专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件的封装结构及制作方法-CN201510553331.2有效
  • 陆原;陈峰;刘一波;林挺宇 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2015-09-01 - 2019-01-04 - H01L25/00
  • 本发明提供了一种半导体器件的封装结构及制作方法,该封装结构包括一个或多个带有焊盘的芯片,芯片主动面朝上,芯片之间的空隙填充介电质材料形成介电质层,且介电质层的表面高度低于芯片主动面表面;所述芯片的底部有保护膜,芯片主动面和芯片之间介电质层顶部覆盖有第一绝缘层,第一绝缘层在芯片主动面焊盘上有开口;第一绝缘层表面有重布线层,第一绝缘层和重布线层上面覆盖第二绝缘层,第二绝缘层在重布线层焊盘上有开口;重布线层焊盘上有凸点下金属层,在凸点下金属层上有凸块,所述凸块通过凸点下金属层、重布线层与芯片主动面焊盘形成电连接。本发明仅用一块载板;采用膜辅助成型塑封技术,芯片间隙介电质填充层厚度可控,一次性到位。
  • 半导体器件封装结构制作方法
  • [发明专利]一种气化剂强旋转粉煤气化炉及气化方法-CN201610555061.3有效
  • 陈智超;方能;李晓光;刘一波;王浩鹏;曾令艳;李争起 - 哈尔滨工业大学
  • 2016-07-14 - 2018-09-11 - C10J3/50
  • 一种气化剂强旋转粉煤气化炉及气化方法,本发明涉及一种气化炉及气化方法,本发明是为了解决现有技术中气化炉内壁面容易磨损,气化炉中心回流区不稳定,容易引发偏烧的问题,导致气化炉停车,给企业造成经济损失的问题,它包括粉煤烧嘴、气化炉体、水冷壁、合成气通道管和气化剂喷口,气化炉体是由半球体和圆柱体组成,水冷壁安装在气化炉体内,水冷壁由多根竖直圆管并排设置组成,气化炉膛是由水冷壁围成的回转体,渣池位于气化炉体的底部,合成气通道插装在气化炉体的下部,气化剂喷口由上至下依次均布并排设置在气化炉体上部的侧壁上,粉煤烧嘴安装在气化炉体的顶部,本发明属于煤气化领域。
  • 一种气化旋转粉煤方法
  • [发明专利]一种采用硅基CMOS工艺实现的太赫兹振荡器-CN201610110869.0有效
  • 毛陆虹;刘一波 - 天津大学
  • 2016-02-29 - 2018-08-24 - H03B5/12
  • 一种采用硅基CMOS工艺实现的太赫兹振荡器,包括有振荡器电路,所述的振荡器电路的输出连接用于起到缓冲作用实现混频的缓冲电路,所述的缓冲电路的输出连接到输出端Vout。本发明突破了截止频率和功率增益截止频率(最大振荡频率)对振荡器输出信号的限制,从而使CMOS工艺电路的工作范围跨越进了太赫兹的门槛,具有兼容性好,集成度高,成本低,版图占用面积小等显著优点,输出功率更大,损耗更小,应用更灵活,除能够得到二次谐波2ω0信号以外,可以根据实际需要,得到三次谐波3ω0或其他次谐波信号输出,而不用大幅度修改电路结构和版图。
  • 一种采用cmos工艺实现赫兹振荡器

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