“龚海梅”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果120个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种用于高密度面阵性能验证的测试结构-CN201811387834.7有效
发明人：于春蕾;李雪;邵秀梅;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高密度面阵性能验证的测试结构，所述结构包括半绝缘InP衬底、N型InP缓冲层、InGaAs吸收层、N型InP帽层、光敏区、P电极、N电极。光敏区由18组有效面积为60μmⅹ60μm的探测器光敏元阵列组成，每组探测器阵列共同引出一个P电极，所有探测器阵列共用一个N电极。本发明的优点在于：1、通过测试结构的制备和测试，可以对比不同阵列设计的性能，为大面阵设计提供理论依据；2、中心距较小的面阵测试复杂，且测试结果受到其他因素影响，而本发明公布的测试结构测试步骤简便易操作，可以直接得到面阵的性能参数。
一种用于高密度性能验证测试结构

[发明专利]一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片-CN201711275111.3有效
发明人：曹高奇;邵秀梅;李雪;杨波;邓双燕;程吉凤;于一臻;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片，在其磷化铟(InP)衬底之上结构依次为：InP接触层、铟镓砷(InGaAs)吸收层、氧化硅(SiO2)介质层、源极金属电极、石墨烯层、漏极金属电极以及栅极金属电极，如附图所示。本专利的优点在于：一方面石墨烯展现良好的半金属特性，与InGaAs层接触能够形成肖特基光电二极管，实现光探测；另一方面石墨烯无禁带宽度且其光学透过性极好，能够拓宽该新型InGaAs探测器光谱响应至近紫外，同时能够增加InGaAs层的光吸收；此外，石墨烯具有极高的迁移率和极快的载流子传输特性，使得该探测器对光生载流子的注入拥有极高的量子增益特性。
一种增益紫外红外 ingaas 探测器芯片

[发明专利]一种宽光谱InGaAs探测器的光敏元结构及其制备方法-CN202310252910.8在审
发明人：李雪;顾溢;刘博文;邵秀梅;马英杰;李淘;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽光谱InGaAs探测器的光敏元结构及其制备方法，所述光敏元结构自下而上依次包含InP腐蚀截止层、In0.53Ga0.47As吸收层、InxGa1‑xAs组分递变吸收层、位错阻挡层、高In组分InGaAs吸收层、高In组分InAlAs接触层。所述InxGa1‑xAs组分递变吸收层的x自所述InxGa1‑xAs组分递变吸收层的下端至上端由0.53线性递变至a，0.53＜a≤1，所述高In组分InGaAs吸收层与所述InxGa1‑xAs组分递变层上端晶格匹配，所述位错阻挡层采用与高In组分InGaAs吸收层晶格匹配的InAlAs或InAsP。还公开了一种制备所述光敏元结构的方法，主要步骤为：InP衬底预处理，外延材料生长，机械研磨湿法化学腐蚀去除InP衬底，选择性化学腐蚀去除In0.53Ga0.47As腐蚀牺牲层。本发明有利于实现在可见‑短波红外范围响应的单一宽光谱InGaAs探测器。
一种光谱 ingaas 探测器光敏结构及其制备方法

[发明专利]图形化衬底延伸波长InGaAs焦平面探测器及其制备方法-CN202310252945.1在审
发明人：顾溢;刘博文;于春蕾;邵秀梅;李雪;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化衬底延伸波长InGaAs焦平面探测器及其制备方法。图形化衬底的周期与焦平面探测器像元中心距相同，图形化衬底凹槽和凸脊尺寸分别与像元和像元间隔或像元间隔和像元尺寸相同。在图形化衬底上外延延伸波长InGaAs探测器材料结构，只在无SiNx介质层一上外延形成半导体单晶材料，对应焦平面探测器芯片像元区域，而后通过钝化、金属淀积、倒焊等工艺实现InGaAs焦平面探测器制备。本发明可以使晶格失配材料的位错在图形边缘终止而不向上延伸，降低吸收层材料的位错密度。图形化衬底的周期和尺寸与焦平面芯片像元一致，减少了工艺复杂性，适用于大批量推广。本发明还可以推广到其他晶格失配材料体系的焦平面探测器制备，具有很好的通用性。
图形衬底延伸波长 ingaas 平面探测器及其制备方法

[发明专利]改善延伸波长InGaAs晶圆翘曲的缓冲层结构及其制备方法-CN202310252923.5在审
发明人：刘博文;顾溢;李淘;邵秀梅;李雪;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L31/0735 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善延伸波长InGaAs晶圆翘曲的缓冲层结构及其制备方法，所述缓冲层结构自下而上依次包含晶格匹配缓冲层、组分线性递增缓冲层、组分线性递减缓冲层、固定组分缓冲层。所述晶格匹配缓冲层材料为In0.52Al0.48As或InP，所述组分线性递增缓冲层的材料为InxAl1‑xAs或InAsyP1‑y，其中自所述组分线性递增缓冲层下端至上端，x由0.52线性递增至a，0.85≤a≤1，或y由0线性递增至b，0.7≤b≤1，所述组分线性递减缓冲层的下端的所述组分线性递增缓冲层的上端晶格匹配，而后组分线性递减至与延伸波长InGaAs晶格匹配，所述固定组分缓冲层与延伸波长InGaAs层晶格匹配。本发明利用缓冲层内部应力相互作用来改善外延片晶圆翘曲，从而提高焦平面探测器制备规模和成品率。
改善延伸波长 ingaas 晶圆翘曲缓冲结构及其制备方法

[发明专利]一种共栅控的铟镓砷阵列光电探测器结构-CN202210123383.6在审
发明人：马英杰;王嵩阳;李雪;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种共栅控的铟镓砷阵列光电探测器结构，在像素微台面的侧壁沉积具有强导电性能的金属镀层形成栅电极，利用栅电极控制侧壁表面外加电场的方向和大小，像素栅电极并联形成等电势共栅结构，降低侧壁表面积累或反型的载流子浓度。本发明可显著减小器件表面漏电流，降低探测器总暗电流和噪声，适用于铟镓砷单元和阵列探测器芯片的制造，提升微光夜视、光谱成像、物质光谱检测等短波红外探测系统的灵敏度和应用水平。
一种共栅控铟镓砷阵列光电探测器结构

[实用新型]模块化的三维可调探测器拼接结构-CN202121001641.0有效
发明人：莫德锋;范崔;王小坤;李俊;李雪;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本专利公开了一种模块化的三维可调探测器拼接结构，包括探测器模块、模块基板、安装基板、冷链、柔性电缆、接插件、连接杆、调节垫片等。拼接结构中包含2个或2个以上的探测器模块，探测器模块安装在模块基板上面，底部连接杆设有高度调节垫片用于调整探测器模块阵列的平面度，安装基板上的安装孔内径略大于连接杆外径，用于调节探测器水平方向安装精度，探测器模块的电学信号通过柔性冷链引出，焦耳热通过冷链导出。该结构中每个子模块独立，替换性强，拼接时三维位置精度调节方便，扩展性强，适用于超大规模焦平面阵列探测器的拼接集成。
模块化三维可调探测器拼接结构

[实用新型]一种集成陶瓷冷平台的封装结构-CN202121351927.1有效
发明人：莫德锋;赵彤;刘大福;曾智江;李雪;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本专利公开了一种集成陶瓷冷平台的封装结构，封装结构包括探测器模块、陶瓷冷平台、金属过渡环、芯柱等部件，其特征在于：所述的陶瓷冷平台的上表面安装有探测器模块，下表面气密集成有金属过渡环，金属过渡环与芯柱气密同心连接。在杜瓦芯柱上通过钎焊和激光焊相结合的方法集成有陶瓷冷平台，陶瓷冷平台上表面通过环氧胶安装有探测器模块。该结构中，陶瓷冷平台材料为高导热低膨胀的碳化硅、氮化硅或氮化铝材料，由于碳化硅、氮化硅或氮化铝材料与集成电路用的硅材料低温热匹配，可省去大规模焦平面探测器封装时采用的平衡层结构，结构简洁、制冷机冷量利用率高、温度均匀性好，尤其适用于大规模面阵探测器深低温封装的场合。
一种集成陶瓷平台封装结构

[发明专利]一种模块化的三维可调探测器拼接结构-CN202110514138.3在审
发明人：莫德锋;范崔;王小坤;李俊;李雪;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种模块化的三维可调探测器拼接结构，包括探测器模块、模块基板、安装基板、冷链、柔性电缆、接插件、连接杆、调节垫片等。拼接结构中包含2个或2个以上的探测器模块，探测器模块安装在模块基板上面，底部连接杆设有高度调节垫片用于调整探测器模块阵列的平面度，安装基板上的安装孔内径略大于连接杆外径，用于调节探测器水平方向安装精度，探测器模块的电学信号通过柔性冷链引出，焦耳热通过冷链导出。该结构中每个子模块独立，替换性强，拼接时三维位置精度调节方便，扩展性强，适用于超大规模焦平面阵列探测器的拼接集成。
一种模块化三维可调探测器拼接结构

[发明专利]一种用于微透镜阵列与芯片光敏元焦平面有源对准装置-CN202110514168.4在审
发明人：徐红艳;莫德锋;马英杰;李雪;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G02B6/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于微透镜阵列与芯片光敏元焦平面有源对准装置，本装置包括：激光光源，光纤、激光器准直器，控制和监测电脑，可旋转升降载物台，微透镜吸附笔，连接机构，四维微动平移台、显微观察镜。本发明还公开了一种基于上述装置的调节方法，包括：光源垂直入射，空间全方位微尺度平移和俯仰转动；光电流的实时监测，实现微透镜阵列与探测器光敏元焦平面的微米量级对准。本发明的优点在于：1、通过该对准装置，可以对微透镜阵列与规模相同的探测器光敏元焦平面实现高精度对准；2、通过电脑控制的微动平台实现对微透镜阵列的全方位微尺度移动。3、对光电流的动态实时监测。
一种用于透镜阵列芯片光敏平面有源对准装置

[发明专利]PIIN型高In组分InGaAs探测器材料结构和制备方法-CN201911093674.X有效
发明人：顾溢;王红真;马英杰;张永刚;邵秀梅;李雪;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种PIIN型高In组分InGaAs探测器材料结构和制备方法，所述探测材料结构由下往上依次为InP(001)衬底、n型InxAl1‑xAs缓冲层、i型InyGa1‑yAs吸收层、i型InzAl1‑zAs插入层和p型InzAl1‑zAs帽层。其中，所述的InzAl1‑zAs插入层的厚度为40nm～200nm，其掺杂浓度为2x1014cm‑3～1x1015cm‑3。制备方法为依次分子束外延生长即可。本发明的优势在于，InGaAs探测材料结构中增加的i型插入层能够有效实现对PN结结位置的控制，从而实现器件暗电流的降低。
piin in 组分 ingaas 探测器材料结构制备方法

[发明专利]一种集成陶瓷冷平台的封装结构和实现方法-CN202110674843.X在审
发明人：莫德锋;赵彤;刘大福;曾智江;李雪;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成陶瓷冷平台的封装结构和实现方法，封装结构包括探测器模块、陶瓷冷平台、金属过渡环、芯柱等部件，其特征在于：所述的陶瓷冷平台的上表面安装有探测器模块，下表面气密集成有金属过渡环，金属过渡环与芯柱气密同心连接。在杜瓦芯柱上通过钎焊和激光焊相结合的方法集成有陶瓷冷平台，陶瓷冷平台上表面通过环氧胶安装有探测器模块。该结构中，陶瓷冷平台材料为高导热低膨胀的碳化硅、氮化硅或氮化铝材料，由于碳化硅、氮化硅或氮化铝材料与集成电路用的硅材料低温热匹配，可省去大规模焦平面探测器封装时采用的平衡层结构，结构简洁、制冷机冷量利用率高、温度均匀性好，尤其适用于大规模面阵探测器深低温封装的场合。
一种集成陶瓷平台封装结构实现方法

[发明专利]一种铟镓砷红外探测器制备方法-CN201711057712.7有效
发明人：汤乃云;仇志军;单亚兵;龚海梅;李雪;邵秀梅 -专利权人：上海电力学院
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及一种铟镓砷红外探测器制备方法，为一种InP/InGaAs/InP类型的P‑I‑N结构红外探测器，用旋涂法制备一层掺杂稀土材料的下转换发光薄膜到铟镓砷红外探测器InP帽层上作为转换层，此转换层吸收400nm~600nm可见光，发射1μm近红外光。利用掺杂稀土元素的氯硫玻璃完成可见光到近红外光的转换，不影响铟镓砷红外探测器对短波红外的吸收，同时吸收400nm~600nm可见光，发射1μm左右的近红外光被铟镓砷红外探测器吸收，实现铟镓砷红外探测器可见光范围的扩展。具有结构简单，成本低的优点。当需要进行多波段探测时，扩展铟镓砷红外探测器探测范围到可见光这种方式优势非常明显、实用性很强。
一种铟镓砷红外探测器制备方法

[发明专利]一种柔性InGaAs探测器的制备方法-CN201910411821.7有效
发明人：顾溢;王红真;张永刚;邵秀梅;李雪;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性InGaAs探测器的制备方法：在InP衬底上覆盖单层石墨烯，然后再生长InGaAs探测器结构材料和制备InGaAs探测器结构，最后将InGaAs探测器结构与InP衬底剥离。本发明可以方便地进行高质量InP和InGaAs外延层的生长；在器件制备工艺过程中保留了衬底，为器件工艺操作带来很大的方便；利用单层石墨烯的特性可以方便地采用热释放胶带与衬底剥离，从而实现柔性InGaAs探测器的制备。本发明还可以推广到其他柔性III‑V族半导体器件的制备中，具有很好的通用性。
一种柔性 ingaas 探测器制备方法

[发明专利]一种基于银中间层的可伐合金与钛合金的焊接方法-CN201811387941.X有效
发明人：莫德锋;汪洋;余利泉;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： B23K15/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于银中间层的可伐合金与钛合金的焊接方法，具体步骤如下：(1)取可伐合金、钛合金、银箔，将其表面清洁干净；(2)将银箔放置于可伐合金与钛合金的中间，利用夹具固定好，夹紧；(3)将样品放入真空室，设定电子束的焊接参数，设定电子束的射入位置；(4)采用电子束焊机进行焊接。本发明的可伐合金与钛合金的异种金属焊接方法，采用银为中间过渡层，可以有效阻止焊接过程脆性金属间化合物的形成，无需特殊的焊前焊后处理，所得接头抗拉强度高，无气孔及裂纹等优点。
一种基于中间层合金钛合金焊接方法

1
2
3
4
5
6
7
8
下一页»
尾页
共 120 条