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[发明专利]高频功率放大器件-CN202280009631.2在审
发明人：大桥一彦;上谷昌稔 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：高频功率放大器件(200)具备：第二高频信号线(2)，向多层安装台基板(100)的第一主面(101)的载波放大器半导体器件(11)、峰值放大器半导体器件(12)、偏置电源半导体器件(13)及载波放大器半导体器件(11)或峰值放大器半导体器件(12)传输高频信号；以及载波放大器用偏置电源线(31)，在第三布线层(105)上布线，并供给偏置电源电压。第二高频信号线(2)与载波放大器用偏置电源线(31)在平面图中交叉，具备：作为接地电位的屏蔽图案(121)，在第一布线层(103)与第三布线层(105)之间的第二布线层(104)上；以及1个以上的连接导孔(131)，沿着载波放大器用偏置电源线(31)的延伸方向设置，1个以上的连接导孔(131)与屏蔽图案(121)连接。
高频功率放大器

[发明专利]高频用晶体管-CN201880013005.4有效
发明人：山本兴辉;上谷昌稔;松田慎吾;杉山宽;本吉要;中山雅央 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：高频用晶体管具有源极电极(3)、漏极电极(2)、栅极电极(1)、以及向栅极电极(1)施加电压的栅极驱动布线(12)，在栅极电极(1)与栅极驱动布线(12)之间连接有阻抗调整电路(4)，从阻抗调整电路(4)来看与栅极电极(1)的连接点时的栅极电极(1)的特性阻抗为Z1，从阻抗调整电路(4)来看与栅极驱动布线(12)的连接点时的栅极驱动布线(12)的特性阻抗为Z2，阻抗调整电路(4)的特性阻抗X为Z1与Z2之间的值。
高频晶体管

[发明专利]高频放大器-CN201880009736.1有效
发明人： 上谷昌稔;松田慎吾;山本兴辉 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H03F1/07 文献下载
摘要：高频放大器(10)具备：载波放大器(CA)，将第一信号放大；峰值放大器(PA)，将第二信号放大；第一传送线路(L1)，连接在载波放大器(CA)的输出端子(OUT)与峰值放大器(PA)的输出端子(OUT)之间，具有规定频带的中心频率的1/4波长的电气长度；第二传送线路(L2)，连接在第一传送线路(L1)的一端与输出端子(OUT)之间，具有中心频率的1/4波长的电气长度；以及阻抗补偿电路(12)，一端连接于第一传送线路(L1)与第二传送线路(L2)的连接点(X)；在中心频率下，从连接点(X)看阻抗补偿电路(12)时的阻抗的虚部具有与从连接点(X)看第二传送线路(L2)时的阻抗的虚部相反的极性。
高频放大器

[发明专利]功率放大装置-CN202080025389.9有效
发明人：大桥一彦;上谷昌稔;山本兴辉 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：功率放大装置(100)具有：第1半导体芯片(103)，具有第1主面(301)以及第2主面(302)；第1场效应晶体管；第1漏极指状部(21)、多个第1栅极指状部(11)以及源极指状部(31)；底座基板(101)，具有第3主面(303)以及第4主面(304)；以及第1填充孔(108)，被设置成从第3主面(303)贯通到第4主面(304)，在平面图中，第1填充孔(108)的形状为长方形，第1填充孔(108)的长边方向被设置成与多个第1栅极指状部(11)的长边方向并排，在平面图中，第1填充孔(108)被设置在，与多个第1栅极指状部(11)中的一个第1栅极指状部(11)的一部分重叠的位置。
功率放大装置

[发明专利]单片半导体装置以及混合半导体装置-CN202080025404.X在审
发明人：本吉要;上谷昌稔 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：单片半导体装置具有：基板(11)；在基板(11)上形成的第1氮化物半导体层(102)；在第1氮化物半导体层(102)上形成的、带隙比第1氮化物半导体层(102)大的第2氮化物半导体层(103)；在基板(11)上形成的、由第1氮化物半导体层(102)以及第2氮化物半导体层(103)构成的HEMT型的功率放大用的第1晶体管(12)；以及第1偏置电路(20)，被形成在基板(11)上，向第1晶体管(12)的栅极施加偏置电压，且包括被配置在输入到第1晶体管(12)的高频信号的传播路径外的HEMT型的第2晶体管(21)。
单片半导体装置以及混合

[发明专利]高频放大器-CN201980094771.2在审
发明人：前田昌宏;上谷昌稔;松田慎吾 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：高频放大器(30)具备对第一信号进行放大的载波放大器(11)、对第二信号进行放大的峰值放大器(12)、被连接于载波放大器(11)的输出端子的第一匹配电路(33)、被连接于峰值放大器(12)的输出端子的第二匹配电路(36)、被连接于第一匹配电路(33)和第二匹配电路(36)之间且具有小于规定的频带的中心频率的1/4波长的电长度的第一传输线路(40)，构成第一匹配电路(33)以及第二匹配电路(36)的一端被接地的并联电感器(35)以及(38)的带来相位旋转与第一传输线路(40)带来的相位旋转相反朝向。
高频放大器

[发明专利]废气净化过滤器的制造方法、废气净化过滤器和废气净化装置-CN201680040254.3在审
发明人： 上谷昌稔;三岛隆宽 -专利权人：大塚化学株式会社
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： B01J37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种废气净化过滤器的制造方法，该方法无需在制作废气净化过滤器后在含有催化剂颗粒的溶液中浸渗或涂布含有催化剂颗粒的溶液，能够利用简便的方法载持催化剂，能够得到NOx还原效率高的废气净化过滤器。该制造方法的特征在于，包括将含有沸石和载体的原料颗粒的混合物挤出成型而制造成型体的工序；对成型体进行烧制而制造烧结体的工序；在pH 9.5以上的条件下对烧结体进行碱处理的工序；和在碱处理后，将烧结体所含的沸石的离子交换位点的元素交换为过渡金属的工序。
废气净化过滤器制造方法装置

[发明专利]排气净化催化剂、排气净化装置、过滤器和该催化剂的制造方法-CN201380010191.3有效
发明人： 上谷昌稔;三岛隆宽 -专利权人：大塚化学株式会社
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： B01J23/04 文献下载
摘要：本发明提供一种具有能够以低温燃烧PM(颗粒状物质)的高催化活性且耐热性优异的排气净化催化剂、PM的燃烧效率高且耐久性优异的排气净化装置和过滤器以及该催化剂的制造方法。本发明的排气净化催化剂的特征在于其为含有至少1种碱金属、Si和Zr的复合氧化物颗粒。
排气净化催化剂装置过滤器制造方法

[发明专利]排气净化催化剂、排气净化装置和过滤器、以及该催化剂的制造方法-CN201580032812.7在审
发明人：三岛隆宽;上谷昌稔 -专利权人：大塚化学株式会社
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： B01J27/055 文献下载
摘要：本发明提供一种具有能够使PM在低温燃烧的高的催化活性、不存在会造成环境负荷的金属元素的飞散风险的排气净化催化剂、PM的燃烧效率高的排气净化装置和过滤器以及该催化剂的制造方法。其特征在于，含有氧化物和铯盐，其中，氧化物含有选自碱金属和碱土金属中的1种或2种以上的元素(A)以及选自Zr、Si、Al和Ti中的1种或2种以上的元素(B)。
排气净化催化剂装置过滤器以及制造方法

[发明专利]排气净化过滤器和排气净化装置-CN201480047854.3在审
发明人： 上谷昌稔;三岛隆宽 -专利权人：大塚化学株式会社
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： B01J29/70 文献下载
摘要：本发明在于提供一种排气净化过滤器和具备该过滤器的排气净化装置，其中，即使共存有使排气中所含的颗粒状物质(PM)燃烧的催化剂和将氮氧化物还原为氮的SCR催化剂，也不损害SCR催化剂的催化功能。该排气净化过滤器特征在于，具备：含有选自碱金属中的1种或2种以上的元素和选自Zr、Si、Al及Ti中的1种或2种以上的元素的氧化物、以及二氧化硅/氧化铝比为15以上的沸石。
排气净化过滤器装置

[发明专利]双电层电容器用电解液-CN201410064440.3在审
发明人：志摩博昭;引田章二;阿部吉伸;锅岛亮浩;中川泰治;上谷昌稔 -专利权人：大塚化学株式会社
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01G11/58 文献下载
摘要：双电层电容器用电解液，其特征在于含有（a）和（b）：（a）式（1）表示的化合物；（b）含有碳酸乙基甲基酯、选自碳酸乙基甲基酯以外的链状碳酸酯中的至少一种和选自环状碳酸酯中的至少一种的混合溶液。，R¹和R²彼此相同或不同，表示甲基、乙基、甲氧基甲基、乙氧基甲基，也可以由R¹和R²构成环结构。
双电层电容器用电解液

[发明专利]双电层电容器用电解液-CN200880010329.9无效
发明人：志摩博昭;引田章二;阿部吉伸;锅岛亮浩;中川泰治;上谷昌稔 -专利权人：大塚化学株式会社
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01G9/038 文献下载
摘要：双电层电容器用电解液，其特征在于含有(a)和(b)：(a)式(1)表示的化合物，(b)含有碳酸乙基甲基酯、选自碳酸乙基甲基酯以外的链状碳酸酯中的至少一种和选自环状碳酸酯中的至少一种的混合溶液。式(1)中，(R¹和R²彼此相同或不同，表示甲基、乙基、甲氧基甲基、乙氧基甲基，也可以由R¹和R²构成环结构。
双电层电容器用电解液

[发明专利]电解液用添加剂和电解液-CN200780023711.9有效
发明人：冈昭范;志摩博昭;引田章二;阿部吉伸;锅岛亮浩;上谷昌稔 -专利权人：大塚化学株式会社
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01G9/038 文献下载
摘要：式(1)表示的电解液用添加剂和含有该添加剂的电解液。式(1)中，A表示-CH(X)-、-C＝C(X)-，X表示氢、卤素、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为2～5的烷氧羰基、苯甲酰基、碳原子数为3～9的烷氧羰基烷基，Q¹、Q²相同或不同，表示碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为1～4的烷氧基、碳原子数为3～9的烷氧羰基烷基、具有碳原子数为1～4的烷基作为取代基的氨基，A、Q¹和Q²可以构成环结构。
电解液添加剂

[发明专利]电力放大器-CN200710141398.0无效
发明人：川岛克彦;前田昌宏;上谷昌稔 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-08-09 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H03F3/213 文献下载
摘要：一种电力放大器，既避免了电路的复杂化，又使比基本频率宽的频带的二次高频波阻抗控制成为可能。其做法是：使用于输入信号的基本频率的带宽在第一基本频率(F1)到第二基本频率(F2)的宽带的电力放大器用晶体管(102)的输出匹配电路，具有由感应器(108L)和电容器(108C)串联形成的且具有第一基本频率(F1)的两倍频率的共振频率的第一二次高频波串联共振电路(108)，和具有由感应器(109L)和电容器(109C)串联形成的且具有第二基本频率(F2)的两倍频率的共振频率的第二二次高频波串联共振电路(109)。
电力放大器

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