“黎奔”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202010762688.2有效
发明人：王桂磊;黎奔;亨利·H·阿达姆松;杜勇;徐步青 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，包括提供锗衬底，在锗衬底上形成砷化镓层，在砷化镓层上形成铟镓磷层。这样砷化镓层能够可以作为锗衬底和铟镓磷层之间的缓冲层，改善锗衬底和铟镓磷层之间的晶格失配，减少铟镓磷层中的反向畴，减少铟镓磷层中的缺陷，提高基于铟镓磷层的器件的性能。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种波导型光电探测器及制造方法-CN202011077809.6有效
发明人：熊文娟;黎奔;林鸿霄;董燕;王桂磊;亨利·H·阿达姆松 -专利权人：中国科学院微电子研究所;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种波导型光电探测器及制造方法，第一衬底的正面形成有包覆层，包覆层中形成有第一氮化硅光波导，第二衬底的正面形成有锗外延层，第一衬底和第二衬底的正面键合之后，从第二衬底的背面进行减薄，以暴露锗外延层。而后对锗外延层进行刻蚀工艺，形成台阶结构，在台阶结构的侧壁形成第二氮化硅光波导，在锗外延层上形成光电探测器，从而实现氮化硅光波导与锗基探测器的集成。这样，第一氮化硅光波导传输的光能够通过第二氮化硅光波导更快传输至光电探测器中，利用氮化硅光波导较低的传输损耗性，提高光的传输效率，并且氮化硅波导与锗基光电探测器之间能形成高质量的氮化硅/锗界面，能够提高光电探测器的响应度以及光电转换能力。
一种波导光电探测器制造方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202010760375.3有效
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊;徐步青;杜勇;黎奔 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，包括提供硅衬底，在硅衬底上可以外延形成缓冲层，缓冲层可以包括锗膜和/或砷化镓膜，在缓冲层上外延形成磷化铟层。这样锗膜和/或砷化镓膜可以作为硅衬底和磷化铟层之间的缓冲层，改善硅衬底和磷化铟层之间的晶格失配，减少磷化铟层中的反向畴，减少磷化铟层中的缺陷，提高基于磷化铟层的器件的性能。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202010762696.7有效
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊;杜勇;徐步青;黎奔 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，包括提供硅衬底，在硅衬底上外延形成锗膜，在锗膜上外延生长砷化镓膜，这样将锗膜作为硅衬底和砷化镓膜层之间的缓冲层，改善硅衬底和砷化镓膜层之间的晶格失配，减少砷化镓膜层中的反向畴，减少砷化镓膜层中的缺陷，提高基于砷化镓膜层的器件的性能。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种安石榴苷在制备用于治疗银屑病药物中的应用-CN202210013737.1在审
发明人：汤丽鹏;卢传坚;李彤;黎奔;郑广娟;张博文 -专利权人：广东省中医院（广州中医药大学第二附属医院、广州中医药大学第二临床医学院、广东省中医药科学院）
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： A61K31/7048 文献下载
摘要：本发明公开了一种安石榴苷在制备用于治疗银屑病药物中的应用，涉及药物新用途的技术领域。本发明发现安石榴苷能显著改善银屑病小鼠的皮肤炎症，缓解皮损，降低小鼠皮损厚度以及抑制角质形成细胞的异常增殖，而且未见明显的副作用。安石榴苷可用于开发治疗银屑病的新型药物，具有广阔的医用前景和经济价值。
一种石榴制备用于治疗银屑病药物中的应用

[发明专利]垂直耦合型浅槽隔离共面光电探测器-CN201910000895.1有效
发明人：李冲;鲍凯;黎奔;秦世宏;赵艳军 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：垂直耦合型浅槽隔离共面光电探测器涉及半导体光电器件领域以及光互联领域，具体设计一种能够对空间通信及垂直入射光信号进行探测且具有高速性能的光电探测器。n型掺杂插指区，p型掺杂插指区是横向依次通过光刻离子注入在顶层硅中形成的掺杂区域，之间的间隙是垂直耦合光栅；光栅区，是在衬底p型和n型掺杂插指条区中间部分经过深紫外光刻后采用干法刻蚀技术，形成的与掺杂条区平行的周期性刻蚀浅槽，构成垂直耦合光栅结构；浅槽光栅的宽度小于入射波长，对垂直入射的光形成衍射效应，周期的光栅形成衍射叠加，将光能量的传播方向由垂直转化为水平方向，提高光吸收能量；离子注入浓度峰值的深度要求大于光栅刻蚀深度30到60nm。
垂直耦合型浅槽隔离光电探测器

[发明专利]垂直耦合型波分复用光信号接收共面光电探测器-CN201910000898.5有效
发明人：李冲;黎奔;鲍凯;秦世宏;赵艳军 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：垂直耦合型波分复用光信号接收共面光电探测器涉及半导体光电器件领域以及光互联领域，针对空间通信领域，特别是波分复用光电探测器的低成本，低功耗，强抗辐射能力，易于封装和形成线阵和面阵结构，能和微电子集成电路大面积单片集成的需求。本发明结构：p型掺杂插指区，n型掺杂插指区是横向依次通过光刻离子注入在顶层硅中形成的掺杂区域，之间的间隙是本征吸收区；二维耦合光栅区是在吸收材料区两侧电极中间部分在紫外光刻后采用干法刻蚀技术，在入射平面上与掺杂区条平行和垂直两个方向上周期不同的二维光栅结构；控制两个维度光栅的周期和刻蚀深度使得满足布拉格衍射条件，将垂直入射的光转变为水平方向。
垂直耦合型波分复用光信号接收光电探测器

[发明专利]波导耦合型单行载流子探测器-CN201711246603.X有效
发明人：李冲;秦世宏;何晓颖;黎奔 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明为波导耦合型单行载流子探测器，包括p+欧姆接触电极(101)、p型阶梯状梯度掺杂分布的吸收区(102)、本征区(103)、n+欧姆接触区(104)、n+欧姆接触电极(105)、绝缘掩埋层(106)、衬底层(107)和单模入射波导(108)，p型阶梯状梯度掺杂分布的吸收区(102)，吸收区(102)的截面为矩形，所述吸收区(102)位于本征区(103)顶部，本征区(103)位于所述单模入射波导(108)的末端，本征区(103)的宽度与所述单模入射波导(108)相同；单模入射波导(108)、n+欧姆接触区(104)和所述本征区(103)共平面；仅在本征区(103)的一侧布置所述n+欧姆接触区(104)。本发明能够对高强度通信光信号进行探测且具有良好线性度的波导单行载流子二极管。
波导耦合单行载流子探测器

[发明专利]波导复合式耦合型单行载流子探测器-CN201711246684.3有效
发明人：李冲;黎奔;何晓颖;秦世宏 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：波导复合式耦合型单行载流子探测器涉及半导体光电器件领域以及光互联领域。波导耦合将器件光吸收和电输运方向相互垂直，光从波导通过端面对接或者倏逝波效应耦合到吸收材料中，吸收效率由器件长度决定；单行载流子结构是利用多子迟豫时间短，仅高速少子输运，缩短渡越时间的同时抑制空间电荷效应，提高探测器的饱和度和线性度。本发明就是将端面对接及倏逝波耦合结合以减少单纯倏逝波耦合的光损耗，来针对光互连领域中特别天线系统以及平衡探测系统中的光电探测器的高线性度、高速率、高信噪比以及高密度集成的需求，设计并制作了一种波导耦合型单行载流子光电探测器结构。
波导复合耦合单行载流子探测器

[发明专利]光栅垂直耦合型插指光电探测器-CN201811149700.1在审
发明人：李冲;秦世宏;黎奔;鲍凯 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：光栅垂直耦合型插指光电探测器涉及半导体光电器件领域及光互联领域。本发明结构包括p+欧姆接触电极，n+欧姆接触电极，p型掺杂插指区，n型掺杂插指区，本征吸收区，绝缘掩埋层，衬底层，光栅区SOI材料顶层硅依次通过光刻离子注入，横向交替形成p型掺杂插指区、n型掺杂插指区、本征吸收区。光栅区是通过在顶层硅表面电子束曝光后刻蚀形成。要求离子注入峰值深度要大于光栅的刻蚀深度，避免出现局部的断路。本发明适用于高速、高吸收效率、高可靠性及高集成度的光栅垂直耦合型插指光电探测器的设计。
插指光栅光电探测器垂直耦合欧姆接触电极本征吸收区光栅区刻蚀离子半导体光电器件电子束曝光顶层硅表面高集成度高可靠性交替形成吸收效率衬底层顶层硅光互联掩埋层断路光刻绝缘

[发明专利]低暗电流PIN探测器及其加工方法-CN201610562077.7有效
发明人：李冲;丰亚洁;刘巧莉;吕本顺;郭霞;王华强;黎奔 -专利权人：中证博芯（重庆）半导体有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明揭示了一种低暗电流PIN探测器，包括衬底，所述衬底的上端面生长有P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上设置有至少一个与之触接的P型欧姆接触电极，所述衬底上端面生长有针对不同波长的特定厚度的增透膜，所述衬底的上端面开设有两个用于实现器件内部电场与器件边缘阻断的隔离沟槽，所述隔离沟槽位于所述P型欧姆接触层的两侧，所述隔离沟槽内填充有阻隔材料，所述衬底的上端面除所述形槽外的区域均覆盖有阻隔层，所述衬底的下端面由上至下依次覆盖生长有N型欧姆接触层及N型欧姆接触电极。本发明能够有效减少器件内部的暗电流，使用效果优异，具有很高的使用及推广价值。
电流 pin 探测器及其加工方法

[发明专利]低暗电流高速PIN探测器及其加工方法-CN201610562068.8有效
发明人：李冲;刘巧莉;丰亚洁;吕本顺;郭霞;王华强;黎奔 -专利权人：苏州北鹏光电科技有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明揭示了一种低暗电流高速PIN探测器，包括衬底，所述衬底上生长有P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上覆盖有增透膜，所述增透膜上设置有至少一个P型欧姆接触电极，所述衬底上端面除P型欧姆接触层外的区域均覆盖有阻隔层，所述阻隔层上覆盖有增透膜，所述衬底下端面由上至下依次覆盖生长有N型欧姆接触层及N型欧姆接触电极，所述衬底上端面开设有第一隔离沟槽，所述衬底下端面开设有第二隔离沟槽，所述第一隔离沟槽与第二隔离沟槽内均填充有阻隔材料，所述第一隔离沟槽位于所述P型欧姆接触层的外周侧，所述第一隔离沟槽与第二隔离沟槽上下对应。本发明能够有效减少器件内部的暗电流，效果优异，具有很高的使用及推广价值。
电流高速 pin 探测器及其加工方法

[实用新型]低暗电流PIN探测器-CN201620751706.6有效
发明人：李冲;丰亚洁;刘巧莉;吕本顺;郭霞;王华强;黎奔 -专利权人：苏州北鹏光电科技有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种低暗电流PIN探测器，包括衬底，所述衬底的上端面生长有P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上设置有至少一个与之触接的P型欧姆接触电极，所述衬底上端面生长有针对不同波长的特定厚度的增透膜，所述衬底的上端面开设有两个用于实现器件内部电场与器件边缘阻断的隔离沟槽，所述隔离沟槽位于所述P型欧姆接触层的两侧，所述隔离沟槽内填充有阻隔材料，所述衬底的上端面除所述形槽外的区域均覆盖有阻隔层，所述衬底的下端面由上至下依次覆盖生长有N型欧姆接触层及N型欧姆接触电极。本实用新型能够有效减少器件内部的暗电流，使用效果优异，具有很高的使用及推广价值。
电流 pin 探测器

[实用新型]多功能新款衣架-CN88207429.6无效
发明人：汤少明;黎奔 -专利权人：汤少明;黎奔
申请日： 1988-06-18 - 公布日： 1989-05-31 - 主分类号： A47G25/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及的是具有特殊结构的多功能新款衣架。即是在衣架上增设双侧肩耳，连体环，连体衣夹，挂钩末端增设半环状小钩，底部设四个小钩。其能克服现有衣架只晾衣，但易被风吹落，衣架与衣夹分放，使用麻烦，悬挂小件物品不便的缺点。实现晾衣，固定衣物，防止衣架滑脱，可悬挂小件物品等多种功能。方便实用，外观新款。成本增加少。根据本实用新型的典例可对任何衣架进行改进，如金属、木材及塑料等材料制作的各种变化型的多功能新款衣架，等等。适合广大家庭、旅店、招待所、商店及个人使用。
多功能新款衣架

1
共 14 条