅体积小、重量轻、电气性能佳，而且解决了开关触发信号耦合同步一致性和电气隔离的难题，使得高压半导体开关在实现较小体积多级串联的同时，解决了触发信号耦合的问题。
一种基于高压半导体开关多级串联封装结构

[实用新型]一种基于高压半导体开关的纳秒级前沿方波脉冲源-CN202321338651.2有效
发明人：高彬;任成贤;聂强;黄贤忠;杨娇 -专利权人： 四川两用技术有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03K17/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于高压半导体开关的纳秒级前沿方波脉冲源，涉及脉冲功率技术领域，包括：信号源控制器、高压电源模块、等效电容模块、激光光源和高压半导体开关，所述高压电源模块和所述激光光源分别与所述信号源控制器光隔离传输连接，所述激光光源与所述高压半导体开关光隔离传输连接，所述高压电源模块和所述高压半导体开关分别与所述等效电容模块电性连接，且所述等效电容模块连接至负载。有益效果：通过将高压半导体开关代替常规固态开关，相较于常规的固态开关，基于高压半导体开关的纳秒级前沿方波脉冲源具有结构紧凑、耐压高、di/dt大、抗干扰能力强等优点，特别适合在恶劣环境中工作。
一种基于高压半导体开关纳秒级前沿方波脉冲

[实用新型]一种小型大功率充油式可监测幅值的高压脉冲变压器-CN202222984382.9有效
发明人：任成贤;高彬;聂强;黄贤忠 -专利权人： 四川两用技术有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01F27/29 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小型大功率充油式可监测幅值的高压脉冲变压器，包括密封箱体，所述密封箱体的内部设置有骨架，所述骨架包括内骨架和外骨架，所述内骨架上绕制有次级绕组，所述外骨架上绕制有初级绕组，所述密封箱体上分别开设有第一接口、第二接口和第三接口，所述第一接口和第二接口上均设置有第一密封法兰盘，所述第三接口上设置有第二密封法兰盘，所述密封箱体上设置有固定插座，所述固定插座上安装有分压器，所述第二密封法兰盘上安装有高压输出接头和电压幅值检测接头。本实用新型集成了高压输出接头和电压幅值检测接头，既降低了成本，又实现了变压器与其他设备快接，充分利用空间，大幅度缩小了体积，并且实现了高度集成化。
一种小型大功率充油式可监测高压脉冲变压器

[实用新型]一种电压可调半导体开关驱动电路-CN202221704181.2有效
发明人：王浩;任成贤;黄曹斌 -专利权人： 四川两用技术有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H02M7/155 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电压可调半导体开关驱动电路，属于电力电子领域，其包括光电耦合单元、电压变换单元、电信号触发单元、光耦隔离单元、栅极驱动单元以及电源变换单元；所述光电耦合单元用于输入电路与输出电路的绝缘；所述电压变换单元用于将输入负信号变换为正信号；所述光耦隔离单元用于隔离前后连接的电路，用于隔离信号；所述栅极驱动单元用于提高电压和电流来放大控制信号。大电流输出可以提供和吸收的峰值电流可达30A，同时产生小于25ns的上升沿时间和下降沿时间，输入与CMOS兼容，几乎不受阻塞影响，使该驱动匹配高频和高功率应用环境。
一种电压可调半导体开关驱动电路

[实用新型]一种高压隔离DCDC电源-CN202222800919.1有效
发明人：王浩;高彬;任成贤 -专利权人： 四川两用技术有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压隔离DCDC电源，包括控制电路单元、推挽电路单元、电压变换及隔离单元和电压整流及稳压单元，所述控制电路单元的输出端连接推挽电路单元，推挽电路单元的输出端连接电压变换及隔离单元，电压变换及隔离单元的输出端和电压整流及稳压单元连接。本高压隔离DCDC电源，控制电路单元由PWM芯片UCC3808A‑1及外围元器件组成。推挽电路单元用于产生符合要求的交变电压。电压变换及隔离单元电压变换，隔离前后级。电压整流及稳压单元把交变电压转换为稳定的直流电压。DC‑DC隔离电源隔离电压可达20kV，该DC‑DC隔离电源可输出±15V和+5V电压。
一种高压隔离 dcdc 电源

[发明专利]一种5KV高压mosfet开关-CN202211305142.X在审
发明人：王浩;高彬;任成贤 -专利权人： 四川两用技术有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01M10/613 文献下载
摘要：本发明公开了一种5KV高压mosfet开关，涉及电力电子技术领域，包括主体，所述主体的内部设置有电池组，所述主体的底部固定连接有冷却组件，所述冷却组件包括冷却板，所述冷却板的顶部设置有第一进口，所述冷却板的顶部设置有第二进口，所述主体的一侧固定连接有通道组件，所述通道组件包括固定板，所述固定板固定在主体的一侧，所述固定板的底部设置有第一通道，所述通道组件的一侧固定连接有安装机构。本发明隔离变换单元固定连接在电路板的一侧，光电耦合单元固定在隔离变换单元的一侧，隔离变换单元和光电耦合单元能够通过高压高速光耦隔离前后级信号，使得该固态开关最高电压五千伏，让该光耦隔离电压远远大于五千伏。
一种 kv 高压 mosfet 开关

[实用新型]一种充气式空芯高压脉冲变压器-CN202222609956.4有效
发明人：聂强;高彬;黄贤忠;任成贤 -专利权人： 四川两用技术有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01F27/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种充气式空芯高压脉冲变压器，包括外壳，所述外壳的顶部设置有盖板，所述外壳的内部设置有初级骨架，所述初级骨架上设置有初级，所述初级骨架的下方设置有次级骨架，所述次级骨架上设置有次级，所述初级骨架和次级骨架之间嵌入有密封圈，所述外壳的内部设置有磁芯固定组件，所述初级骨架的顶部设置有次级高压输出端口，所述次级高压输出端口上连接有次级高压端输出连接件，所述初级骨架的底部设置有次级低压输出端口，所述次级低压输出端口上连接有次级低压端输出连接件。本实用新型结构简单，工作效率高，能够有效增强内部初级与次级、初级匝间、次级匝间绝缘，又实现了轻量化需求，密封效果好，方便进行安装和拆卸。
一种充气式高压脉冲变压器

[实用新型]一种高压电容器充电电源-CN202220979445.9有效
发明人：任成贤;高彬;王浩 -专利权人： 四川两用技术有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压电容器充电电源，包括低压整流电路、桥式逆变电路、谐振电路、升压变压器、高压整流电路和高压滤波电路，其中：所述低压整流电路用于将交流电进行AC/DC转换，输出直流电压；所述桥式逆变电路和所述谐振电路用于将直流电压进行谐振变换，输出双极性电压脉冲；所述升压变压器和所述高压整流电路用于将双极性电压脉冲变换成单极性电压脉冲，对高压电容器充电。本实用新型能有效提高高压电容器的充电功率且允许电源瞬时短路，缩短充电时间，且体积小，成本低，能够为高频高压电磁脉冲源提供有效的能量。
一种高压电容器充电电源

[发明专利]一种电压可调半导体开关驱动电路-CN202210743623.2在审
发明人：王浩;任成贤;黄曹斌 -专利权人： 四川两用技术有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H02M7/155 文献下载
摘要：本发明公开了一种电压可调半导体开关驱动电路，属于电力电子领域，其包括光电耦合单元、电压变换单元、电信号触发单元、光耦隔离单元、栅极驱动单元以及电源变换单元；所述光电耦合单元用于输入电路与输出电路的绝缘；所述电压变换单元用于将输入负信号变换为正信号；所述光耦隔离单元用于隔离前后连接的电路，用于隔离信号；所述栅极驱动单元用于提高电压和电流来放大控制信号。大电流输出可以提供和吸收的峰值电流可达30A，同时产生小于25ns的上升沿时间和下降沿时间，输入与CMOS兼容，几乎不受阻塞影响，使该驱动匹配高频和高功率应用环境。
一种电压可调半导体开关驱动电路

[实用新型]一种高压大功率半导体激光光控晶闸管-CN202220918637.9有效
发明人：黄曹斌;聂强;任成贤 -专利权人： 四川两用技术有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L31/167 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压大功率半导体激光光控晶闸管，包括晶闸管本体以及为所述晶闸管本体提供光信号的光纤，所述晶闸管本体包括壳体，所述壳体内部开设有芯片腔，芯片腔中设置有芯片以及与所述芯片连接的光路；所述光纤穿过壳体伸入芯片腔的内部并与光路连接。本实用新型公开的高压大功率半导体激光光控晶闸管工作过程较普通晶闸管工作时无须接通额外的触发电平，从而避免了高压电流通过触发回路返回到触发器上，导致人身伤亡事故以及触发器损坏的发生，使用时只要激光能量及激光光纤的长度足够就可以轻松实现远程操作。
一种高压大功率半导体激光光控晶闸管

[实用新型]一种多功能脉冲发生器-CN202220962253.7有效
发明人：黄贤忠;王浩;聂强 -专利权人： 四川两用技术有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H03K3/353 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多功能脉冲发生器，包括输入单元、直流输出单元、强电场输出单元和群脉冲输出单元，所述输入单元与直流输出单元连接，所述直流输出单元与强电场输出单元、群脉冲输出单元连接，其中：所述输入单元包括依次串联设置的调压器U1，升压变压器T1、整流电路和滤波电容C1，所述滤波电容C1的负极接地；所述强电场输出单元包括电容C2、与该电容C2串联的电阻R3以及高压真空继电器SW4；所述群脉冲输出单元包括电容C3、MOSFETQ1，电阻R5和电阻R6。本实用新型设置有直流输出单元、强电场输出单元和群脉冲输出单元，集高压直流、群脉冲和强电场的三种输出模式于一身，并配有示波器、DG515、计数器，兼具检测、计数功能。
一种多功能脉冲发生器

[实用新型]一种用于细胞培养的电极绝缘垫及其非接触电场装置-CN202120745188.8有效
发明人：尹美芳;王凌云;刘宏伟;袁建强;袁鸣洲;吴军 -专利权人：深圳市第二人民医院（深圳市转化医学研究院）;中国工程物理研究院流体物理研究所;四川两用技术有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C12M3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及生物医疗领域及医疗设备技术，公开了一种用于细胞培养的电极绝缘垫及其非接触电场装置。用于细胞培养的电极绝缘垫包括金属电极片、用于容纳金属电极片且隔绝金属电极片与细胞培养液接触的绝缘垫套件，所述绝缘垫套件设有用于与细胞培养孔板固定的安装结构。非接触电场装置，包括上述电极绝缘垫和细胞培养孔板，所述电极绝缘垫相对固定于细胞培养孔板的壁上。本实用新型通过非接触电场装置，在细胞培养孔内形成水平电场，实现非接触给与细胞水平电场刺激。本实用新型由于金属电极没有与细胞培养液接触，因此在通电后，电流没有经过细胞培养液，不会电分解细胞培养液而影响培养液的化学环境等。
一种用于细胞培养电极绝缘及其接触电场装置

[发明专利]一种用于细胞培养的电极绝缘垫及其非接触电场装置和方法-CN202110391230.5在审
发明人：尹美芳;王凌云;刘宏伟;袁建强;袁鸣洲;吴军 -专利权人：深圳市第二人民医院（深圳市转化医学研究院）;中国工程物理研究院流体物理研究所;四川两用技术有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C12M3/00 文献下载
摘要：本发明涉及生物医疗领域及医疗设备技术，公开了一种用于细胞培养的电极绝缘垫及其非接触电场装置和方法。用于细胞培养的电极绝缘垫包括金属电极片、用于容纳金属电极片且隔绝金属电极片与细胞培养液接触的绝缘垫套件，所述绝缘垫套件设有用于与细胞培养孔板固定的安装结构。非接触电场装置，包括上述电极绝缘垫和细胞培养孔板，所述电极绝缘垫相对固定于细胞培养孔板的壁上。本发明培养细胞的方法，通过非接触电场装置，在细胞培养孔内形成水平电场，实现非接触给与细胞水平电场刺激。本发明由于金属电极没有与细胞培养液接触，因此在通电后，电流没有经过细胞培养液，不会电分解细胞培养液而影响培养液的化学环境等。
一种用于细胞培养电极绝缘及其接触电场装置方法

[实用新型]水冷型脉冲变压器-CN202022371263.7有效
发明人：任成贤;高彬;席传银;王浩;王泉郦 -专利权人： 四川两用技术有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01F27/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了水冷型脉冲变压器，包括变压器主体和环形水冷装置,环形水冷装置设置在变压器主体底部，两者接触，两者之间缝隙通过高导热硅胶填充,变压器主体和环形水冷装置置于变压器外壳中，用环氧树脂进行灌封，变压器外壳上设有进水管和出水管，与环形水冷装置的进水口和出水口连通；环形水冷装置为环形水冷管道。
水冷脉冲变压器

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