专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于磁纳米粒子的IGBT结温测量方法-CN201910127850.0有效
  • 刘文中;凌子文;杜中州;皮仕强 - 华中科技大学
  • 2019-02-20 - 2020-05-19 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种基于磁纳米粒子的IGBT结温测量方法,包括:将磁纳米粒子布置在IGBT芯片外壳背部的中心区域,构建IGBT结、IGBT芯片外壳与工作环境的二阶传热模型;构建均匀的交流激励磁场,将带有磁纳米粒子的IGBT芯片放置于所述磁场后,提取磁纳米粒子响应信号的一次谐波幅值;根据一次谐波幅值,计算IGBT芯片外壳背部温度;根据IGBT芯片外壳背部温度、工作环境温度和二阶传热模型,计算IGBT结温。本发明使磁纳米粒子接近IGBT结处,提高IGBT结温测量的精度;利用磁纳米粒子磁化强度的温度敏感特性,测量磁纳米粒子交流磁化强度的一次谐波幅值,得到外壳背部温度,无需破坏IGBT芯片的现有封装,实现非侵入式温度测量;通过二阶热容热阻传热模型,实现IGBT结温的实时测量。
  • 一种基于纳米粒子igbt测量方法

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