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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳化硅半导体功率晶体管及其制造方法-CN202210854892.6在审
发明人：陈伟梵;蔡国基 -专利权人： 力拓半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅半导体功率晶体管及其制造方法。所述碳化硅(SiC)半导体功率晶体管，包括由SiC制成的衬底、衬底平面上的漂移层、漂移层中的多个井区、井区内的多个源极区、漂移层上的多个栅极、漂移层和每个栅极之间的栅极绝缘层，以及漂移层中的多个井拾取区(well pick‑upregions)。漂移层中形成有多个V形槽，且每个V形槽的底部和侧壁被每个井区包围。每个V形槽的底部与每个源极区直接接触。栅极位于V形槽之间，并延伸至其两侧的V形槽的侧壁。井拾取区位于每个V形槽的底部下方，且每个井拾取区穿过源极区并与井区接触。
碳化硅半导体功率晶体管及其制造方法

[发明专利]合并PiN肖特基(MPS)二极管与其制造方法-CN202210738672.7在审
发明人：陈伟梵;蔡国基 -专利权人： 力拓半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种合并PiN肖特基(MPS)二极管，包括基板、第一导电类型的第一外延层、第二导电类型的数个掺杂区、第一导电类型的第二外延层以及肖特基金属层。第一外延层设置于基板的第一表面。掺杂区设置于第一外延层的表面，其中掺杂区由第一部分和第二部分组成，第一部分是电浮动的，且第二部分电连接至顶部金属。第二外延层设置于第一外延层的表面，其中有沟槽形成于第二外延层中，以暴露出掺杂区的第二部分。肖特基金属层共形沉积于第二外延层以及掺杂区中露出的第二部分上。
合并 pin 肖特基 mps 二极管与其制造方法

[发明专利]碳化硅半导体功率晶体管及制造其的方法-CN202210714181.9在审
发明人：陈伟梵;蔡国基 -专利权人： 力拓半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅半导体功率晶体管和制造其的方法。本发明的碳化硅半导体功率晶体管包括由碳化硅(SiC)制成的衬底、设置在衬底上的漂移层，形成在漂移层上的栅极层、设置在漂移层中的多个第一井拾取区及多个第二井拾取区、多个源极电极以及多个接触件。多个V形槽形成在漂移层中。在各V形槽的底部处的栅极层中形成第一开口，在V形槽之间的漂移层的顶部处的栅极层中形成第二开口。多个接触件设置在第二开口内，以直接接触第二井拾取区。本发明提供优良的开关能量损失效能和开关可靠性。
碳化硅半导体功率晶体管制造方法

[发明专利]宽带隙半导体器件与其制造方法-CN202210741958.0在审
发明人：陈伟梵;蔡国基 -专利权人： 力拓半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种宽带隙半导体器件与其制造方法。所述宽带隙半导体器件包括衬底、外延层、合并PN结肖特基(merged PN junction Schottky，MPS)二极管阵列以及围绕MPS二极管阵列的边缘终端区。外延层具有第一平面、第二平面以及位于第一平面与第二平面之间的数个沟槽。MPS二极管阵列形成于外延层的第一平面中。边缘终端区包括浮动环区以及过渡区。浮动环区具有形成于外延层的第二平面中的浮动环。过渡区位于浮动环区与MPS二极管阵列间。过渡区包括一PIN二极管，而所述PIN二极管形成于数个沟槽中以及沟槽之间的外延层上。
宽带半导体器件与其制造方法

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