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[发明专利]利于喷涂提前启动的预检测系统及利用其的压铸成型工艺-CN202110767355.3有效
发明人：余锦祥;伍伟志;黎斌其;甘海波;黎家辉 -专利权人：广东鸿图科技股份有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B22D17/32 文献下载
摘要：本发明公开了利于喷涂提前启动的预检测系统及利用其的压铸成型工艺，预检测系统包括压铸机、取件机器人和喷涂机器人，激光检测装置用于检测压铸成型的制品的设定部位是否存在。利用预检测系统的压铸成型工艺，包括以下步骤：1)压铸机成型出制品；2)激光检测装置检测制品的设定部位是否存在；3)取件机器人夹住制品并带着制品退到压铸机旁的设定区域；4)激光检测装置发出制品预检测合格或不合格信息，合格则喷涂机器人喷涂，不合格则先不喷涂，待制品完整性检测合格后再喷涂。本发明可对型腔内的制品进行预检测，从而根据预检测结果来控制喷涂机器人的动作，喷涂机器人不必等制品完整性检测完后才做出反应，能有效提高工作效率。
利于喷涂提前启动预检系统利用压铸成型工艺

[发明专利]一种药物中间体的合成方法-CN201810737988.8有效
发明人：王书洋;黎家辉;王泓森;张依;郭茹楠;王朝杨;王伟 -专利权人：河南工程学院
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C07C49/697 文献下载
摘要：本发明公开了一种医药中间体的合成方法，属于医药合成领域。本发明以化合物II为原料，将化合物I、硫氰酸亚铜和有机碱在保护气体的作用下升温，反应一段时间后，滴加化合物II的二甲基亚砜溶液，继续通入保护气体并提升温度，搅拌反应一段时间后自然冷却；过滤，滤液加水混合，用乙酸乙酯萃取目标产物，加无水硫酸钠干燥后，蒸除乙酸乙酯，即得药物中间体Ⅲ。该合成方法制备工艺简单，产率高，成本低，利于工业化生产。
一种药物中间体合成方法

[实用新型]一种用于电梯无线数据传输装置的收纳式取放机构-CN202020377530.9有效
发明人：屈省源;黎家辉;罗泽凡 -专利权人：中山职业技术学院
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于电梯无线数据传输装置的收纳式取放机构，包括伸缩杆，所述伸缩杆的一端安装有电池箱，另一端连接有横板。所述横板的内部沿长度方向设置有移动槽，移动槽的内部两端分别转动安装有第一压板和第二压板，第一压板和第二压板的底部均转动安装在转轴的外部，所述第一压板和第二压板与转轴的连接处安装有回位弹簧，第二压板的底部的转轴与横板固定连接。收纳时将第一压板和第二压板绕着转轴转动到移动槽的内部，将绑带绕过横板的上部，端部的魔术贴与垫板端部的魔术贴相粘接，绑带对压板进行限制，使得压板不会移动槽的内部脱离。将伸缩杆进行收纳缩短，整个装置的体积缩小，方便携带，使用中更加高效。
一种用于电梯无线数据传输装置收纳式取放机构

[实用新型]一种沥青结构层松铺厚度及温度测量装置-CN201921179997.6有效
发明人：何博谦;欧浩昌;张喜才;周李说;钟国武;周智东;朱勇强;黎家辉;张锦红 -专利权人：广东冠粤路桥有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： E01D1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沥青结构层松铺厚度及温度测量装置，其包括测量杆、测量单元及把手，所述测量单元卡接在测量杆的滑槽内，所述把手设置在测量单元的上部并且测量杆的竖杆穿过把手顶部的通孔；所述测量单元的外部设置有刻度，以测量松铺厚度，所述测量单元的内部设置有温度测量杆，以测量沥青结构层的温度。本实用新型提供的一种沥青结构层松铺厚度及温度测量装置，其结构合理，操作便捷，同时测量沥青结构层的松铺厚度及温度，有效提高了测量效率。
一种沥青结构层松铺厚度温度测量装置

[实用新型]一种高中生用物理实验台-CN201920553457.3有效
发明人： 黎家辉 -专利权人：凤冈县第二中学
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： B01L9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高中生用物理实验台，其结构包括水槽、柜门、隔板、滑轨、滑板、试验台框架、废杂储存槽、实验工作板、水量调节阀、水龙头、简易清洁装置，水槽贯穿于实验工作板左侧，本实用新型一种高中生用物理实验台，在进行物理实验时，产生的垃圾直接扔入垃圾槽，当实验结束后，在拖动推板，使得推板带动连接杆及推块进行移动，让推块对垃圾槽内的垃圾进行推动，将垃圾推入进料孔上，通过进料孔进入到废杂储存槽内，连接杆启动辅助平衡的作用，而连接杆上的小球能够启动在滑动时产生的摩擦力，使得推动时更加轻松，有效的避免了在实验的过程中，产生的垃圾学生随意乱丢的现象发生，使得实验结束后的清洁工作更加轻松。
一种高中生物理实验

[实用新型]一种压铸模具抽芯间歇运水装置-CN201920366024.7有效
发明人：杨志勇;莫炜祺;张发申;余锦鹏;黎家辉 -专利权人：广东鸿图科技股份有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： B22D17/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种压铸模具抽芯间歇运水装置，包括压铸信号反馈装置、间歇运水控制器和抽芯直冷系统；所述抽芯直冷系统通过冷却水管道与模具抽芯的冷却水路连通，冷却水管道中设置有控制阀；所述压铸装置与压铸信号反馈装置电性连接，所述压铸信号反馈装置与间歇运水控制器电性连接，所述间歇运水控制器与控制阀电性连接，所述控制阀为电控比例阀；所述模具抽芯上还设置有温度监测装置，温度监测装置与间歇运水控制器电性连接。本实用新型的装置设计新颖，可以快速准确的对模具抽芯，特别是深腔型压铸产品的模具抽芯进行高效、准确的冷却控制，还可以在现有的运水装置上进行改装，具有成本低廉、结构简单、维修方便的特点。
模具抽芯压铸运水信号反馈装置控制阀抽芯温度监测装置本实用新型控制器电性冷却水管道电性连接运水装置直冷系统控制器电控比例阀冷却控制冷却水路维修方便压铸模具压铸装置装置设计深腔型连通改装

[发明专利]形成构图结构的方法-CN201310445648.5有效
发明人： M·A·古罗恩;黎家辉;J·W·皮特拉;蔡欣妤 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及形成构图结构的方法。在中性聚合物层之上形成模板层之后，自组装嵌段共聚物材料被施加并且自组装。该模板层包括第一线状部分、比所述第一线状部分短的第二线状部分、以及具有比所述第二线状部分大的宽度的块状模板结构。在远离在宽度方向上延伸的部分的区域中，该自组装嵌段共聚物材料被相分离成交替薄层。所述块状模板结构扰乱所述薄层并且引起所述薄层的终止。在聚合物嵌段成分被选择性地去除时，形成与所述第一和第二线状部分平行并且与块状模板结构自对准地终止的腔。所述腔的图形可以被反转并转移到材料层中以形成具有不同长度的鳍。
形成构图结构方法

[发明专利]用于设计在衬底上的层中的导向图形开口的方法-CN201310084141.1有效
发明人：郑雅如;黎家辉;刘其俊;J·W·皮特拉;C·T·雷特纳 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及用于设计在衬底上的层中的导向图形开口的方法。公开了方法和计算机程序产品，其用于设计用于使自组装域在衬底上的规定位置处的形成定向的形貌图形。该方法包括生成数学模型，所述数学模型在导向图形的数学描述中对圆柱体自组装域的数目和位置的数学描述进行操作。
用于设计衬底中的导向图形开口方法

[发明专利]使用分段预图案的定向自组装嵌段共聚物-CN201080021334.7有效
发明人： J.程;罗英惠;黎家辉;C.T.雷特纳;D.P.桑德斯;李伟健 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：使用例如光刻法在基底上形成开口，该开口具有侧壁，其横截面由曲线轮廓的及凸面的区段构成。例如，该开口的横截面可由交迭的圆形区域构成。该侧壁在多个点邻接，在该邻接处限定突出部。包括嵌段共聚物的聚合物的层施加于该开口及该基底上，并让其自组装。在开口中形成分离、隔开的畴，将所述畴除去以形成孔，该孔可被转印至下方基底。这些畴及与它们所对应的孔的位置由侧壁及它们的相关突出部处定向于预定的位置。这些孔分开的距离可大于或小于该嵌段共聚物(及任何添加剂)在无任何侧壁下自组装时的这些孔分开的距离。
使用分段图案定向组装共聚物

[发明专利]用于减少浸入式光刻中的污染物的装置和方法-CN200710004363.2无效
发明人： D·施奈德;黎家辉;R·J·贝扎马;D·L·戈德法布 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-01-24 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于在浸入式光刻中减少污染物的装置，包括具有卡盘晶片的晶片卡盘组件，该卡盘晶片配置为在其支撑表面上保持半导体晶片。在晶片卡盘中具有缝隙，该缝隙与晶片的外边缘相邻，并且该缝隙中包含一定量的浸入式光刻液体。在晶片卡盘中配置液体循环路径，以便促进在缝隙中的浸入式光刻液体的向外辐射运动，从而相对于半导体晶片的上表面，将浸入式光刻液体的弯月面保持在选定高度。
用于减少浸入光刻中的污染物装置方法

[发明专利]恢复光刻工艺中横磁波对比度的方法和系统-CN200610171821.7有效
发明人： 黎家辉;D·法伊弗;A·E·罗森布卢特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种在使用高数值孔径成像工具的光刻工艺中将具有感光区域的抗蚀剂层曝光到图像的方法和系统。其中利用了基板，其具有反射成像工具的射线的层，以及在反射层上具有感光区域的抗蚀剂层，其具有厚度。成像工具适于将包含虚像的射线投射到抗蚀剂层上，包含虚像的射线的一部分穿过抗蚀剂层，并反射回抗蚀剂层。反射的射线穿过抗蚀剂层的厚度在抗蚀剂层中形成投射的虚像的干涉图案。选择抗蚀剂层的感光区域相对于反射层的厚度和位置，以在干涉图案中在抗蚀剂厚度方向上包括干涉图案的较高对比度部分，并从抗蚀剂层的感光区域中在抗蚀剂厚度方向上排除干涉图案的较低对比度部分，以提高抗蚀剂层的感光区域中虚像的对比度。
恢复光刻工艺中横磁波对比度方法系统

[发明专利]用于预测要光刻在晶片上的集成电路片段的功能的方法-CN200610084813.9有效
发明人：约安纳·格劳尔;黎家辉;拉马·N·辛 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-05-18 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于预测要光刻在晶片上的集成电路片段的功能的方法。最初，提供集成电路的二维设计，所述集成电路包括具有临界宽度的集成电路片段；并且，模拟所述临界宽度集成电路片段的二维光刻图像。所述方法随后包括：确定被设计的临界宽度集成电路片段对所模拟的光刻临界宽度集成电路片段的周长或面积的比率；并且，基于所述周长或面积的比率预测在光刻后的临界宽度集成电路片段的功能。
用于预测刻在晶片集成电路片段功能方法

[发明专利]用于评估光刻中的多次曝光工艺的结果的方法-CN200480012873.9无效
发明人： C·A·丰塞卡;S·J·布科夫斯基;黎家辉 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-05-19 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： G03C5/00 文献下载
摘要：一种评估多次曝光光刻工艺的工艺结果的方法，首先独立地确定多次曝光工艺的各曝光步骤或工艺的一组期望图像(组1，组2)，然后通过由来自后面的曝光步骤的加权图像(组2)调整来自第一或在前的曝光步骤的图像(组1)，来获得复合图像组(最终组)。优选，通过在各曝光步骤的散焦范围上以标准化空间图像的形式进行模拟，来确定期望的图像，所使用的加权因数为后面的曝光剂量与前面步骤的曝光剂量的剂量比值。可以使用最终的复合图像组来评估多次曝光光刻工艺，例如，对于给定的剂量和焦距误差预计来提供产量评估，或可选的是，提供用于实现获得目标产量所需的工具误差预计的规格。
用于评估光刻中的多次曝光工艺结果方法

[发明专利]执行基于模型的光学邻近校正的方法-CN200410086090.7有效
发明人：格莱格·M·加拉丁;埃马纽埃尔·高夫曼;黎家辉;马克·A·莱文;马哈拉伊·穆克海吉;多夫·拉姆;阿兰·E·罗森布鲁斯;施罗姆·施拉夫曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-10-21 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：第一种方法利用来自随机产生数据的模拟波前信息在光学邻近校正模拟核内计算相位映射。第二种方法使用光学工具所测量的数据。通过解析地嵌入随机产生的二维波前信息组成的复数阵列，并且在所得的阵列上执行傅立叶逆变换，来产生相位映射。滤波函数需要阵列中的每个元素的幅度与高斯函数相乘。然后将幂律应用到该阵列中。改变阵列中元素的位置，并将其元素由相位复矢量形式转换成实部/虚部形式。应用二维快速傅立叶变换。然后反移该阵列元素的位置，再将其转换成相位复矢量形式。
执行基于模型光学邻近校正方法

[发明专利]执行基于模型的光刻校正的方法-CN200410086089.4有效
发明人：格莱格·M·加拉丁;埃马纽埃尔·高夫曼;黎家辉;马克·A·莱文;马哈拉伊·穆克海吉;多夫·拉姆;阿兰·E·罗森布鲁斯;施罗姆·施拉夫曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-10-21 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：用于执行基于模型的光刻校正的方法和程序存储设备，所述方法将具有多个多边形的单元阵列布局分割为多个覆盖该布局的单元。该布局表示所需设计的数据结构。然后产生对应于多边形与多个单元之间的交互作用的密度图，随后各单元内的密度被卷积。利用该卷积密度形成交互作用图，然后截断该交互作用图以形成截断单元图。然后基本上相同分组的截断单元被分别隔离成多个桶中的不同桶，其中这些多个桶的各桶包含相同分组的截断单元的单个集合。利用这些桶产生结构排列，并利用该结构排列强化所需设计的数据结构以最终校正光刻。
执行基于模型光刻校正方法

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