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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光刻方法-CN201610770956.9有效
发明人： 叶孝蔚;张庆裕;陈建宏;林致安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-05-08 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种光刻方法，包括：在基板上形成第一图案化阻剂层，上述第一图案化阻剂层包括至少一个开口；在上述第一图案化阻剂层及上述基板上形成一水溶性聚合物层，藉以在上述第一图案化阻剂层及上述水溶性聚合物层的界面发生反应；以及在上述基板上形成第二图案化阻剂层，其中上述第二图案化阻剂层的至少一部分设置于上述第一图案化阻剂层的至少一个开口内或邻接上述第一图案化阻剂层的至少一部分。然后使用上述第一图案化阻剂层与第二图案化阻剂层作为掩模，并蚀刻上述基板。本发明形成出具有整体强化的抗蚀刻性的阻剂图案，可用于形成次微米半导体装置所需的细粒度图形。使用这些材料导致图案化的阻剂层较不倾向于顶部损失、圆角、以及阻剂图案损伤。
光刻方法

[发明专利]光刻图案化方法及双重图案化方法-CN201010246690.0无效
发明人：陈俊光;叶孝蔚;林致安;王建惟;许峰诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种光刻图案化方法及双重图案化方法，所述光刻图案化方法包括：在一基底上形成一第一阻剂图案，其中第一阻剂图案内包括多个开口。在基底上且位于第一阻剂图案的开口内形成一第二阻剂图案，其中第二阻剂图案内包括至少一开口位于基底上。去除第一阻剂图案，以露出位于第一阻剂图案下方的基底。本发明可改善制造产能及产品品质，并降低制造成本。
光刻图案方法双重

[发明专利]光刻方法-CN200910138199.3无效
发明人： 叶孝蔚;张庆裕;陈建宏;林致安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-05-08 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种光刻方法，包括：在基板上形成第一图案化阻剂层，上述第一图案化阻剂层包括至少一个开口；在上述第一图案化阻剂层及上述基板上形成一水溶性聚合物层，藉以在上述第一图案化阻剂层及上述水溶性聚合物层的界面发生反应；以及在上述基板上形成第二图案化阻剂层，其中上述第二图案化阻剂层的至少一部分设置于上述第一图案化阻剂层的至少一个开口内或邻接上述第一图案化阻剂层的至少一部分。然后使用上述第一图案化阻剂层与第二图案化阻剂层作为掩模，并蚀刻上述基板。本发明形成出具有整体强化的抗蚀刻性的阻剂图案，可用于形成次微米半导体装置所需的细粒度图形。使用这些材料导致图案化的阻剂层较不倾向于顶部损失、圆角、以及阻剂图案损伤。
光刻方法

[发明专利]图案化方法-CN200910005762.X有效
发明人：施仁杰;叶孝蔚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-02-06 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种图案化方法，包括于基底上形成光致抗蚀剂图案，光致抗蚀剂图案于基底上包括至少一预期开口与至少一留白开口于其中，于光致抗蚀剂图案与基底上形成图案化感光材料层，其中图案化感光材料层覆盖光致抗蚀剂图案的留白开口，以及对光致抗蚀剂图案的预期开口进行化学微缩辅助光刻解析度强化工艺。本发明通过进行化学微缩辅助光刻解析度强化工艺，以缩小临界尺寸及/或增加聚焦深度。
图案方法

[发明专利]感光材质、光阻材质及半导体组件制造方法-CN200710187758.0有效
发明人： 叶孝蔚;施仁杰;陈建宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-11-23 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种适用于半导体工艺中的感光材质，包括：感光材料以及共聚物，其中该共聚物包括：多个光阻链以及多个疏水性碳链，其中每一个疏水性碳链系于这些光阻链中的一个上，且这些光阻链和这些疏水性碳链系相互复合，并对外加能量产生反应，而进行自组装以形成光阻层和疏水层。
感光材质半导体组件制造方法

[发明专利]主动式有机电激发光基板-CN200710092232.4无效
发明人：黄淑惠;叶孝蔚;洪敏玲;萧夏彩 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-04-02 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种主动式有机电激发光基板，其包含一基底具有一驱动组件区与一发光区、一薄膜晶体管、一第一保护层、一导电层与所述的薄膜晶体管电连接，以及一第二保护层，设置于第一保护层的表面与导电层的表面。第二保护层于发光区具有一开口，曝露出部分导电层，且第二保护层于驱动组件区与发光区的交界处具有一阶梯状结构。本发明的目的在于提供一种主动式有机电激发光基板，以提升显示效果。
主动机电激发光基板

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