“冯宇翔”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果990个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种高压集成电路-CN202211502756.7有效
发明人： 冯宇翔;左安超;华庆 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压集成电路，其包括依次连接的信号输入端、第一施密特电路、滤波器、电平转换电路、温控脉冲电路、高侧驱动电路以及信号输出端；所述温控脉冲电路包括分别与所述电平转换电路的输出端连接的第一单脉冲GEN电路和第二单脉冲GEN电路、连接至所述第一单脉冲GEN电路的第一温控电路以及连接至所述第二单脉冲GEN电路的第二温控电路。本发明可以在高压集成电路的内部温度过高时，将信号输入端输入的信号拉低，以使高压集成电路停止工作，从而避免高压集成电路的温度逐渐升高，最终导致高压集成电路失效的问题。
一种高压集成电路

[发明专利]一种功率模块-CN202211510305.8在审
发明人： 冯宇翔 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L23/043 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率模块，其包括：基板，所述基板的其中一个侧面作为安装面；多个元器件，多个所述元器件间隔固定于所述安装面，多个所述元器件之间、所述元器件与所述基板的电路层之间相互电连接；塑料外壳，所述塑料外壳包括呈环状的周壁以及间隔设置于所述周壁上的多个金属连接端子，所述周壁套设固定于所述基板的周侧，所述金属连接端子与所述元器件之间、所述金属连接端子与所述电路层之间相互电连接，所述金属连接端子用于与引脚实现电连接；盖板，所述盖板盖设于所述周壁围设形成的空间内。本发明中的功率模块可以通过金属连接端子连接不同外观的引脚，使其适用于不同的终端产品，以便于自动化生产。
一种功率模块

[发明专利]功率模块及功率系统-CN202211511098.8在审
发明人： 冯宇翔 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率模块及功率系统，其中，所述功率模块包括：基板，所述基板的其中一个侧面作为安装面；多个元器件，多个所述元器件间隔设置于所述安装面上，多个所述元器件之间、所述元器件与所述基板的电路层之间相互电连接；多个引脚，多个所述引脚间隔设置于所述安装面上；金属铜管，所述金属铜管贴设固定于所述基板的至少一部分周壁位置，所述金属铜管的两个端口分别作为冷却剂入口和冷却剂出口；塑封料，所述塑封料设置于所述安装面上。本发明中的功率模块由于无需增加体积较大的散热器，因此缩小了功率模块的整体体积，使其适用于安装空间较小的设备。
功率模块系统

[发明专利]一种半导体电路及其制造方法-CN202211454947.0在审
发明人： 冯宇翔;黄浩 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体电路及其制造方法，包括金属基板、多个电路元器件、绑定金属线、金属引脚以及封装体，所述金属基板包括金属基材、开设于所述金属基材背面的管槽、镶嵌于所述管槽内且具体有散热功能的管道以及压合于所述金属基材远离所述管槽一面的电路布线层；多个电路元器件配置于所述电路布线层特定位置处；绑定金属线用于实现所述多个电路元器件之间的电连接；金属引脚与所述电路布线层连接且延伸至所述金属基板外；封装体其半包覆于所述金属基板的正侧面，或全包覆于整个所述金属基板，以至少将所述金属引脚与所述电路布线层的连接部分密封。本发明的半导体电路增加了热容、安装效率高、结构简单、实用性强。
一种半导体电路及其制造方法

[发明专利]一种功率模块-CN201910792659.8有效
发明人：兰昊;冯宇翔 -专利权人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种功率模块，包括：至少一个功率器件以及围绕所述功率器件的隔离沟槽；其中，所述功率器件至少包括沿所述功率模块厚度方向上，设置在所述功率模块一侧的第一金属电极以及设置在所述功率模块另一侧的第二金属电极；所述隔离沟槽沿所述功率模块厚度方向上至少从所述第一金属电极延伸至所述第二金属电极；如此，所述隔离沟槽为所述功率器件提供了足够的耐压，增强了所述功率器件之间的隔离效果；基于所述隔离沟槽的设置，所述功率模块可以具有更高的集成度以及更小的结构尺寸，为功率模块的封装布局提供了有利条件。
一种功率模块

[实用新型]一种半导体电路及智能功率模块-CN202222641578.8有效
发明人： 冯宇翔;谢荣才;华庆;李强;盛爽;蒋华杏;高远航 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体电路及智能功率模块，包括：驱动IC芯片、多个电容和多组功率模块，所述驱动IC芯片引脚分别与所述多个电容、所述多组功率模块电连接；所述多组功率模块包括RC绝缘栅双极型晶体管和与所述RC绝缘栅双极型晶体管并联的绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的源极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的源极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的漏极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的漏极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极、所述RC绝缘栅双极型晶体管的栅极分别连接至所述驱动IC芯片的引脚。本实用新型体积小、工艺简单、生产效率高。
一种半导体电路智能功率模块

[发明专利]一种横向功率器件-CN201911340922.6有效
发明人： 冯宇翔;魏调兴 -专利权人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向功率器件，该横向功率器件包括栅介质层、第一槽栅、有源层以及第二槽栅，第一槽栅形成在栅介质层内，第一槽栅沿第一方向的截面为U型；有源层形成在栅介质层内，有源层沿第一方向的截面为U型，且U型的有源层位于U型的第一槽栅之内；第二槽栅形成在栅介质层内，且第二槽栅位于U型的有源层的两端之间。本发明通过第一槽栅和第二槽栅的协同作用，能够直接调控整个有源层的电子注入能力，降低横向功率器件的导通压降，从而大幅提高横向功率器件的电流能力。
一种横向功率器件

[发明专利]一种智能家居设备的控制系统及方法-CN201610696841.X有效
发明人：李媛媛;冯宇翔 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G05B15/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种智能家居设备的控制系统及方法，所述系统包括：传感器系统、处理器、中继系统及多个第一家居设备；所述传感器系统周期性地采集局域网范围内的环境信息及人体信息，并发送至所述处理器；所述处理器获取所述环境信息及所述人体信息，根据环境信息及所述人体信息生成第一控制信号，并将所述第一控制信号发送至所述中继系统；所述中继系统将所述第一控制信号转换为红外信号，并将所述红外信号发送至对应的第一家居设备；所述第一家居设备接收所述红外信号，执行所述红外信号对应的命令。本发明通过中继系统将传统家电纳入智能家居物联网，实现智能家居设备和传统家电的统一控制，从而达到各家电设备的统一协调运行。
一种智能家居设备控制系统方法

[发明专利]绝缘栅极晶体管及其制备方法和应用-CN201910765512.X有效
发明人： 冯宇翔;张远浩;李媛媛 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提出了绝缘栅极晶体管及其制作方法和应用。该绝缘栅极晶体管包括：漂移区；P阱区，设置在漂移区的一侧；有源区，设置在P阱区远离漂移区的一侧；栅极，设置在P阱区远离漂移区的一侧；发射极，设置在有源区和P阱区远离漂移区的一侧；缓冲层，设置在漂移区远离栅极的一侧；集电区，设置在缓冲层远离漂移区的一侧；集电极，设置在集电区远离漂移区的一侧；其中，集电区由多个P+离子掺杂的第一层和多个P‑离子掺杂的第二层交替层叠设置。本发明所提出的绝缘栅极晶体管，其集电区由P+/P‑复合结构层组成，优化少子的注入效率，降低关断损耗和反向电流对器件损坏的风险，有利于漂移区中载流子浓度的均匀分布，从而具有更加优化的动态和静态损耗。
绝缘栅极晶体管及其制备方法应用

[实用新型]一种功率模块-CN202222233196.1有效
发明人： 冯宇翔;左安;蒋华杏 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率模块，其包括铝基板、绝缘层、模块引脚、芯片单体、三极晶体管、快恢复二极管、电路布线以及密封树脂层；所述芯片单体为驱动芯片采用SOIC封装技术封装形成具有多个芯片引脚的芯片结构，部分所述芯片引脚与所述电路布线电连接，剩余的所述芯片引脚通过中铝线所述三极晶体管电连接，所述三极晶体管通过粗铝线与所述快恢复二极管电连接，所述快恢复二极管通过所述粗铝线与所述模块引脚电连接；所述中铝线的线径为5mil，所述粗铝线的线径为16mil。本实用新型的功率模块不仅减少了细铝线的工序，还提升了抗模流冲击能力、生产效率及品质。
一种功率模块

[发明专利]一种半导体电路-CN202211472986.3在审
发明人： 冯宇翔;谢荣才 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H02H7/122 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体电路，包括：驱动IC电路、与驱动IC电路连接的温度采集电路、与驱动IC电路连接的上下桥臂电路、以及PFC电路，PFC电路与驱动IC电路连接；温度采集电路包括上拉电阻和与上拉电阻连接的热敏电阻NTC，上拉电阻和热敏电阻NTC的一端分别与驱动IC电路的VTC端口连接，上拉电阻的另一端连接至VCC，热敏电阻NTC的另一端接地；模组内在PFC的功率元件附近，放置温度采集电路NTC，当温度采集电路采集到PFC电路的温度过高时，模组就会关断PFC功能，当模组的温度降下到一定温度后，模组会恢复PFC功能，让其可以正常工作。本发明的半导体电路温度控制效果好，可靠性高。
一种半导体电路

[发明专利]高压集成电路和半导体电路-CN202211237161.3有效
发明人： 冯宇翔;左安超 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供一种高压集成电路和半导体电路，所述高压集成电路包括第一晶体管、自举控制电路、升压电路以及驱动电路；所述第一晶体管连接至所述高压集成电路的电源电压端口；所述自举控制电路用于将所述升压电路输出的电压处理产生自举电压，再检测所述自举电压的大小并根据所述自举电压的大小控制所述第一晶体管的开通和断开；所述自举电压高于预设值时，所述自举控制电路控制所述第一晶体管的断开以隔离所述自举电压通过所述第一晶体管输出至所述高压集成电路的电源电压端口；所述升压电路用于将所述高压集成电路的电源电压端口输入的电源电压升压。与相关技术相比，本发明的高压集成电路和半导体电路的可靠性高。
高压集成电路半导体电路

[实用新型]一种优化扫描平面度的激光雷达-CN202222174081.X有效
发明人：张海泉;冯宇翔 -专利权人：山东富锐光学科技有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：一种优化扫描平面度的激光雷达，涉及激光雷达领域。优化扫描平面度的激光雷达包括相互连接的头部组件和尾部组件，头部组件包括光学罩、反射镜旋转组件和激光收发组件；反射镜旋转组件包括固定于光学罩顶部的电机、连接于电机输出轴的反射镜及连接于反射镜镜面的通光筒；激光收发组件包括连接于光学罩底部的接收镜座、连接于接收镜座顶部的接收镜、贯穿接收镜中轴线的准直镜筒、固定于准直镜筒顶部和底部的准直镜和半导体激光二极管，准直镜筒的顶部连接有底部压紧准直镜的光阑，接收镜座底面设有雪崩光电二极管，尾部组件包括顶部与光学罩底部连接的底壳，接收镜座设于底壳内。优化扫描平面度的激光雷达能够减小激光雷达的扫描平面度。
一种优化扫描平面激光雷达

[实用新型]一种基于光纤光源的激光雷达-CN202222174082.4有效
发明人：张海泉;冯宇翔;张强 -专利权人：山东富锐光学科技有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：一种基于光纤光源的激光雷达，涉及激光雷达领域。基于光纤光源的激光雷达包括上下布置且相互连接的头部组件和尾部壳体，尾部壳体内设有尾部组件，尾部组件包括与头部组件底部连接的中部支架、固定于中部支架上的准直‑接收镜组、设于中部支架下方的回波接收电路板、激光耦合二极管及分别固定于中部支架侧壁的高压发射电路板、核心电路板和电源电路板；中部支架通过至少三根支柱与回波接收电路板连接，激光耦合二极管包括与高压发射电路板电连接的耦合端、与准直‑接收镜组底部连接的金属插芯端及两端分别与耦合端和金属插芯端连接的光纤。基于光纤光源的激光雷达实现了在小空间内部导入激光耦合二极管并保证出光功率。
一种基于光纤光源激光雷达

[实用新型]一种半导体器件功率模块-CN202222746584.X有效
发明人： 冯宇翔;张土明 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件功率模块，包括：HVIC芯片、滤波电容、限流电阻、VSS信号线以及绑定线，所述滤波电容和所述限流电阻并联后的第一端连接所述VSS信号线的第一端，所述VSS信号线的第二端连接至所述HVIC芯片的背面金属衬底，所述滤波电容和所述限流电阻并联后的第二端接地，所述绑定线第一端连接所述HVIC芯片的正面，所述绑定线的第二端通过PAD绑定焊点焊接在所述VSS信号线上；这样在电路的共地端，通过限流电阻和滤波电容再与HVIC芯片的背面的金属衬底相连，能够增强滤波效果，抗干扰能力更强，使得智能功率模块的可靠性更高。本实用新型的半导体器件功率模块的抗干扰能力强，可靠性高。
一种半导体器件功率模块