“加藤诚人”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]等离子体处理装置、上部电极组件及其制造和再生方法-CN202210808438.7在审
发明人： 加藤诚人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置、等离子体处理装置中使用的上部电极组件及其制造方法和再生方法。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；配置在等离子体处理腔室内的基片支承部；配置在基片支承部内的下部电极；导电性部件，其配置在基片支承部的上方，具有至少1个制冷剂入口和至少1个制冷剂出口，且与RF电位或DC电位连接；上部电极组件。该上部电极组件具有：导电性板，其以可拆装的方式连接于导电性部件的下表面，具有与至少1个制冷剂入口和至少1个制冷剂出口连通的1个或多个制冷剂流路；配置在导电性板的下方的电极板；和配置在电极板与导电性板之间的导电性接合片。根据本发明，能够有效地进行构成上部电极组件的电极板的温度调节。
等离子体处理装置上部电极组件及其制造再生方法

[发明专利]基片支承部和基片处理装置-CN202210680655.2在审
发明人：齐藤秀翔;加藤诚人;山口伸;金泽和志;武藤亮磨 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种基片支承部和基片处理装置，能够提高基片支承部的温度控制效率。基片支承部包括：静电吸盘，其由陶瓷形成，通过静电吸附来保持被处理基片；支承所述静电吸盘的基座；和供热交换介质流动的流路，其中，所述流路的上表面由陶瓷形成。
支承处理装置

[发明专利]温度调节装置和基片处理装置-CN202111287523.5在审
发明人： 加藤诚人;村野翔 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种温度调节装置和基片处理装置。温度调节装置具有第1部件、流路和空腔。第1部件形成有作为温度控制的对象的第1面。流路沿着第1面形成在第1部件的内部，可流通制冷剂。空腔与流路的制冷剂的流速比其他区域高的流速变化区域相邻地设置于第1部件的内部。根据本发明，能够提高面内的温度的均匀性。
温度调节装置处理

[发明专利]蚀刻被蚀刻层的方法-CN201680021637.6有效
发明人：丸山幸儿;舆石公;芳贺俊雄;堀口将人;加藤诚人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻被蚀刻层的方法。在本发明的一实施方式的方法中，在吸附工序中，对下部电极不施加高频偏压而使由处理气体生成的自由基吸附于被蚀刻层。在接下来的蚀刻工序中，对下部电极施加高频偏压，并将由处理气体生成的离子引入被蚀刻层。吸附工序与蚀刻工序交替地重复。在吸附工序中，自由基的密度为离子的密度的200倍以上。在蚀刻工序中，功率密度为0.07W/cm2以下的RF能量供给至下部电极或功率密度为0.14W/cm2以下的高频偏压在0.5秒以下的期间供给至下部电极。
蚀刻方法