本发明涉及一种采用磁控溅射‑掩模辅助沉积制备Ag纳米线阵列电极的方法，使用磁控溅射与电极掩模辅助沉积技术制备Ag膜；连接的金属电极Ag分别沉积在上、下AlN基底，上、下AlN片的尺寸是1‑40 mm × 1‑35 mm；然后通过对准，在热电材料掩模辅助下，p‑Bi‑Sb‑Te和n‑Bi‑Te‑Se膜热偶臂分别沉积在已制备好的电极上面；最后，上和下AlN片分别具有几根至上千根p‑Bi0.5Sb1.5Te3和n‑Bi2Se0.3Te2.7热偶膜臂，通过上下键合，形成几对至上千对p‑n结的微型器件。性能测试表明具有纳米线阵列结构电极的器件性能较普通结构电极的器件性能有显著地提升，因此引入纳米线阵列结构电极是一种提高热电微型器件性能的有效途径。本发明制作工艺简单，操作简便，生产环境条件宽松，具有非常显著的实用价值和经济效益。
