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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置的制造方法及底部填充膜-CN201680006768.7有效
发明人： 久保田健二;斋藤崇之 -专利权人：迪睿合株式会社
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：提供在成批压接多个半导体芯片的情况下，也能得到无空隙安装及良好的焊接性的半导体装置的制造方法及底部填充膜。具有：搭载工序，隔着底部填充膜而将形成有带焊锡电极的多个半导体芯片搭载到形成有与带焊锡电极对置的对置电极的电子部件；以及压接工序，将多个半导体芯片和电子部件，隔着底部填充膜成批压接。底部填充膜含有环氧树脂、酸酐、丙烯树脂、和有机过氧化物，最低熔化粘度为1000Pa·s以上且2000Pa·s以下，从比到达最低熔化粘度温度高10℃的温度到比该温度高10℃的温度的熔化粘度梯度，为900Pa·s/℃以上且3100Pa·s/℃以下。
半导体装置制造方法底部填充

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