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[发明专利]一种反向恢复时间短的FRD二极管及制备方法-CN202110147809.7有效
发明人：张振中;郝建勇;俞鑫罡 -专利权人：杭州中瑞宏芯半导体有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种反向恢复时间短的FRD二极管及制备方法,包括N型硅衬底层(1)，N型硅衬底层(1)表面分布有若干沟槽(2)，沟槽(2)内侧设有P+衬底结构(3)，N型硅衬底层(1)的外部设有N型硅外延层(4)，N型硅外延层(4)的内侧将沟槽(2)完全填充。本发明通过在N型硅衬底层表面形成的沟槽和P+衬底结构的配合，能够有效提高FRD二极管的反向恢复时间和高温可靠性，并避免对产线造成的污染；同时，沟槽的设置还能够提高FRD二极管的电流密度，从而在提高性能的基础上弥补因工艺造成的正向导通压降增大问题，使本发明同时具有反向恢复时间短、无产线污染和正向导通压降小的特点。
一种反向恢复时间 frd 二极管制备方法

[实用新型]反向恢复时间短的FRD二极管-CN202120308618.X有效
发明人：张振中;郝建勇;俞鑫罡 -专利权人：杭州中瑞宏芯半导体有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种反向恢复时间短的FRD二极管,包括N型硅衬底层(1)，N型硅衬底层(1)表面分布有若干沟槽(2)，沟槽(2)内侧设有P+衬底结构(3)，N型硅衬底层(1)的外部设有N型硅外延层(4)，N型硅外延层(4)的内侧将沟槽(2)完全填充。本实用新型通过在N型硅衬底层表面形成的沟槽和P+衬底结构的配合，能够有效提高FRD二极管的反向恢复时间和高温可靠性，并避免对产线造成的污染；同时，沟槽的设置还能够提高FRD二极管的电流密度，从而在提高性能的基础上弥补因工艺造成的正向导通压降增大问题，使本实用新型同时具有反向恢复时间短、无产线污染和正向导通压降小的特点。
反向恢复时间 frd 二极管