专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高导电碳材料及其制备方法-CN201711386613.3有效
  • 李玉良;左自成;商虹;汪帆;刘辉彪;李勇军 - 中国科学院化学研究所
  • 2017-12-20 - 2021-01-26 - C01B32/05
  • 本发明公开了一种碳材料及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:将至少含有三个炔基的化合物和催化剂加入到溶剂中,在一定的温度下进行反应并得到所述碳材料。本发明利用炔基的高活性特点,将至少含有三个炔基的化合物在非常温和的条件下得到碳材料,其制备效率大大优于目前高温碳材料的制备工艺,而且该方法得到的碳材料的微观形貌控制容易,分子结构可设计,可根据实际应用需求对碳材料结构进行充分调控,所得碳材料导电性好,稳定性好,碳材料加工性能更优异。同时,该方法工艺简单,成本低廉,适用范围广,更利于工业化大生产,有利于将碳材料进一步推广到很多需要在温和条件操作的应用领域。
  • 一种导电材料及其制备方法
  • [发明专利]一种高导电碳材料及其低温制备方法-CN201710020838.0有效
  • 李玉良;左自成;刘辉彪;李勇军 - 中国科学院化学研究所
  • 2017-01-12 - 2020-12-29 - C01B32/05
  • 本发明公开了一种高导电碳材料及其低温制备方法。所述低温制备方法包括如下步骤:富端基炔的前驱体在气体气氛或真空环境中进行反应,得到黑色固体粉末,即为所述高导电碳材料;所述富端基炔的前驱体含有至少3个端炔基;所述富端基炔的前驱体具有共轭结构。通过低温化学合成,利用炔基的高活性特点,将富炔前驱体在非常温和的条件下得到碳材料,其制备效率大大高于目前碳材料的制备工艺,而且该方法得到的碳材料导电性好,稳定性好,碳材料加工性能更优异。同时,该方法工艺简单,成本低廉,适用范围广,更利于工业化大生产,有利于将碳材料进一步推广到很多需要在温和条件操作的应用领域。
  • 一种导电材料及其低温制备方法
  • [发明专利]一种碳炔薄膜及其制备方法与应用-CN201610473762.2有效
  • 李玉良;贾志宇;刘辉彪 - 中国科学院化学研究所
  • 2016-06-24 - 2018-02-13 - C08G61/04
  • 本发明公开了一种碳炔薄膜及其制备方法与应用。该碳炔薄膜为由式I所示化合物构成的碳炔薄膜。该薄膜是由式II所示化合物通过Glaser‑Hay偶联反应而得。本发明提供的制备碳炔薄膜的方法,工艺简便,能够在铜片或者铜薄膜层表面大面积制备碳炔薄膜,其电导率为1.4×10‑2S/m,该薄膜表面均匀,可在空气中稳定存在,采用核磁碳谱、原子力显微镜和拉曼光谱对碳炔化合物的结构组成进行了分析,确定了碳炔的构成。同时,对碳炔薄膜的导电性进行了测量,发现其是一种与接近金属性能的半导体,在催化、电子、半导体、能源和材料等领域具有广阔的应用前景。
  • 一种薄膜及其制备方法应用
  • [发明专利]一种苯胺气体传感器及其制备方法-CN201310168408.5有效
  • 王科;李玉良;刘辉彪;李勇军 - 中国科学院化学研究所
  • 2013-05-09 - 2013-10-02 - G01N27/12
  • 本发明公开了一种苯胺气体传感器及其制备方法。所述气体传感器,其组成包括:绝缘衬底、设于绝缘衬底上的纳米材料层以及沉积于纳米材料层上的一对金属电极;其中,纳米材料层由核-壳结构的ZnS/PTCDA纳米粒子组成,ZnS为核,PTCDA为壳。制备方法如下:首先通过两步法在溶液中制备出一种ZnS/PTCDA核-壳纳米粒子,然后将ZnS/PTCDA核-壳纳米粒子旋涂到二氧化硅、玻璃、石英等绝缘衬底材料上,制备一层50~200纳米(nm)厚的薄膜材料,再镀上金属薄膜电极,即得到ZnS/PTCDA半导体气体传感器。该ZnS/PTCDA半导体气体传感器对苯胺具有很高的选择性和灵敏度,可以用来检测环境中的苯胺气体。
  • 一种苯胺气体传感器及其制备方法

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