专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]封装结构及其制造方法-CN202310499105.5在审
  • 唐燕菲 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-05-04 - 2023-08-11 - H01L25/00
  • 本公开实施例涉及半导体领域,提供一种封装结构及其制造方法,封装结构包括:基底;第一芯片,位于基底上方,第一芯片上具有第一焊盘和第二焊盘,其中,第一焊盘位于第一芯片的边缘;第一导线,第一导线一端与基底电连接,另一端与第一焊盘电连接;第二芯片,第二芯片位于第一芯片上方,第二芯片上具有第三焊盘以及贯穿第二芯片的导电结构导电结构的一端与第三焊盘电连接,第三焊盘与第二焊盘正对且电连接;第三芯片,第三芯片位于第二芯片上方,第三芯片上具有第四焊盘,且第四焊盘与导电结构电连接。至少能够在不增大封装结构尺寸的同时,既降低封装结构的成本,又提高封装结构的性能。
  • 封装结构及其制造方法
  • [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202210675774.9在审
  • 唐燕菲 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-06-15 - 2022-09-13 - H01L23/498
  • 本公开涉及一种半导体结构及其制备方法,包括:第一阻焊层;走线层,位于所述第一阻焊层上;第二阻焊层,位于所述走线层上,所述第二阻焊层具有延伸至所述走线层的第二焊接孔,所述第二焊接孔的侧壁包括凸起部和凹陷部,所述凸起部和所述凹陷部围绕所述第二焊接孔设置,且在所述第二焊接孔的延伸方向上邻接。本公开可以解决柱状凸块底部裂开或者连成一体的问题。
  • 半导体结构及其制备方法
  • [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202210349309.6在审
  • 唐燕菲 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-04-01 - 2022-07-05 - H01L23/498
  • 本公开实施例公开了一种半导体器件及其制作方法,半导体器件包括:基板,包括:注塑区和切割区;其中,所述注塑区沿第一方向延伸,所述切割区沿第二方向延伸;所述切割区包括第一区域和第二区域;其中,所述第一区域与所述注塑区重叠;所述第二区域与所述注塑区不重叠;至少两个导电结构,位于基板上,且沿所述第一方向并列设置;其中,所述切割区位于相邻的两个所述导电结构之间;所述注塑区与所述导电结构沿所述第二方向并列设置;阻挡结构,位于所述第一区域和所述第二区域的交界处;其中,所述阻挡结构的高度与所述导电结构的高度基本相同;沿所述第一方向,所述阻挡结构的宽度大于或等于所述切割区的宽度。
  • 半导体器件及其制作方法

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