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- [发明专利]检查用图像获取装置、检查用图像获取方法以及检查装置-CN202110894751.2在审
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加藤久幸
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YKK株式会社
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2021-08-05
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2023-02-17
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G01N21/89
- 本发明提供检查用图像获取装置、检查用图像获取方法以及检查装置。不管成形品的外观不良的各种形态和与照明装置的配置有关的空间上的制约如何，都获取能以高可靠性进行成形品的检查的检查用图像。多个照明部(10)包括设置于工件(1)的被拍摄部分的周围的3个以上的照明部(10)，以便从不同侧照射拍摄部(20)的视场(R5)内的工件(1)的被拍摄部分，并且在针对工件(1)的被拍摄部分中的成形品(5)的突起(52、53)的高度而设定的规定平面(P1)中单独形成3个以上的照明区域(R1、R2、R3、R4)。3个以上的照明部(10)以在3个以上的照明区域中各照明区域能够与其他照明区域至少局部重叠的方式设置。
- 检查图像获取装置方法以及
- [发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN202110182022.4在审
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大田裕之;迫精伍;加藤久幸
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堺显示器制品株式会社
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2021-02-09
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2021-09-03
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H01L29/786
- 本发明的薄膜晶体管包括：主体层，其为在栅极电极上隔着栅极绝缘膜形成的半导体层，且在栅极电极的上方包含：第一区域、第二区域以及位于第一区域以及第二区域之间的沟道区域；沟道阻挡物，其形成在沟道区域上；源极电极，其经由第一接触层与第一区域电连接；以及漏极电极，其经由第二接触层与第二区域电连接。第一接触层以及第二接触层分别包含第一非晶硅层，该第一非晶硅层与源极电极或漏极电极直接接触且包含有杂质，第一区域以及第二区域的各自的厚度小于沟道区域的厚度，第一区域以及第二区域包含有第二非晶硅层，该第二非晶硅层以比第一非晶硅层低的杂质浓度包含有杂质。结果，当抑制光激励电流地制成显示装置时，可以提高开口率。
- 薄膜晶体管及其制造方法
- [发明专利]支承销和成膜装置-CN201580081967.X在审
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加藤久幸
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堺显示器制品株式会社
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2015-07-29
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2018-03-27
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H01L21/683
- 本发明提供抑制破损的支承销和具有该支承销的成膜装置。支承销具有支承基板的头部和支承该头部的支承筒，上述头部和支承筒分别设置有供用于将上述头部和支承筒联结的联结构件插入的贯通孔，上述支承销布置于用于在上述基板上形成膜的成膜装置的反应室中，上述头部具有载置上述基板的载置部和从该载置部突出并被插入上述支承筒的端部的插入部，上述插入部具有在上述支承筒的径向上的尺寸比上述支承筒的内径大的大尺寸部分，在上述支承筒的上述端部设置有供上述大尺寸部分插入的沟槽。
- 承销装置
- [发明专利]热交换器-CN201480004661.X有效
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大上裕久;加藤久幸
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双叶产业株式会社
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2014-01-10
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2017-10-13
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F28F3/04
- 目的在于提供一种热交换器，其允许在第一流体和在热交换器内部流动的第二流体之间进行高效的热量交换。热交换器11包括热交换器主体31，热交换器主体31容纳在壳体12内部，第一流体在壳体12处流动并且热交换器主体31在其中容纳第二流体。热交换器主体31具有多个第一通路34，第一通路34布置成使得第一流体流过热交换器主体31内部。在从一个方向的侧视图中，热交换器主体31具有这样的形状其关于壳体12的中心轴左右对称并且其上游侧朝向中央沿上游方向突出更远。第一通路34大致平行于壳体12的中心轴延伸，并且形成为随着它们更接近热交换器主体31中央布置而更长。
- 热交换器
- [发明专利]排气热回收装置-CN201280062272.3有效
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加藤久幸;大上裕久
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双叶产业株式会社
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2012-12-14
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2016-10-26
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F01N5/02
- 本发明的排气热回收装置是一种从来自内燃机的排气中回收热的装置。排气热回收装置具有将来自上游侧的排气导向下游侧的排气管(1)、覆盖在所述排气管的外侧的筒形壳体(2)、以及设置在所述排气管和所述筒形壳体之间、并在所述排气和热交换介质之间进行热交换的排气热回收部(4)。在所述排气热回收部内设置有将形成热交换介质流路的多个夹套部件(6、8)层叠而成的层叠体(10),在该层叠体中,所述多个夹套部件的各热交换介质流路(20)彼此串联连接。
- 排气回收装置
- [发明专利]阀装置-CN201480004709.7在审
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大上裕久;加藤久幸
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双叶产业株式会社
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2014-01-10
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2015-09-16
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F16K31/68
- 提供了一种阀装置，该阀装置即使当杆机构的前进/回缩范围增大时，也可保持杆机构和阀机构之间的啮合关系，而且还可实现整个阀装置的尺寸缩减。在阀装置1中，压杆215具有第一驱动表面217和第二驱动表面218，第一驱动表面217从远离旋转轴Axb的位置至少到最靠近旋转轴Axb的位置保持与末端部分312接触，第二驱动表面218在末端部分312和第一驱动表面217之间的接触关系解除之后，一直到通过旋转轴Axb的位置保持与末端部分312接触。
- 装置
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200980159678.1有效
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加藤久幸;草壁嘉彦
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瑞萨电子株式会社
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2009-06-05
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2012-05-16
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H01L21/8238
- 本发明形成第1保护膜(16a，16b)来覆盖栅电极部(11a，11b)的侧面。在nMOS区域(R1)中，以位于栅电极部(11a)的侧面上的第1保护膜(16a)的部分作为偏移间隔物(21a)，以偏移间隔物(21a)作为掩模，形成扩展注入区域(23a)后进行清洗。通过在第1保护膜(16a，16b)的表面上形成氮化硅膜(15a，15b)，对于药液的耐受性提高。进而，在第1保护膜(16a，16b)上分别形成第2保护膜(20a，20b)。在pMOS区域(R2)中，以位于栅电极部(11b)的侧面上的第1保护膜(16b)的部分及第2保护膜(20b)的部分作为偏移间隔物(21b)，以偏移间隔物(21b)作为掩模，形成扩展注入区域(23b)后进行清洗。通过在第2保护膜(20a，20b)的表面上形成氮化硅膜(19a，19b)，对于药液的耐受性提高。
- 半导体器件及其制造方法
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