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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种高分子发光二极管的制造方法-CN201210499417.8无效
发明人：虞浩辉;周宇杭;吕锁方;顾忠杰 -专利权人：江苏威纳德照明科技有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种高分子发光二极管的制造方法，该方法制备工艺简单、成本低且制得的发光二极管发光效率高。本发明的高分子发光二极管的制造方法包括依次制备衬底、阳极、高分子发光层和阴极。本发明的高分子发光二极管采用的高分子发光层作为高效的发光聚合物，发光二极管的发光性能得到显著提高；制备工艺简单，制作成本低；适合于制备柔性显示屏的阴极。
一种高分子发光二极管制造方法

[发明专利]一种Nb₃Sn超导块材的制备方法-CN201210500918.3无效
发明人：虞浩辉;周宇杭;吕锁方;顾忠杰 -专利权人：江苏威纳德照明科技有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明的目的是为了克服现有Nb3Sn超导材料性能的不足，提供一种具有高性能的Nb3Sn超导块材的制备方法，包括如下步骤：将Nb粉，Sn粉，纳米Si/N/C粉按照摩尔比(0.8-0.975)∶(1.8-1.95)∶(0.025-0.2)配制并混合均匀，将混合均匀的原料粉用压片机进行压片，得到含纳米Si/N/C粉的Nb3Sn超导块材；将得到的块材放在真空炉中，抽真空后充入氩气，在500℃-800℃保温1.5-3小时，最终得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导块材。
一种 nb sub sn 超导制备方法

[发明专利]一种Nb₃Sn超导带材或线材的制备方法-CN201210504985.2无效
发明人：虞浩辉;周宇杭;吕锁方;顾忠杰 -专利权人：江苏威纳德照明科技有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有高性能的Nb3Sn超导带材和线材的制备方法，包括如下步骤：将Nb粉，Sn粉，纳米Si/N/C粉按照摩尔比(0.8-0.975)：(1.8-1.95)：(0.025-0.2)配制并混合均匀，装入铁管或铁铜复合管中密封后，按顺序先后进行旋锻和拉拔，或者轧制，得到含纳米Si/N/C粉的Nb3Sn超导材料；将得到的线带材或块材放在真空炉中，抽真空后充入氩气，在500℃-800℃保温1.5-3小时，最终得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导材料。
一种 nb sub sn 超导线材制备方法

[发明专利]一种高性能超导线的制备方法-CN201210499942.X无效
发明人：虞浩辉;周宇杭;吕锁方;顾忠杰 -专利权人：江苏威纳德照明科技有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能超导线的制造方法，包括如下步骤：制备二硼化镁结晶体，作为内芯，其包括如下步骤：首先，将二(正丁基)镁和二硼烷溶解在非极性溶剂中，反应得到硼氢化镁，通过固液分离法将杂质分离；其次，在标准压力下，通入氩气形成保护气氛，将所得到的硼氢化镁热分解，使得形成硼化镁；将二硼化镁结晶体内芯包封在金属中；将上述内芯和金属拉丝得到具有二硼化镁内芯的超导线。该制造方法可以在还原条件下制备二硼化镁，防止其被氧化物副产物污染，并且得到晶粒小且结晶度好的二硼化镁内芯，从而制得优异性能的超导线。
一种性能导线制备方法

[发明专利]一种具有空穴传输层的高分子发光二极管的制造方法-CN201210499950.4无效
发明人：虞浩辉;周宇杭;吕锁方;顾忠杰 -专利权人：江苏威纳德照明科技有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种高分子发光二极管的制造方法，该方法制备工艺简单、成本低且制得的发光二极管发光效率高。本发明的高分子发光二极管的制造方法包括依次制备衬底、阳极、空穴传输层、高分子发光层和阴极。本发明的发光二极管采用的高分子发光层作为高效的发光聚合物，发光二极管的发光性能得到显著提高；制备工艺简单，制作成本低；适合于制备柔性显示屏的阴极。
一种具有空穴传输高分子发光二极管制造方法

[发明专利]一种MgB₂超导导线的制备方法-CN201210504677.X无效
发明人：虞浩辉;周宇杭;吕锁方;顾忠杰 -专利权人：江苏威纳德照明科技有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种MgB2超导导线的制造方法，包括如下步骤：制备二硼化镁结晶体，作为内芯，其包括如下步骤：首先，将二正丙醇镁和二硼烷溶解在非极性溶剂中，反应得到硼氢化镁，通过固液分离法将杂质分离；其次，在标准压力下，通入氩气形成保护气氛，将所得到的硼氢化镁热分解，使得形成硼化镁；将二硼化镁结晶体内芯包封在金属中；将上述内芯和金属拉丝得到具有二硼化镁内芯的超导线。该制造方法可以在还原条件下制备二硼化镁，防止其被氧化物副产物污染，并且得到晶粒小且结晶度好的二硼化镁内芯，从而制得优异性能的超导线。
一种 mgb sub 超导导线制备方法

[发明专利]一种含有硅和碳的Nb₃Sn的制备方法-CN201210500712.0无效
发明人：虞浩辉;周宇杭;吕锁方;顾忠杰 -专利权人：江苏威纳德照明科技有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C01G99/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有硅和碳的Nb3Sn超导材料的制备方法，包括如下步骤：将Nb粉，Sn粉，纳米Si/N/C粉按照摩尔比(0.8-0.975)：(1.8-1.95)：(0.025-0.2)配制并混合均匀，烧结或锻造后制成超导材料；将超导材料放在真空炉中，抽真空后充入氩气，在500℃-800℃保温1.5-3小时，最终得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导材料。其制得的Nb3Sn超导材料具有高磁通钉扎能力。
一种含有 nb sub sn 制备方法

[发明专利]一种MgB₂的制造方法-CN201210504753.7无效
发明人：虞浩辉;周宇杭;吕锁方;顾忠杰 -专利权人：江苏威纳德照明科技有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种MgB2的制造方法，包括如下步骤：首先，将二正丙醇镁和二硼烷溶解在非极性溶剂中，反应得到硼氢化镁，通过固液分离法将杂质分离，非极性溶剂优选为辛烷；其次，在标准压力下，通入氩气形成保护气氛，将所得到的硼氢化镁热分解，使得形成硼化镁。该制造方法可以在还原条件下制备二硼化镁，防止其被氧化物副产物污染，并且得到晶粒小且结晶度好的高纯度二硼化镁。
一种 mgb sub 制造方法

[发明专利]一种高纯度二硼化镁的制造方法-CN201210505318.6无效
发明人：虞浩辉;周宇杭;吕锁方;顾忠杰 -专利权人：江苏威纳德照明科技有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯度二硼化镁的制造方法，包括如下步骤：首先，将二(正丁基)镁和二硼烷溶解在非极性溶剂中，反应得到硼氢化镁，通过固液分离法将杂质分离；其次，在标准压力下，通入氩气形成保护气氛，将所得到的硼氢化镁热分解，使得形成硼化镁。该制造方法可以在还原条件下制备二硼化镁，防止其被氧化物副产物污染，并且得到晶粒小且结晶度好的高纯度二硼化镁。
一种纯度二硼化镁制造方法

[实用新型]自承式电视电缆-CN200820038129.1无效
发明人：周阿林;吕锁方;高普荣 -专利权人：江苏山湖电缆有限公司
申请日： 2008-06-11 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01B7/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自承式电视电缆，包括由内导体(1)、屏蔽层(3)、绝缘层(2)、护套(4)组成的电视信号传输电缆，内导体(1)为铜包铝内导体，其特征是护套(4)外连接有架空用的钢丝(5)，具体结构是钢丝(5)外设置有包覆层(6)，包覆层(6)与护套(4)之间用连接带(7)连接。本实用新型的护套外连接有架空用的钢丝，大大方便了电缆的敖设，节省了安装时间。
电视电缆

[实用新型]组合通信电缆-CN200820038128.7无效
发明人：周阿林;吕锁方;高普荣 -专利权人：江苏山湖电缆有限公司
申请日： 2008-06-11 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种组合通信电缆，包括同轴电缆，同轴电缆包括有内导体(1)、外护套(5)，与同轴电缆并列有数字通信电缆(6)，数字通信电缆(6)与同轴电缆呈“8”字排列，数字通信电缆(6)包括有外护套(7)，该外护套(7)与同轴电缆的外护套(5)连成一体。本实用新型把接入网射频的同轴电缆和数字通信用电缆有机地构成一体，使建筑物内的通信网敷设美观，施工方便，节省布设空间。
组合通信电缆

[实用新型]通讯用同轴电缆-CN200820116582.X无效
发明人：周阿林;吕锁方;高普荣 -专利权人：江苏山湖电缆有限公司
申请日： 2008-07-02 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01B11/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通讯用同轴电缆，包括内导体(1)，内导体(1)外依次有绝缘层(2)、屏蔽层、外护套(5)，其特征是屏蔽层由铝箔(3)和铜丝编织网(4)组成，铝箔(3)处在内层，其外是铜丝编织网(4)。本实用新型通讯用同轴电缆抗电磁干扰性强，长期使用屏蔽性稳定，且电缆线机械弹性小，在弯曲布置时状态稳定、不易反弹。
通讯同轴电缆

[实用新型]有线电视主干线电缆-CN200820116581.5无效
发明人：周阿林;吕锁方;高普荣 -专利权人：江苏山湖电缆有限公司
申请日： 2008-07-02 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01B11/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了有线电视主干线电缆，包括内导体、绝缘层(2)、外导体(3)、护套(4)，其特征是内导体由铝线(1-1)和在铝线(1-1)外表面镀的一层铜层(1-2)组成，所述的外导体(3)为铝管。由于采用了上述技术方案，内导体是外表面镀有铜层的铝线，铜的用量大大减少，该电缆经济性得到提高；同时铜铝比重之比是3.3，因此本实用新型产品重量得到减轻。
有线电视主干线电缆

[实用新型]四层屏蔽同轴电缆-CN200820038127.2无效
发明人：周阿林;吕锁方;高普荣 -专利权人：江苏山湖电缆有限公司
申请日： 2008-06-11 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01B11/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种四层屏蔽同轴电缆，由内向外依次设置有内导体(1)、绝缘层(2)、屏蔽层、护套(7)，其特征是内导体(1)是铜材料内导体，绝缘层(2)采用聚乙烯发泡材料，屏蔽层采用四层结构，由内到外依次是铝箔(3)、铝镁合金丝编织网(4)、铝箔(5)、铝镁合金丝编织网(6)，护套(7)采用PVC材料。与现有技术相比，本实用新型具有宽频带、低损耗、高屏蔽、弯曲性好等优点。
屏蔽同轴电缆

[实用新型]3G基站用集束通讯电缆-CN200820116580.0无效
发明人：周阿林;吕锁方;高普荣 -专利权人：江苏山湖电缆有限公司
申请日： 2008-07-02 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种3G基站用集束通讯电缆，包括同轴射频电缆，同轴射频电缆的内导体(1)外依次设置有绝缘层(2)、屏蔽层，其特征是：所述同轴射频电缆有7根绞合成束，其外面依次绕包预包覆层(6)、外护套(7)。本实用新型由于采用了多根同轴射频电缆绞合，使电缆具有结构紧凑、重量轻、接地简单、一次铺设，安装方便、易于施工等特性。
3g 基站集束通讯电缆

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