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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法-CN202210686136.7在审
发明人： 吴在永;金重圭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本公开涉及半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法。一种半导体存储器装置包括彼此交替地布置在第一层间绝缘层下方的多个导电图案和多个第二层间绝缘层。该半导体存储器装置还包括掺杂半导体层，该掺杂半导体层包括与第一层间绝缘层交叠的非晶区域以及与第一层间绝缘层交叠的结晶区域，并且非晶区域插置在第一层间绝缘层和结晶区域之间。该半导体存储器装置还包括沟道层，该沟道层接触掺杂半导体层并且穿过所述第一层间绝缘层、所述多个第二层间绝缘层和所述多个导电图案。该半导体存储器装置另外包括位于各个导电图案和沟道层之间的存储器层。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202210093821.9在审
发明人： 吴在永;李东奂;崔殷硕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本申请涉及半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：在基板上的栅极层叠物，该栅极层叠物包括在垂直方向上交替层叠的层间绝缘层和导电图案；沟道结构，其穿过栅极层叠物并且具有突出到栅极层叠物上方的上端部；存储器层，其围绕沟道结构的侧壁；以及源极层，其形成在栅极层叠物上。沟道结构包括在沟道结构的中央区域中在垂直方向上延伸的芯绝缘层以及围绕芯绝缘层的侧壁的沟道层，沟道层形成为在垂直方向上低于芯绝缘层和存储器层。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法-CN202210393754.2在审
发明人： 吴在永;崔殷硕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：公开了半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法。一种半导体存储器装置包括：层叠结构，其包括第一层间绝缘层、以及交替设置在第一层间绝缘层下方的多个第二层间绝缘层和多个导电图案；贯穿层叠结构的孔；设置在孔的内部的芯绝缘图案、存储器图案和沟道图案；以及设置在第一层间绝缘层上方的掺杂半导体层，掺杂半导体层延伸到孔的内部。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202110835730.3在审
发明人： 吴在永;李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。提供了一种半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置包括：导电图案；在导电图案上的蚀刻停止层；导电结合图案，其包括连接到导电图案的接触部分以及从接触部分延伸的焊盘部分；第一介电层，其设置在蚀刻停止层上并且与导电结合图案间隔开；以及第二介电层，其包括第一部分和第二部分，第一部分围绕导电结合图案的焊盘部分与蚀刻停止层之间的、导电结合图案的接触部分的侧壁，第二部分从第一部分延伸以覆盖第一介电层的上表面。
半导体装置制造方法

[发明专利]等离子体显示面板-CN200880117871.4无效
发明人： 吴在永;禹智元 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01J17/49 文献下载
摘要：公开了一种等离子体显示面板。该等离子体显示面板包括前基板、与前基板相对定位的后基板、以及被定位在前基板和后基板之间以分隔放电单元的障壁。该障壁包括彼此交叉的横向障壁和纵向障壁。凹部被定位为在该横向障壁和该纵向障壁的屏障交叉部处彼此隔开。
等离子体显示面板

[发明专利]等离子体显示面板-CN200780028125.3无效
发明人： 吴在永;全佑坤;金熙洛;韩大日 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2007-12-31 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01J17/18 文献下载
摘要：本发明公开一种等离子体显示面板。等离子体显示面板包括前基板、与前基板相对地设置的后基板、设置在前基板和后基板之间的障壁、以及设置在前基板和后基板之间的密封层。密封层包括珠状物。在密封层的布置区域中，前基板和后基板之间的角度的范围从0.2°到1.0°。
等离子体显示面板

[发明专利]等离子体显示板-CN200780027456.5无效
发明人： 吴在永;全佑坤;金熙洛;韩大日 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2007-12-31 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01J17/18 文献下载
摘要：公开了一种等离子体显示板。该等离子体显示板包括：前基板；后基板，其与所述前基板相对地放置；障壁，其放置在所述前基板和所述后基板之间；以及密封层，其放置在所述前基板和所述后基板之间。该密封层包括多个珠子，并且珠子的尺寸大于障壁的高度。
等离子体显示

[发明专利]等离子显示板-CN200710112786.6无效
发明人： 吴在永;韩大日 -专利权人：乐金电子（南京）等离子有限公司
申请日： 2007-06-19 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01J17/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子显示板，包括前面基板；与前面基板相对配置的后面基板；在前面基板和后面基板之间划分放电串的第1障壁；其特征在于：在前面基板和后面基板之间设有粘合前面基板和后面基板的密封层(Seal Layer)，及形成在前面基板和后面基板之间的密封层外侧的第2障壁。本发明为通过在密封层外侧形成第2障壁，具有降低振动及噪音的效果。
等离子显示

[发明专利]等离子体显示设备-CN200610079061.7无效
发明人： 吴在永;韩正观;赵三济 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2006-04-29 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： G09F9/313 文献下载
摘要：提供了改进的等离子体显示设备结构。集成电路和驱动板中的至少一个形成在用于支持等离子体显示面板的框架的边缘部分之上。由此，将等离子体显示设备制造得薄和轻，并且也减少其制造成本。
等离子体显示设备

[发明专利]等离子显示面板-CN200610006461.5无效
发明人：康锡东;李基凡;吴在永;金汞卓 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2006-01-20 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： H01J17/04 文献下载
摘要：本发明提供一种显示面板，其中，非有效画面的维持电极对之间的间隔形成得与有效画面的维持电极对之间的间隔不同，在放电时，等离子显示面板内部存在的杂质附着到上述非有效画面的维持电极上，从而可防止有效画面中发生误放电。一种等离子显示面板，被划分为有效画面、和位于该有效画面的外侧的非有效画面，其中，具有：在上述有效画面中相对形成的第一电极及第二电极；和以和上述第一电极和第二电极之间的间隔不同的间隔、在上述非有效画面中相对形成的第三电极及第四电极。
等离子显示面板

[发明专利]等离子显示面板-CN200610005495.2无效
发明人： 吴在永 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2006-01-13 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01J17/49 文献下载
摘要：本发明提供一种可进行高速驱动并可提供均等的驱动信号电压的等离子显示面板，其中，被划分为至少三个或三个以上的区域，位于各区域的地址电极被按组划分，各电极组通过另外的数据驱动部提供驱动信号，因此在地址期间内，可进行高速驱动，可补偿电极中的电压下降，并相对延长放电期间，因而可提高显示质量。
等离子显示面板

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