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[发明专利]伪随机分频信号产生电路及方法-CN202210108022.4有效
发明人：杨法明;朱坤峰;钟怡;殷万军;郭亿文;徐金贵;张俊安;李光波;龚榜华 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H03K3/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种伪随机分频信号产生电路及方法，所述伪随机分频信号产生电路包括伪随机序列发生模块、分频模块及输出模块。本发明将伪随机序列发生模块、分频模块及输出模块结合起来，实现了对固定时钟脉冲的随机化分频，在降低时钟频率的同时，使得噪声功率谱密度均匀的分布在整个频域内，从而使得所有频率范围内具有相同能量密度的噪声，达到抗噪声干扰的目的，其产生的伪随机时钟脉冲信号可很好的用于要求失调较低的电路或者运算放大器，在自稳零运放中使用这种时钟进行失调电压校准时，在降低失调电压的同时，可以使时钟对运放输入端的影响呈现类似噪声的频谱特点，可有效避免使用周期性时钟造成的固定频点杂散，提高了抗干扰能力。
随机分频信号产生电路方法

[发明专利]多层栅模拟CMOS工艺边缘应力优化集成方法和低电压系数多晶电容器-CN202210935982.8在审
发明人：殷万军;杨永晖;刘玉奎;钟怡;朱坤峰;龚榜华;曹依琳;谭开洲;黄磊 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开多层栅模拟CMOS工艺边缘应力优化集成方法和低电压系数多晶电容器，方法步骤包括：1)形成低电压系数集成双多晶电容器区的N型阱，在N型阱以外区域形成自对准P型阱；2)淀积低电压系数集成双多晶电容器下电极多晶膜层；3)淀积双多晶电容器第一层介质，并实现双多晶电容器下电极边缘保护层制作；4)淀积电容器介质层，并完成电容器介质层结构制作；低电压系数多晶电容器包括P型衬底、P型外延层、N型阱、自对准P型阱、场氧化层、牺牲氧化层、栅氧化层、多晶膜层、二氧化硅介质层、电容介质层、低介电系数填充膜层、金属互连膜层、顶层金属键合区外保护介质钝化层；本专利改善了双多晶电容器的边缘效应，降低了可集成双多晶电容器的机械应力。
多层模拟 cmos 工艺边缘应力优化集成方法电压系数多晶电容器

[发明专利]模拟BiCMOS工艺高应力边缘效应优化集成方法和高线性双多晶电容器-CN202210789412.2在审
发明人：殷万军;钟怡;刘玉奎;刘青;杨永晖;龚榜华;朱坤峰;张静;谭开洲 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开模拟BiCMOS工艺高应力边缘效应优化集成方法和高线性双多晶电容器，步骤包括：1)在N型阱表面的场氧化层上方淀积P1埃米的多晶电容器下极板多晶膜层，并完成N型光刻注入掺杂；2)淀积d1埃米的双多晶电容器第一层介质，并采用曝光刻蚀工艺完成双多晶电容器下电极边缘保护膜层的制作；3)淀积d2埃米的多晶电容器介质复合膜层，并采用曝光刻蚀工艺完成电容介质层结构制作；高线性双多晶电容器包括衬底、N型埋层、P型埋层、外延层、N型阱、自对准P型阱等。本发明通过在模拟集成电路可集成高线性双多晶电容器高应力边缘效应优化技术方案，显著改善了双多晶电容器的边缘效应。
模拟 bicmos 工艺应力边缘效应优化集成方法线性多晶电容器

[发明专利]离子注入监测方法-CN201110347322.X有效
发明人：苏小鹏;龚榜华;郭楠 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入监测方法，该方法包括以热波测量晶圆表面从而获得热波值；以及根据预先确定的热波值与晶圆退火后电阻的关系，确定晶圆的电阻从而监测晶圆的离子注入。根据本发明所述方法，可以节约监测时间。
离子注入监测方法

[发明专利]快速热处理中控制晶片温度的方法及其快速热处理方法-CN201110151782.5有效
发明人：阳厚国;龚榜华 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种快速热处理（RTP）中控制晶片温度的方法及其RTP方法，属于半导体芯片制造技术领域。该控制晶片温度的方法中，根据晶片的背面材料差异，选择相应的控温曲线来控制所述晶片的温度；其中，所述控温曲线通过背面材料不同的试验晶片分别预先试验得到。该RTP方法中使用以上所述的控制晶片温度的方法来实现。该方法可以实现不同半导体制造流程节点处的晶片的RTP温度能精确控制，并且成本低。
快速热处理控制晶片温度方法及其

[发明专利]产品植入实时监测系统-CN201110145594.1无效
发明人： 龚榜华 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种产品植入实时监测系统，包括探针激光器、泵激光器、热波信号探测器及反射装置，所述探针激光器和泵激光器分别以两个方位对产品发射激光，所述反射装置包括用于将探针激光器发出的激光反射至产品表面的第一反射器、及用于将产品表面反射回来的激光反射至热波信号探测器的第二反射器，所述热波信号探测器用于量测自所述反射装置反射回的激光的震荡情况。相较于现有技术，本发明所述产品植入实时监测系统可以大大降低制造成本，可实时监测产品的植入制程以及时发现异常，不会对产品产生影响。
产品植入实时监测系统