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[发明专利]锂电柔性自支撑负极材料Sn/MoOx-CN202210241677.9在审
发明人：吴刚;肖彬;魏镇港;谢泽林;吴亚娟;关春洋;乔帅帅 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司;中国矿业大学
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂电柔性自支撑负极材料Sn/MoOx@CNFs@rGo及其制备方法，制备方法包括以下步骤：称取钼酸钠、氯化亚锡二水合物和溶剂，依次加入烧杯中，盖上保鲜膜，进行搅拌处理；称取高分子表面活性剂加入烧杯中，在60～80℃下搅拌，得到所需纺丝液；纺丝液进行静电纺丝，得前驱体，将前驱体放入烘箱干燥；干燥后的前驱体进行预烧结，得纺丝膜；将纺丝膜作为滤膜，石墨烯分散液作为滤液进行抽滤，得抽滤膜；待抽滤膜干燥后，经过热处理，即得锂电柔性自支撑负极材料Sn/MoOx@CNFs@rGo。本发明方法所得锂电柔性自支撑负极材料为纯相，呈被石墨烯包覆的纳米线状，线直径为100～250nm。
柔性支撑负极材料 sn moo base sub

[发明专利]一种锂电负极材料Mo2-CN202210241697.6在审
发明人：魏镇港;肖彬;吴刚;谢泽林;吴亚娟;关春洋;乔帅帅 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司;中国矿业大学
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂电负极材料Mo2C/NiO@GO碳纳米纤维的制备方法，包括以下步骤：S1:称取氧化镍、四水钼酸铵和溶剂进行超声处理；S2:称取高分子表面活性剂加入烧杯中进行常温搅拌，得到所需纺丝溶液；S3:采用针管吸取纺丝液进行静电纺丝以获得前躯体，在纺丝完成后取下前驱体，在烘箱中进行干燥；S4:对干燥后的前驱体进行预烧结；S5:预烧结后的前驱体进行抽滤；抽滤烘干后对其进行热处理，得到所需的锂离子电池负极材料。本发明的制备方法获得了具有三维网状结构的Mo2C/NiO@GO材料，提高了负极材料的比表面积及电导率，所获得的电池具有较高的比容量以及很好的循环稳定性，具有显著的经济价值。
一种负极材料 mo base sub

[实用新型]可补充硅粉的坩埚组件及碳化硅晶体生长装置-CN202320203414.9有效
发明人：李卫月;吴建;李兆颖;关春洋 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可补充硅粉的坩埚组件及碳化硅晶体生长装置，坩埚组件包括：坩埚；套筒和伸缩杆，套筒设在坩埚内，伸缩杆在第一位置和第二位置之间可上下移动；多个第一连接杆，每个第一连接杆的一端与套筒的顶端可转动地相连，每个第一连接杆的另一端与补料箱固定相连，补料箱包括箱体和滑动板，箱体的顶部设有敞开口，箱体内设有硅粉，滑动板可移动地设于敞开口处；多个第二连接杆，当伸缩杆向下移动到第二位置时，多个第一连接杆处于张开状态，箱体倾斜，滑动板打开敞开口。根据本实用新型的坩埚组件，在长晶中后期，通过控制存料箱打开，箱体中硅粉气化升华，与碳源结合生长碳化硅气体，有利于减少晶体中的碳包裹。
补充坩埚组件碳化硅晶体生长装置

[实用新型]制备碳化钽粉的预处理装置-CN202320115792.1有效
发明人：李卫月;李兆颖;关春洋 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B01F27/90 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制备碳化钽粉的预处理装置，包括第一混料机构、装料机构和压实机构，所述第一混料机构包括第一机壳、第一机盖和第一搅拌机构，所述第一机壳限定出顶部敞开的第一容纳腔，所述第一机壳的底部设有第一出料阀；所述第一机盖设于所述第一机壳的顶部，并设有第一进料斗；所述第一搅拌机构的顶端能够转动地安装在所述第一机盖的中心处；所述装料机构、所述压实机构设于第一混料机构下方，用于向反应坩埚内装料并将料压实；所述反应坩埚可在所述装料机构、所述压实机构间往复移动。本实用新型能够可对钽粉和碳粉进行充分混合，提高了钽粉和碳粉的混合均匀性，还可对混合后粉体的分装、压实，降低了成本，提高了效率。
制备碳化预处理装置

[实用新型]碳化硅晶体清洗装置-CN202320117012.7有效
发明人：李卫月;孟洁;李兆颖;关春洋 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B08B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅晶体清洗装置，包括置料箱、清洗组件和限位组件，置料箱下部开设有排液口，排液口通过排液管路与废水池相连，排液管路上连接有出液阀；清洗组件连接于置料箱上；清洗组件包括一组导向件、过滤件和升降调节件，其中，导向件分别对称设置在置料箱两侧，过滤件连接在导向件内侧上部，升降调节件连接在导向件外侧上部，导向件能够在升降调节件的作用下沿置料箱内壁上下移动；限位组件安装在导向件上，用于限制碳化硅晶体上下移动。本实用新型能够彻底对碳化硅晶体表面进行清洗，去除碳化硅晶体表面的杂质，提高碳化硅晶体的洁净度，且清洗效率高。
碳化硅晶体清洗装置

[实用新型]碳化硅晶体生长装置-CN202223119062.3有效
发明人：李卫月;陈俊宏;关春洋 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：坩埚，坩埚的内顶壁设有籽晶；支撑杆和多个伸缩臂，支撑杆穿设于坩埚，支撑杆与籽晶的中心轴线在同一条直线上，多个伸缩臂绕支撑杆均匀间隔开排布，每个伸缩臂沿坩埚的径向方向水平设置，每个伸缩臂包括第一段和第二段，第一段的径向内端与支撑杆相连，第二段与第一段的径向外端相连，第二段相对第一段可向外移动，每个伸缩臂由钼、钽、铌和钨中的一种或多种材料制得。根据本实用新型的碳化硅晶体生长装置，可实现碳化硅晶体生长中所需的径向温度梯度的改变，从而有利于提高晶体生长的品质。
碳化硅晶体生长装置

[发明专利]一种制备多铁半导体用铪钛酸钡钙的方法-CN202211679739.0在审
发明人：吉祥;田野;彭倩文;陈正;李卫月;关春洋 -专利权人：中国矿业大学;江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C01G27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备多铁半导体用铪钛酸钡钙的方法，包括以下步骤：按照Ba、Ca、Ti、Hf的摩尔比称取乙酸钡、乙酸钙、四氯化铪、钛酸四丁酯原料，利用溶胶‑凝胶方法制得BCHT溶胶；对溶胶进行活化处理；将活化处理后的溶胶放入油浴锅中保温陈化得到凝胶，于真空干燥箱中干燥后得到凝胶干粉；对凝胶干粉进行煅烧、研磨，得到BCHT粉体。本发明克服了现有铪钛酸钡钙粉体制备方法存在的粉体球磨混料不均匀，引入外部杂质，煅烧温度高等问题，具有大幅降低煅烧温度、成分均匀、组分准确、纯度高、产物粉体细小、单分散等优势，有利于提升粉体的烧结性能，为进一步制备高磁电耦合性能多铁半导体压电相奠定了坚实基础。
一种制备半导体钛酸钡方法

[实用新型]一种硅片清洗装置-CN202222622933.7有效
发明人：李卫月;关春洋;李远田 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅片清洗装置，包括清洗槽、第一承载装置、第二承载装置、动力机构和冲淋机构，第一承载装置包括用于承载硅片的承载架和两个分别设置在承载架两端的承载座，承载架包括多根平行布置的承载杆，每根承载杆上设有多个用于插放硅片的插槽；第二承载装置布置在内槽两侧，用于临时承载第一承载装置上的硅片，以使第一承载装置可从硅片上脱离；动力机构与第二承载装置连接，以使第二承载装置在承载硅片状态和脱离硅片状态之间互换；冲淋机构设置在清洗槽的正上方，用于从上方对硅片进行清洗。本实用新型能够对硅片进行集中清洗，可对硅片与硅片承载装置间接触位置进行清洗，提高了杂质去除率，操作简单，清洗效率高。
一种硅片清洗装置

[发明专利]一种合成多铁半导体用LBMO磁性粉体的方法-CN202211679893.8在审
发明人：陈正;田野;彭倩文;吉祥;李卫月;关春洋 -专利权人：中国矿业大学;江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C01G45/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种合成多铁半导体用LBMO磁性粉体的方法，包括如下步骤：首先，通过溶胶‑凝胶方法制备LBMO凝胶，将凝胶烘干后得到LBMO干粉前驱体；其次，将研磨后的干粉前驱体填入氧化锆模具后，装入真空气氛结炉中；最后，将真空气氛结炉进气阀口连接空气鼓风机，开启鼓风并进行煅烧；煅烧完毕后，取出炉中的产物，研磨后得到LBMO粉体。本发明克服了现有LBMO磁性粉体制备方法存在的成分偏离、引入杂质、粉体团聚、产物不纯、结晶程度低、煅烧温度高、保温时间长等问题，具有混料充分均匀、组分控制精确、合成粉体纯度高、合成粉体单分散、提高产物结晶程度、降低煅烧温度、缩短保温时间等优势。
一种合成半导体 lbmo 磁性方法

[实用新型]用于提高硅片表面抛光度的抛光设备-CN202222600956.8有效
发明人：李卫月;关春洋 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于提高硅片表面抛光度的抛光设备，包括工作台、三级抛光装置、旋转台和驱动机构，所述三级抛光装置包括第一抛光设备、第二抛光设备和第三抛光设备，所述第一抛光设备、所述第二抛光设备和所述第三抛光设备均安装在所述工作台表面；所述旋转台的表面周向均布有多个容纳腔，所述容纳腔内安装有安装盘，所述安装盘的表面设置有锥形分流台，所述安装盘的表面开设有放料口；所述驱动机构安装在工作台上，用于驱动所述旋转台旋转。本实用新型通过旋转的方式，使单组硅片进行多级抛光，精度较佳，能够同时为多组硅片进行多级抛光处理，工作效率高，且便于取出和观察硅片，具有较佳的便捷性和实用性。
用于提高硅片表面抛光设备

[实用新型]单晶炉连续加料智能控制系统-CN202122265657.9有效
发明人：郭晓琛;乔帅帅;李远田;燕靖;边丽媛;关春洋;吴亚娟 -专利权人：徐州美芯半导体材料科技有限公司;江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C30B15/28 文献下载
摘要：本实用新型公开一种单晶炉连续加料智能控制系统，包括第一称重器、计时器、控制器以及加料装置，控制器内部预先设定有重量值G和时间间隔T；第一称重器用于采集晶棒的重量信息，加料装置用于存储固体原料，并通过称重传输装置将附体原料添加到坩埚内，第一称重器、第二称重器、皮带传输装置的电机以及出料阀分别通过控制电路与控制器电连接。本实用新型通过对比晶棒固定时间段前后重量差，判断是否需要加料，若需要加料，则向坩埚内加料，加料重量等于上述重量差时，则停止加料，从而完成加料动作。本实用新型能够智能控制加料量，加料精确度高，能够满足晶棒生长对原料的要求，同时能够避免加料过程中在坩埚中产生飞溅。
单晶炉连续加料智能控制系统

[发明专利]一种单晶炉副室智能清洁装置及其控制方法-CN202111182404.3在审
发明人：佘辉;关春洋;吴亚娟 -专利权人：徐州美芯半导体材料科技有限公司;江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： B08B9/08 文献下载
摘要：本发明公开一种单晶炉副室智能清洁装置及其控制方法，包括可伸缩支撑部件和储液装置，可伸缩支撑部件上部安装有清洗装置，储液装置通过第一管路与清洗装置连接，第一管路上连接有抽水泵，还包括车体、控制器和电源，车体内底部固定有电机，电机输出轴与转盘底部圆心相连，转盘底部与电机之间安装有加强筋，加强筋固定在电机轴与转盘底部之间；可伸缩支撑部件安装在转盘上，其顶部安装有第一距离传感器，其下部安装有接水装置，该接水装置直径大于副室内径，第一距离传感器、电机、抽水泵、电源均与控制器电连接。本发明智能化程度高，操作方便、简单，能够有效地避免清洗液滴落到地面，清洁更加彻底，且适用于多种直径的副室。
一种单晶炉副室智能清洁装置及其控制方法

[发明专利]一种高阻片的电阻测量方法-CN202011266350.4在审
发明人：陈正;单彩霞;陈强;樊宇;张平;徐杰;关春洋;张彬 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高阻片的电阻测量方法，包括以下步骤：(1)将高阻片进行快速热处理；(2)将经步骤(1)处理后得到的高阻片进行钝化前预处理；(3)将经步骤(2)处理后得到的高阻片清洗；(4)将经步骤(3)处理后得到的高阻片进行钝化处理；(5)利用四探针法测量步骤(4)得到的高阻片的电阻值。本发明通过向高阻片氧化层中注入带电离子，中和氧化层中产生的电子，由此避免自然氧化层中带电悬挂键对高阻片电阻测量的影响，从而较为准确的测量出高阻片电阻。
一种高阻片电阻测量方法

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