专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种连续制备纤维素醚的方法-CN201510608311.0有效
  • 山本厚;黑谷伸一;米持敦彦;成田光男 - 信越化学工业株式会社
  • 2015-09-22 - 2020-04-07 - C08B11/193
  • 本发明提供了一种高效连续制备含降低的量的不可溶组分的纤维素醚的方法。具体地说,所述方法包括在除热溶剂存在下使浆粕与碱金属氢氧化物溶液接触以获得碱纤维素的接触步骤;使所述碱纤维素与醚化试剂反应的反应步骤;反应完成后,部分冷凝存在于反应容器中的气体以用于反应将该气体分离为气体组分和液体组分并回送一些或所有气体组分到接触步骤从而作为一些或所有除热溶剂再利用的部分冷凝步骤;以及焚烧所述液体组分以及当并非所有气体组分回送到接触步骤时,焚烧所述气体组分的残余物的步骤。
  • 一种连续制备纤维素方法
  • [发明专利]碳电极和多晶硅棒的制造装置-CN201410092928.7无效
  • 祢津茂义;黑谷伸一;小黑晓二;久米史高;平原胜 - 信越化学工业株式会社
  • 2010-10-22 - 2014-07-23 - C01B33/035
  • 本发明涉及碳电极和多晶硅棒的制造装置,本发明提供在多晶硅棒气相生长工艺中对可在所有方位伸缩的U形棒的裂缝或破裂的发生具有很好抑制效果的技术。碳电极(30)的上部电极(31)的上表面侧设有保持硅芯线(5a)的芯线固定器(20)的固定部。上部电极(31)上设有从上表面(33)向下表面(34)贯穿的孔部(贯通孔)(35),作为棒状连结部件的螺栓(36)经由垫圈(37)从上部电极(31)上表面(33)插入该孔部(35),在下部电极(32)被螺纹固定。孔部(35)内与螺栓(36)的直杆部之间的间隙(51),使上部电极(31)可以在与下部电极(32)的上表面的接触面即载置面(图2中为与上部电极31的下表面34相接触的下部电极32的上表面)的面内全方位移动,从而在气相生长工艺中对可在所有方位伸缩的U形棒的裂缝或破裂的发生起到抑制效果。
  • 电极多晶制造装置
  • [发明专利]碳电极和多晶硅棒的制造装置-CN201080049198.2有效
  • 祢津茂义;黑谷伸一;小黑晓二;久米史高;平原胜 - 信越化学工业株式会社
  • 2010-10-22 - 2012-09-12 - C01B33/035
  • 本发明提供在多晶硅棒气相生长工艺中对可在所有方位伸缩的U形棒的裂缝或破裂的发生具有很好抑制效果的技术。碳电极(30)的上部电极(31)的上表面侧设有保持硅芯线(5a)的芯线固定器(20)的固定部。上部电极(31)上设有从上表面(33)向下表面(34)贯穿的孔部(贯通孔)(35),作为棒状连结部件的螺栓(36)经由垫圈(37)从上部电极(31)上表面(33)插入该孔部(35),在下部电极(32)被螺纹固定。孔部(35)内与螺栓(36)的直杆部之间的间隙(51),使上部电极(31)可以在与下部电极(32)的上表面的接触面即载置面(图2中为与上部电极31的下表面34相接触的下部电极32的上表面)的面内全方位移动,从而在气相生长工艺中对可在所有方位伸缩的U形棒的裂缝或破裂的发生起到抑制效果。
  • 电极多晶制造装置
  • [发明专利]多晶硅制造用芯线支架及多晶硅的制造方法-CN201080046255.1有效
  • 祢津茂义;黑谷伸一;小黑晓二;久米史高 - 信越化学工业株式会社
  • 2010-07-27 - 2012-07-11 - C01B33/035
  • 本发明提供一种多晶硅的制造方法,其能够在短时间内使硅芯线与芯线支架获得充分的接合强度,其结果是能够缩短反应初期的生长速度抑制期间。本发明的芯线支架(20)中,一端侧为具有圆锥台状的斜面的形状,在该端部设有开口部(22),且形成有用于插入并保持硅芯线(5)的空洞(21)。在硅芯线(5)的表面通过西门子法使多晶硅(6)进行气相生长,进行多晶硅棒的制造。在开口部(22)附近的圆锥台状斜面上从开口部附近的外周面朝向空洞(21)形成有环状狭缝(23a~c)作为绝热层。该环状狭缝作为绝热部(绝热层)发挥作用,抑制来自硅芯线(5)或多晶硅(6)的传导热及辐射热向金属电极的逸散,并对芯线支架(20)的一端侧进行加热。
  • 多晶制造用芯线支架方法
  • [发明专利]多晶硅棒的制造方法-CN200910132968.9有效
  • 水野亨彦;黑谷伸一;祢津茂义;小黑晓二 - 信越化学工业株式会社
  • 2009-04-03 - 2009-10-28 - C01B33/035
  • 本发明提供一种多晶硅棒的制造方法,其中,在制造硅棒时,使用从通过CZ法或FZ法培育而成的单晶硅锭切出的硅部件(单晶硅棒)作为芯线。具体而言,从切去单晶硅锭(10)的肩部(10s)和尾部(10t)而得到的主体部(10b)切出平板状硅(11),进而,切割成长条形而得到硅棒(芯线)(12)。在结晶生长轴方位为<100>的情况下,晶体习性线(h1~h4)为四根,硅棒(芯线)(12)按照其面与晶体习性线形成特定范围的偏角θ的方式切出。根据本发明,能够提供以现有方法无法得到的低杂质污染(高纯度)的多晶硅棒及单晶化效率高的FZ用多晶硅棒。
  • 多晶制造方法

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