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[实用新型]一种石英管放置装置-CN202220283434.7有效
发明人： 关活明;欧俊朝;李启聪;黄俊健;廖智宏;黄典明 -专利权人：台山市华兴光电科技有限公司
申请日： 2022-02-12 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B65D25/10 文献下载
摘要：一种石英管放置装置，涉及一种放置装置，包括底座，底座底部的两端上设有卡扣，底座的一侧的顶端上设有两个固定模组，两个固定模组的顶端上分别设有延迟感应器，两个固定模组的一侧上分别设有夹紧模组且夹紧模组的底端与底座一侧顶端的两条轨道为滑动连接。通过此装置可以实现，设置有设置有延迟感应器，可检测石英管在顶端位置后控制夹紧模组向固定模组延时移动夹紧，设置有可移动的夹紧模组，可根据石英管的大小进行宽度的调节，设置有胶条A和胶条B，可以避免石英管的损坏和摩擦。
一种石英管放置装置

[实用新型]一种磷化铟坩埚支架-CN202220270112.9有效
发明人： 关活明;欧俊朝;李启聪;黄俊健;廖智宏;黄典明 -专利权人：台山市华兴光电科技有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：一种磷化铟坩埚支架，涉及一种支撑装置，包括底座及地脚，底座的底部设有若干个地脚，底座的内部设有若干个支柱，支柱的之间设有加强筋，支柱的顶部设有安装支架，安装支架之间设有支架装置且两者之间通过轴承连接，所述的支柱的顶部设有限位块A，限位块A的底部设有限位块B，限位块B的一侧上设有同步带轮组A且同步带轮组A的一端与支架装置连接，同步带轮组A的一端上设有同步带轮组B，同步带轮组B的另一端上设有电机A的输出轴，电机A设在底座的一侧。通过该装置可实现，设有翻转装置，可对接自动化生产线，避免人工搬运石英坩埚中失误造成石英坩埚的损坏；设有减震及微力夹紧装置，避免夹持力过大造成石英坩埚碎裂。
一种磷化坩埚支架

[实用新型]一种种子吸料装置-CN202220283448.9有效
发明人： 关活明;欧俊朝;李启聪;黄俊健;廖智宏;黄典明 -专利权人：台山市华兴光电科技有限公司
申请日： 2022-02-12 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B65G47/91 文献下载
摘要：一种种子吸料装置，涉及一种吸料装置，包括支架，支架外部的两侧顶端上设有放置腔，一侧的放置腔的底端上设有进气泵且进气泵的一端与支架的外壁连接，支架外部的两侧底端上设有夹紧模组，支架的内部设有吸盘模组且吸盘模组通过卡扣与支架的内壁连接。通过此装置可以实现，设置有多通道进气的夹紧模组，可灵活使用夹紧杆进行夹紧工作，放置腔内设有摩擦纹，可使装置在被夹紧时更加稳固，吸盘模组内部设有定位针，可以准确定位种子盘的中心点，使种子盘保持正中位置。
一种种子装置

[实用新型]一种磷化铟无尘装料装置-CN202220270665.4有效
发明人： 关活明;欧俊朝;李启聪;黄俊健;廖智宏;黄典明 -专利权人：台山市华兴光电科技有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B01J4/00 文献下载
摘要：一种磷化铟无尘装料装置，涉及一种填料装置，包括机架，机架前有前门，前门下有操作门，操作门内设密封手套，机架两侧有流出门，流出门内有防尘布帘及吸尘风扇，流出门一侧有传输装置，传输装置在机架内，机架底有底箱，机架顶有除尘装置，除尘装置有机械手，机械手上有储料区且储料区在机架内，机架后有后门，机械手包括移载模组A、移载模组B及移载模组C。通过该装置可实现，隔离式人工操作台及自动化装料装置，使该装置在人工基础上连接自动化生产线，避免人工接触磷化铟，避免磷化铟造成人体损伤；使用丝杆运动模组，提升装填精度，同时提高取料爪行程，简化移载装置结构空间，便于日常维护；有除尘装置，减少灰尘进入，避免造成原料污染。
一种磷化铟无尘装料装置

[发明专利]一种P型磷化铟单晶制备配方及制备方法-CN201710497934.4有效
发明人： 关活明 -专利权人：台山市华兴光电科技有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型磷化铟单晶制备配方及制备方法，原料组成为：InP多晶料、单质锌、三氧化二硼和红磷；按生成100克P型磷化铟单晶计，InP多晶料为99.5克，单质锌为0.2‑0.8克，三氧化二硼的质量不少于32克，所述红磷的量根据理想气体状态方程计算，其中压力控制在2.7‑3.5兆帕，温度控制在1062‑1100℃，本发明通过严格控制化学配比，同时建立良好的热场，使熔体内径向温度梯度和纵向温度梯度更加合理，生长出残余应力小、位错密度低、电学参数均匀的高质量P型磷化铟晶体。
一种磷化铟单晶制备配方方法

[发明专利]一种半绝缘磷化铟单晶生长制备配方-CN201310079877.X有效
发明人： 关活明 -专利权人：台山市华兴光电科技有限公司
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种半绝缘磷化铟单晶生长制备配方，该配方按原料重量百分比组成为：InP多晶料97.00～98.50％，三氧化二硼0.75～1.50％，红磷1.00～1.50％，铁0.02～0.03％。本发明可以获得高质量、大直径InP单晶，且生产效率高，同时晶片上的性能均匀和稳定且寿命长，制备出来的<100>InP单晶和单晶片经过测试其电阻率在10⁷Ω·cm以上。
制备配方磷化铟单晶半绝缘单晶原料重量百分比三氧化二硼生产效率单晶片电阻率多晶料生长红磷晶片测试

[发明专利]一种N型磷化铟单晶生长制备配方-CN201310079859.1有效
发明人： 关活明 -专利权人：台山市华兴光电科技有限公司
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种N型磷化铟单晶生长制备配方，该配方按原料重量百分比组成为：InP多晶料96.50～97.50％，三氧化二硼1.40～2.00％，红磷1.00～1.50％，硫0.01～0.02％。本发明可以获得高质量、大直径InP单晶，且生产效率高，降低消耗、提高劳动生产率，制备出来的<100>InP单晶和单晶片经过测试其平均EPD小于5.0×104cm‑2，载流子浓度小于3.8×1018cm‑3。
一种磷化铟单晶生长制备配方

[发明专利]一种磷化铟多晶材料的清洗方法-CN201710497976.8在审
发明人： 关活明 -专利权人：台山市华兴光电科技有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟多晶材料的清洗方法，该方法包括以下步骤1)先将磷化铟多晶晶锭放入乙醇中浸泡，然后放入温度为60℃丙酮中浸泡3‑10分钟，用去离子水冲洗或者用小刷子刷洗去除表面黑胶；然后放入温度为70℃的醋酸中浸泡去除粘胶；接着用#100金钢沙纸去除所有痕迹，磨圆材料边，得到粗产品；2)将步骤1)得到的粗产品放入由氨水、过氧化氢和去离子水组成的混合溶剂中浸泡2小时，取出后用去离子水冲洗，超声波清洗20分钟，然后放入盛甲醇的敝口容器中清洗，取出晾放得到清洗后的磷化铟多晶材料。本发明能在15小时内去除掉磷化铟多晶材料表面杂质，如铁、镁、钙、铜、胶质、涂料等。本发明得到的产品纯度对重金属清洗洁净度≤10PPM。
一种磷化多晶材料清洗方法

[实用新型]一种用于制备磷化铟单晶的高压炉-CN201720132435.0有效
发明人： 关活明 -专利权人：台山市华兴光电科技有限公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于制备磷化铟单晶的高压炉，包括支撑架、固定框架、炉体和炉膛，所述炉膛内设有加热单元，所述加热单元中设有坩埚固定座，所述炉体包括中空的壳体、上端盖和下端盖，所述固定框架包括压板、支承板、侧板、螺杆和螺母，所述压板位于炉体上、下两端，所述支承板套设在壳体上，所述侧板固定连接在支承板的两侧，所述螺杆贯穿压板和支承板，并通过螺母将炉体密封并固定在固定框架上，所述侧板和支撑架上端的侧壁之间设置有翻转机构。本实用新型的用于制备磷化铟单晶的高压炉，通过翻转机构实现炉体在竖直和水平之间进行切换，便于装炉和卸炉，减轻操作人员的工作量，提高生产效率。
一种用于制备磷化铟单晶高压

[实用新型]一种磷化铟单晶生长装置-CN201720133446.0有效
发明人： 关活明 -专利权人：台山市华兴光电科技有限公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磷化铟单晶生长装置，包括高压炉、氮气系统、加热系统、冷却系统和控制系统，所述高压炉包括支架、炉体和往复式翻转机构，所述氮气系统包括气罐和可控电动阀，所述加热系统包括设置在炉体内腔的加热器和坩埚固定座，所述冷却系统包括依次连通水箱、散热器、水泵和空心铜管，所述控制系统包括压力传感器、热电偶、温度传感器和可编程逻辑控制器。本实用新型的磷化铟单晶生长装置，自动化程度高，能有效提高磷化铟单晶的生长质量和生产效率。
一种磷化铟单晶生长装置

[实用新型]一种用于制备磷化铟单晶的控制系统-CN201720134808.8有效
发明人： 关活明 -专利权人：台山市华兴光电科技有限公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于制备磷化铟单晶的控制系统，包括主控制器、受该主控制器控制的温度控制模块、压力控制模块和冷却控制模块；所述温度控制模块用于调节生长炉内的温度；所述压力控制模块用于调节生长炉内的压力；所述冷却控制模块用于调节生长炉炉体的温度，实现对生长炉的快速冷却。本实用新型的用于制备磷化铟单晶的控制系统，能够实现完全自动化，其控制精度高、可靠性高、稳定性好。
一种用于制备磷化铟单晶控制系统

[实用新型]一种用于制备磷化铟单晶的石英坩埚的封口装置-CN201720134929.2有效
发明人： 关活明 -专利权人：台山市华兴光电科技有限公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于制备磷化铟单晶的石英坩埚的封口装置，包括工作台，设置在工作台上的具有空心结构的L形底座，设置在工作台下的抽真空装置，所述抽真空装置与L形底座的竖直端连通，所述L形底座水平端转动连接一空心结构的坩埚固定架，所述工作台上还设有一坩埚支撑架和一焊接装置。本实用新型的用于制备磷化铟单晶的石英坩埚的封口装置，通过将石英坩埚转动套接在抽真空装置上，实现在抽真空的同时对石英坩埚进行全面烧焊密封，有效提高石英坩埚的密封效果，其操作简单方便，提高了生产效率，降低了生产成本。
一种用于制备磷化铟单晶石英坩埚封口装置

[发明专利]磷化铟生长坩埚清洗方法-CN201310355906.0有效
发明人： 关活明 -专利权人：台山市华兴光电科技有限公司
申请日： 2013-08-14 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： B08B7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种磷化铟生长坩埚清洗方法，包括1、先将磷化铟生长坩埚放入超声波清水洗5‑10分钟；2、晾干后放到明火中燃烧5‑10分钟，火焰温度在1200℃以上；3、冷却后取出置入真空烘烤炉中，然后，用抽真空设备将烘烤炉的本底真空度抽至10‑5Pa数量级及以上，温度100‑150℃，持续10‑40分钟；4、冷却后取出放置于真空干燥器中待用。该方法简单易行，清洁效果显著，保证了生产产品的质量。
磷化生长坩埚清洗方法

[发明专利]一种磷化铟生长的压力罐-CN201310355883.3在审
发明人： 关活明 -专利权人：台山市华兴光电科技有限公司
申请日： 2013-08-14 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种磷化铟生长的压力罐，包括外壳4、罐腔，罐腔内设有石英容器9，石英容器9上套有石英帽6，石英容器9外均匀分布有加热管8，石英容器9内套有晶体生长坩埚7，在晶体生长坩埚7圆锥状缸壁与石英容器9之间有石墨垫10，晶体生长坩埚7种晶管上部放种晶11，下部放陶瓷塞12，石英容器9与罐腔内壁充满保温材料13，外壳4外缠绕有冷却管5，控制外壳温度低于30℃，外壳上下端均有配套的密封盖(2、14)和密封圈3，其中上封盖2有气管1，方便高压氮气的输入到罐腔。该设备耐高温高压、抗腐蚀性，热传导系数恒定且一致性，可以保证InP晶体的生成质量。
一种磷化生长压力

[发明专利]一种用于磷化铟生长的电控系统-CN201310355908.X在审
发明人： 关活明 -专利权人：台山市华兴光电科技有限公司
申请日： 2013-08-14 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于磷化铟生长的电控系统，主要包括连接电源电路的中央处理控制电路，信息采集电路以及命令执行电路。本发明的优点在于：能精确控制、可靠性高、稳定性好。
一种用于磷化生长系统

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