专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种炼胶机-CN202020127344.X有效
  • 刘丽月;陈星娥;杨静瑜;杨桂水 - 厦门众志豪橡胶制品有限公司
  • 2020-01-20 - 2020-10-02 - B29B7/56
  • 本实用新型涉及一种炼胶机,其包括机架、设置在机架上且呈中空设置的滚筒、设置在滚筒其中一端的驱动电机以及设置在滚筒另一端的冷却水循环系统,冷却水循环系统包括设置在滚筒远离驱动电机一侧的集水箱、设置在集水箱内的水泵以及连接水泵和滚筒远离驱动电机一端的水管,滚筒内设置有蓄水腔,滚筒两端分别设置有第一转轴和第二转轴,驱动电机与第一转轴相连,第二转轴远离滚筒的一端端部与水管转动连接,第二转轴呈中空状设置且两端分别与蓄水腔和水管连通。本实用新型具有滚筒的冷却效果好的效果。
  • 一种炼胶机
  • [发明专利]基于一维纳米材料的光电转换器件-CN200710038026.5无效
  • 张亚非;陈长鑫;刘丽月 - 上海交通大学
  • 2007-03-13 - 2007-08-22 - H01L31/042
  • 一种能源技术领域的基于一维纳米材料的光电转换器件,包括:一个p型肖特基势垒结构,所述p型肖特基势垒结构由一维半导性纳米材料与功函数高于一维半导性纳米材料的金属电极牢固连接后形成的;一个n型肖特基势垒结构,所述n型肖特基势垒结构是由所述一维半导性纳米材料与功函数低于一维半导性纳米材料的金属电极牢固连接后形成的;基底,其位于两个肖特基势垒结构的下方,为器件的支撑部分。本发明的结构简单、长期使用稳定性高;整个制备工艺可在常温下进行,不出现高温;在模拟太阳光照射下具有较高的光电转换效率。
  • 基于纳米材料光电转换器件
  • [发明专利]机械剪切一维纳米材料的方法-CN200610117580.8无效
  • 张亚非;刘丽月 - 上海交通大学
  • 2006-10-26 - 2007-06-06 - B02C18/02
  • 一种纳米材料加工领域的机械剪切一维纳米材料的方法,采用超硬微粒来实现机械剪切一维纳米材料,步骤包括:形成机械剪切需要的剪切工具;一维纳米材料的剪切;一维纳米材料与机械剪切工具的分离;所述的形成机械剪切需要的剪切工具,第一种方法采用刀刃板的形式实现机械剪切,形成刀刃板的方法包括:将制备得到的超硬微粒粘结在平板上,或在金属平板表面直接生长超硬微粒;第二种是在滚轴表面粘结超硬微粒形成刀刃滚轴;第三种是不使用粘结剂,直接将一维材料与超硬微粒混合。选择超硬微粒的尖棱尺度和性能,可以得到长度为几百纳米至几微米长的短一维纳米材料。剪切短的一维纳米材料不易缠绕,容易在固相或液相介质中均匀分散。
  • 机械剪切纳米材料方法
  • [发明专利]碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法-CN200510024427.6无效
  • 张亚非;陈长鑫;刘丽月 - 上海交通大学
  • 2005-03-17 - 2005-11-16 - H01L21/336
  • 一种用于电子器件制造技术领域的碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法,具体步骤如下:将碳纳米管进行表面活化处理,对碳纳米管进行表面功能分子化学修饰或DNA修饰以制成稳定分散的碳纳米管悬浮液,在表面含有绝缘层的硅片上采用光刻技术制作出电极对图案,将碳纳米管悬浮液滴在经步骤3预制成的电极对表面形成均匀分布的液体层,施加直流或者交变电场操纵多条碳纳米管,使其相互分开和平行地并联于上述两种电极之间,用紫外线对步骤5中制得的场效应晶体管器件进行辐射处理,得到具有良好性能的多沟道场效应晶体管。本发明操控多条碳纳米管相互分开地并联于器件电极结构之间,从而构成场效应晶体管的沟道或者作为纳米电极引线。
  • 纳米构成沟道场效应晶体管方法

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