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[发明专利]一种SnS2-x-CN202110892651.6有效
发明人：陈涛;竹文坤;何嵘;杨帆;张克历;乐昊飏;刘欢欢 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： C25B11/054 文献下载
摘要：本发明公开了一种SnS2‑xOx/CC纳米片阵列的制备方法及应用，包括：将SnCl4·5H2O和硫代乙酰胺加入水中，搅拌混合均匀，得到混合液；将混合液和碳纸转移到聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压釜中，在水热反应，反应完毕后，自然冷却至室温，收集产物，分别用纯水和乙醇洗三次，真空干燥，得到SnS2/CC；将SnS2/CC加入马弗炉中，煅烧，得到SnS2‑xOx/CC纳米片阵列。本发明制备了具有表面氧改性的SnS2纳米片阵列，用于将CO2电还原为甲酸盐和合成气(CO和H2)；表面注氧工程实现了Sn活性位点的暴露和最佳的Sn电子态，从而增强了CO2的吸附和活化。SnS2纳米片上的表面注氧显着提高了CO2还原为甲酸盐和合成气(CO和H2)的电催化活性。
一种 sns base sub

[发明专利]光催化还原铀原位配位位点再生的TiO2-CN202111327443.8有效
发明人：何嵘;雷佳;竹文坤;刘欢欢;温逢春;江新颖;乐昊飏;陈佳丽;李烨;臧梦璇 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B01J23/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种光催化还原铀原位配位位点再生的TiO2合成方法及应用，包括以下步骤：步骤一、将TiO2纳米片分散在水中，并加入硝酸双氧铀，混合均匀，得到混合液；步骤二、将混合液加热，脱去水分，将得到的固体在惰性气体气氛中煅烧，冷却至室温，得到用于光催化处理放射性废水的光催化还原铀原位配位位点再生的TiO2。针对氧化物半导体空位有限的问题，利用高温退火，在TiO2纳米片中引入铀单原子掺杂，在光催化环境下原位制造氧空位，实现铀的高容量单原子限域，提高了放射性废液中U(VI)的去除和还原能力。
光催化还原原位配位位点再生 tio base sub

[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法-CN202011581820.6有效
发明人：白航空;竹文坤;邱慧;冯金波;郑在纹;何嵘;李宸;任俨;林丹;杨帆;乐昊飏 -专利权人：绵阳惠科光电科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：将玻璃基板加入去离子水中，超声清洗，风刀吹干；通过磁控溅射工艺在玻璃基板表面沉积金属薄膜，并进行图案化处理，得到栅电极；通过等离子体增强化学气相沉积法镀膜工艺在栅电极表面沉积二氧化硅，即绝缘层；在绝缘层上依次制备铟镓锌氧化物薄膜层Ⅰ、氧化铟薄膜层和铟镓锌氧化物薄膜层Ⅱ，并进行图案化处理，得到有源层；通过磁控溅射工艺在绝缘层及有源层上沉积金属层，并通过对金属层进行图案化处理，得到分别接触有源层两侧的源电极和漏电极；本发明有源层的三层结构可以有效减少有源层的缺陷，从而显著的提高了晶体管的迁移率和电流开关比。
一种薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]一种铟镓锌氧基多层结构薄膜晶体管的制备方法-CN202011581331.0有效
发明人：冯金波;竹文坤;邱慧;白航空;郑在纹;何嵘;李宸;任俨;林丹;杨帆;乐昊飏 -专利权人：绵阳惠科光电科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓锌氧基多层结构薄膜晶体管的制备方法，包括：将玻璃基板加入去离子水中，超声清洗，风刀吹干；通过磁控溅射工艺在玻璃基板表面沉积金属薄膜，并进行图案化处理，得到栅电极；通过等离子体增强化学气相沉积法镀膜工艺在栅电极表面沉积二氧化硅，即绝缘层；在绝缘层上依次制备铟镓锌氧化物薄膜层Ⅰ、氧化铟薄膜层和铟镓锌氧化物薄膜层Ⅱ，并进行图案化处理，得到有源层；通过磁控溅射工艺在绝缘层及有源层上沉积金属层，并通过对金属层进行图案化处理，得到分别接触有源层两侧的源电极和漏电极；本发明采用三层结构可以有效减少有源层的缺陷，从而显著的提高了晶体管的迁移率和电流开关比。
一种铟镓锌氧基多结构薄膜晶体管制备方法

[发明专利]处理放射性废水的表面氧化的二硫化锡纳米片包裹碲纳米线的制备方法-CN202110394062.5有效
发明人：何嵘;雷佳;竹文坤;江新颖;刘欢欢;温逢春;乐昊飏 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种处理放射性废水的表面氧化的二硫化锡纳米片包裹碲纳米线的制备方法，在搅拌下将TeO2缓慢添加到N2H4·H2O中，搅拌溶解，然后将十二烷基硫酸钠溶液滴入，搅拌，离心；将离心后的产物分散于水中，得到Te纳米线溶液；将十二烷基苯磺酸钠、SnCl4·5H2O和L‑半胱氨酸加入乙二醇和蒸馏水的混合溶剂中，搅拌，然后加入Te纳米线溶液，搅拌得到反应液；将反应液移入聚四氟乙烯高压反应釜中，加热反应，待反应体系冷却至室温，离心收集沉淀，用蒸馏水和无水乙醇洗涤，并在真空烘箱中干燥，得到表面氧化的二硫化锡纳米片包裹碲纳米线。本发明制备的表面氧化的二硫化锡纳米片包裹碲纳米线能够较好处理含铀废水，其对六价铀具有较高的光催化还原能力。
处理放射性废水表面氧化硫化纳米包裹制备方法

[发明专利]一种用于导电银浆的微纳米银粉的表面修饰方法-CN202011328286.8有效
发明人：何嵘;竹文坤;罗勇;白文才;乐昊飏;林丹;李宸;任俨;王茜 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于导电银浆的微纳米银粉的表面修饰方法，包括：将银粉置于等离子反应腔体中，抽真空至1.0×10‑4Pa后，通入气压为12～15Pa，气流量为30～50mL/min的氩气20～25min，在50～80W的功率下放电处理12～16min，得等离子体活化的银粉；按重量份，将100份等离子体活化处理的银粉加入200～260份改性溶液中，超声分散后以100～150r/min的速度搅拌25～35min；其中，在搅拌至10～15min时，采用激光脉冲对搅拌的混合料液进行处理3～5min，然后继续搅拌至结束，沉降、洗涤、真空干燥，得到表面修饰后的银粉。本发明通过将银粉进行等离子体活化，改变其表面基团，然后通过改性液对等离子体活化的银粉进行表面修饰，得到的修饰后的银粉的振实密度提高，并且采用该银粉制备的银浆的光电性能优异。
一种用于导电纳米银粉表面修饰方法

[发明专利]一种微纳米银粉的制备方法-CN202011254285.3有效
发明人：何嵘;竹文坤;罗勇;白文才;乐昊飏;林丹;李宸;任俨;王茜 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种微纳米银粉的制备方法，包括：将银化合物、分散剂和硫酸钾混合，得到混合原料，将混合原料置于低温搅拌球磨机的球磨罐中，然后加入氧化锆磨球，以液氮为球磨介质进行球磨，得到球磨物料；将球磨原料加入球磨反应釜中，加入氧化锆磨球和醇类进行湿法球磨反应，球磨后，得到含银混合物料；将含银混合物料和还原剂A加入超临界二氧化碳反应器中反应，然后泄压，将反应后的物料全部加入水热反应釜中，同时加入还原剂B，进行水热反应，反应后冷却至室温，分离反应产物，洗涤，干燥，得到微纳米银粉。本发明制备出振实密度高、分散性好、粉体粒径分布窄的微纳米银粉；其具有良好的稳定性和导电率，以及良好的附着力和印刷性能。
一种纳米银粉制备方法

[发明专利]一种IGZO阵列基板的制备方法-CN202011387678.1有效
发明人：冯金波;邱慧;郑在纹;竹文坤;何嵘;李宸;任俨;林丹;杨帆;乐昊飏 -专利权人：绵阳惠科光电科技有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGZO阵列基板的制备方法，包括：将玻璃基板依次加入丙酮、去离子水和乙醇中，超声清洗，风刀吹干；通过磁控溅射工艺在玻璃基板表面沉积金属薄膜，并进行图案化处理，得到栅电极；通过旋涂的方法在栅电极表面制备有机绝缘层，然后进行热退火，得到绝缘层；通过磁控溅射方法在绝缘层上制备铟镓锌氧化物半导体薄膜，并进行图案化处理，得到有源层；通过磁控溅射工艺在绝缘层及有源层上沉积金属层，并通过对金属层进行图案化处理，得到分别接触有源层两侧的源电极和漏电极；本发明制备的IGZO靶材的致密度高，采用该IGZO靶材制备的铟镓锌氧化物半导体薄膜作为有源层，可以显著提高薄膜晶体管的器件性能。
一种 igzo 阵列制备方法

[发明专利]一种铟镓锌氧化物薄膜晶体管器件的制备方法-CN202011302452.7有效
发明人：冯金波;邱慧;郑在纹;竹文坤;何嵘;李宸;任俨;林丹;杨帆;乐昊飏 -专利权人：绵阳惠科光电科技有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓锌氧化物薄膜晶体管器件的制备方法，包括：将玻璃基板依次加入清洗液和去离子水中，分别超声清洗，风刀吹干；通过磁控溅射工艺在玻璃基板表面沉积金属薄膜，并进行图案化处理，得到栅电极；通过等离子体增强化学气相沉积法镀膜工艺在栅电极表面沉积二氧化硅，即绝缘层；在绝缘层上制备铟镓锌氧化物半导体薄膜，并进行图案化处理，得到有源层；通过磁控溅射工艺在绝缘层及有源层上沉积金属层，并通过对金属层进行图案化处理，得到分别接触有源层两侧的源电极和漏电极。本发明制备工艺简单、可控，成本低，光电性能优良。
一种铟镓锌氧化物薄膜晶体管器件制备方法

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