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[发明专利]RC张弛振荡器-CN201710198179.X有效
发明人：蔡俊;卢君明;黄继颇 -专利权人：安徽赛腾微电子有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H03K3/0231 文献下载
摘要：本发明公开了一种RC张弛振荡器，包括充放电电容C1以及根据充放电电容C1上充放电电流输出指定频率方波信号的数字逻辑电路，其特征在于：所述的张弛振荡器还包括充放电电流调节电路和电压基准电路，所述电压基准电路连接充放电电流调节电路，所述充放电电流调节电路输出的电流对充放电电容C1进行充放电。本发明的优点为通过充放电电流调节电路，可以方便的通过控制信号TRIM2[7:0]控制振荡器输出方波信号的频率，产生指定频率的方波信号；同时可以通过控制信号TRIM1[7:0]、SETP、SETN的合理配置，消除温度变化对充放电电流的影响，获得不受温度变化影响的指定频率方波信号。
rc 张弛振荡器

[发明专利]振荡频率可调整的时钟产生电路-CN201610784461.1有效
发明人： 黄继颇 -专利权人：安徽赛腾微电子有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H03B5/24 文献下载
摘要：本发明公开振荡频率可调整的时钟产生电路，包括依次连接的以下器件：带隙基准电路、数模转换器、压控振荡器和信号整形电路；其中，所述带隙基准电路的输出端输出恒定基准电压，所述数模转换器接收预设值和所述恒定基准电压，且输出模拟电压VR，该预设值为电压设定值或频率设定值；所述压控振荡器接收所述模拟电压VR，并输出锯齿波电压V1；所述信号整形电路接收所述锯齿波电压V1，并输出占空比50％的时钟信号CLK。该振荡频率可调整的时钟产生电路克服了现有技术中的振荡频率不准确，难以线性调整振荡频率的问题，能够获得更为稳定的时钟信号输出。
振荡频率可调整时钟产生电路

[实用新型]超级结-CN202023002477.3有效
发明人：顾冬梅;黄继颇;杨维 -专利权人：安徽赛腾微电子有限公司;上海赛鹰微电子有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本实用新型提供一种超级结，该超级结包括：半导体衬底、第二导电类型掺杂区和第二外延层，所述半导体衬底表面形成有具有第一导电类型掺杂的第一外延层，所述第二导电类型掺杂区和所述第二外延层为第二导电类型掺杂，所述第二导电类型掺杂区位于所述第二外延层和所述半导体衬底之间，且所述第二导电类型掺杂区和所述第二外延层垂直对准，所述第二导电类型掺杂区和所述第二外延层形成的区域与所述第一外延层交错排列。通过本实用新型提供的超级结，能够降低工艺成本，减弱工艺难度，提高器件的可靠性。
超级

[实用新型]一种输出电流可调整串联型LED恒流驱动电路及设备-CN202022289802.2有效
发明人：蔡俊;黄继颇;杨维 -专利权人：安徽赛腾微电子有限公司;上海赛鹰微电子有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H05B45/345 文献下载
摘要：本实用新型提供一种输出电流可调整串联型LED恒流驱动电路及设备，属于模拟集成电路设计技术领域。所述恒流驱动电路包括：可调整带隙基准电压电路；差分输入误差放大器的第一输入端和第二输入端与可调整带隙基准电压电路的输出端连接；第一驱动晶体管的漏极用于外接恒流电源，栅极与差分输入误差放大器的输出端连接；第二驱动晶体管，第二驱动晶体管的漏极与第一驱动晶体管的漏极连接，栅极与第一驱动晶体管的栅极连接，第二驱动晶体管的源极用于输出恒流电流；电流检测支路的第一端与差分输入误差放大器的第三输入端、第一驱动晶体管的源极连接，电流检测支路的第二端与差分输入误差放大器的第四输入端、第二驱动晶体管的源极连接。
一种输出电流可调整串联 led 驱动电路设备

[发明专利]超级结制作方法及超级结-CN202011460905.9在审
发明人：顾冬梅;黄继颇;杨维 -专利权人：安徽赛腾微电子有限公司;上海赛鹰微电子有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种超级结制作方法及超级结，该方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底表面形成有具有第一导电类型掺杂的第一外延层，在第一外延层上形成具有刻蚀窗口的掩膜层，通过掩膜层在第一外延层内形成垂直的浅沟槽，然后利用浅沟槽的自对准，在浅沟槽底部的第一外延层进行多次第二导电类型的离子注入，然后去除掩膜层，进行热推进，将第二导电类型掺杂进行扩散，在浅沟槽与半导体衬底之间形成第二导电类型掺杂区，第二导电类型掺杂区与浅沟槽垂直对准，然后在前沟槽内填充具有第二导电类型掺杂的第二外延层，形成超级结。通过本发明提供的方法，能够降低工艺成本，减弱工艺难度，提高器件的可靠性。
超级制作方法

[实用新型]一种混合型静电放电保护电路、芯片以及集成电路-CN202021258109.2有效
发明人：蔡俊;黄继颇;杨维;党朝 -专利权人：安徽赛腾微电子有限公司;上海赛鹰微电子有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及集成电路设计技术领域，公开了一种混合型静电放电保护电路、芯片以及集成电路，所述混合型静电放电保护电路包括：分压电路，电性连接于待分压引脚；电压检测电路，电性连接于所述分压电路，用于检测所述分压电路上的静电电荷的电压，并在所述电压大于预设定的安全电压阈值时，输出电荷泄放指令；以及电荷泄放开关，电性连接于所述电压检测电路，用于响应于所述电荷泄放指令，被开启以泄放所述静电电荷。该混合型静电放电保护电路克服了现有技术中无法达到很好的静电防护效果。
一种混合静电放电保护电路芯片以及集成电路

[实用新型]迟滞电压可配置的比较器-CN202021142496.3有效
发明人：蔡俊;黄继颇;杨维;党朝 -专利权人：安徽赛腾微电子有限公司;上海赛鹰微电子有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种迟滞电压可配置的比较器，包括：基准电压电路，用于给差分输入电路及共源共栅电路分别提供第一基准电压及第二基准电压；差分输入电路，包括：第一差分输入级及第二差分输入级；以及所述共源共栅电路，用于将所述第一差分输入级的输出电压和所述第二差分输入级的电压放大后发送至所述比较器本体。本实用新型可以实现迟滞电压的可配置，可对高低转换阀值进行精确的调节，满足系统设计时，对不同迟滞电压的需求。
迟滞电压配置比较

[实用新型]一种集成电路及斜坡电压发生器-CN202021142296.8有效
发明人：蔡俊;黄继颇;杨维;党朝 -专利权人：安徽赛腾微电子有限公司;上海赛鹰微电子有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及集成电路领域，公开一种集成电路及斜坡电压发生器，包括：主动电容的VA端连接于电压输入端，主动电容的VB端接地，电压输入端与主动电容形成有用于给主动电容充电至基准电压的第一充电电路；主动电容的VA端依次连接于用于示出输出电压的积分电容的一端以及运放AMP的正输入端，积分电容的另一端接地，主动电容的VB端依次连接于运放AMP的输出Vp端和运放AMP的负输入端，主动电容与运放AMP形成有用于给积分电容分配电荷的第二充电电路；控制信号产生电路用于使得第一充电电路和第二充电电路交替导通而给积分电容充电以使其电压达到示出输出用户需求的目标电压。本实用新型可以产生线性度高的斜坡电压。
一种集成电路斜坡电压发生器

[发明专利]一种输出电流可调整串联型LED恒流驱动电路、方法及设备-CN202011089779.0在审
发明人：蔡俊;黄继颇;杨维 -专利权人：安徽赛腾微电子有限公司;上海赛鹰微电子有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H05B45/345 文献下载
摘要：本发明提供一种输出电流可调整串联型LED恒流驱动电路、方法及设备，属于模拟集成电路设计技术领域。所述恒流驱动电路包括：可调整带隙基准电压电路；差分输入误差放大器的第一输入端和第二输入端与可调整带隙基准电压电路的输出端连接；第一驱动晶体管的漏极用于外接恒流电源，栅极与差分输入误差放大器的输出端连接；第二驱动晶体管，第二驱动晶体管的漏极与第一驱动晶体管的漏极连接，栅极与第一驱动晶体管的栅极连接，第二驱动晶体管的源极用于输出恒流电流；电流检测支路的第一端与差分输入误差放大器的第三输入端、第一驱动晶体管的源极连接，电流检测支路的第二端与差分输入误差放大器的第四输入端、第二驱动晶体管的源极连接。
一种输出电流可调整串联 led 驱动电路方法设备

[发明专利]上电复位电路以及集成电路系统-CN202010559968.3在审
发明人：蔡俊;黄继颇;杨维;党朝 -专利权人：安徽赛腾微电子有限公司;上海赛鹰微电子有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H03K17/22 文献下载
摘要：本发明公开了上电复位电路以及集成电路系统，包括依次连接的以下部件：环形振荡器模块、延迟模块、与逻辑电路模块、充电模块以及比较器模块；环形振荡器模块用于产生时钟脉冲信号；延迟模块用于将时钟脉冲信号延时预设时间后输出延时后脉冲信号；与逻辑电路模块用于基于时钟脉冲信号及延时后脉冲信号生成开关控制信号，其中开关控制信号对应的占空比小于预设定的占空比阈值；充电模块用于基于开关控制信号生成端电压；以及比较器模块用于在端电压大于预设定的电压基准时，输出上电复位信号和控制信号，其中控制信号能够使得环形振荡器模块停止产生时钟脉冲信号。本发明可以产生较宽的复位脉冲信号波形，满足系统对宽复位信号的需求。
复位电路以及集成电路系统

[发明专利]一种混合型静电放电保护电路、芯片以及集成电路-CN202010618324.7在审
发明人：蔡俊;黄继颇;杨维;党朝 -专利权人：安徽赛腾微电子有限公司;上海赛鹰微电子有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路设计技术领域，公开了一种混合型静电放电保护电路、芯片以及集成电路，所述混合型静电放电保护电路包括：分压电路，电性连接于待分压引脚；电压检测电路，电性连接于所述分压电路，用于检测所述分压电路上的静电电荷的电压，并在所述电压大于预设定的安全电压阈值时，输出电荷泄放指令；以及电荷泄放开关，电性连接于所述电压检测电路，用于响应于所述电荷泄放指令，被开启以泄放所述静电电荷。该混合型静电放电保护电路克服了现有技术中无法达到很好的静电防护效果。
一种混合静电放电保护电路芯片以及集成电路

[发明专利]迟滞电压可配置的比较器及迟滞电压的控制方法-CN202010559965.X在审
发明人：蔡俊;黄继颇;杨维;党朝 -专利权人：安徽赛腾微电子有限公司;上海赛鹰微电子有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种迟滞电压可配置的比较器及其迟滞电压的控制方法，包括：基准电压电路，用于给差分输入电路及共源共栅电路分别提供第一基准电压及第二基准电压；差分输入电路，包括：第一差分输入级及第二差分输入级；以及所述共源共栅电路，用于将所述第一差分输入级的输出电压和所述第二差分输入级的电压放大后发送至所述比较器本体。本发明可以实现迟滞电压的可配置，可对高低转换阀值进行精确的调节，满足系统设计时，对不同迟滞电压的需求。
迟滞电压配置比较控制方法

[发明专利]一种斜坡电压发生器以及斜坡电压的生成方法-CN202010561158.1在审
发明人：蔡俊;黄继颇;杨维;党朝 -专利权人：安徽赛腾微电子有限公司;上海赛鹰微电子有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路领域，公开一种斜坡电压发生器以及斜坡电压的生成方法，包括：主动电容的VA端连接于电压输入端，主动电容的VB端接地，电压输入端与主动电容形成有用于给主动电容充电至基准电压的第一充电电路；主动电容的VA端依次连接于用于输出电压的积分电容的一端以及运放AMP的正输入端，积分电容的另一端接地，主动电容的VB端依次连接于运放AMP的输出Vp端和运放AMP的负输入端，主动电容与运放AMP形成有用于给积分电容分配电荷的第二充电电路；控制信号产生电路用于使得第一充电电路和第二充电电路交替导通而给积分电容充电以使其电压达到输出用户需求的目标电压。本发明可以产生线性度高的斜坡电压。
一种斜坡电压发生器以及生成方法

[发明专利]一种宽频高电源抑制比的线性稳压器-CN201610725193.6有效
发明人： 黄继颇 -专利权人：安徽赛腾微电子有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： G05F1/571 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽频高电源抑制比的线性稳压器，其特征在于，该线性稳压器包括电源纹波预处理器和低压差线性稳压器LDO；所述电源纹波预处理器输出与低压差稳压器LDO输入电源相连；所述电源纹波预处理器用于产生宽频纹波抑制的直流电压VP1；所述低压差线性稳压器LDO用于产生直流输出电压VOUT；所述电源波纹预处理器包括电阻分压电路、低通滤波器和电压跟随器；所述电阻分压电路、低通滤波器、电压跟随器依次相连；通过使用稳定的纹波抑制电压VG1和耗尽型晶体管构成的电压缓冲级，减小了低压差线性稳压器LDO输入电源的纹波。本发明具有宽频高PSRR负载范围、对系统稳定性影响小、电流效率高等特点。
一种宽频电源抑制线性稳压器

[实用新型]一种IGBT器件-CN201721904369.0有效
发明人：秦旭光;黄继颇;陆均尧 -专利权人：安徽赛腾微电子有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种IGBT器件，半导体基板中心区设有元胞区，半导体基板的第一主面设有包围环绕元胞区的终端保护区，半导体基板的第二主面上方设有第二导电类型集电极区，第二导电类型集电极区的上方设有第一导电类型场终止层，元胞区内的元胞设有沟槽结构，元胞沟槽由第一主面经第二导电类型阱层延伸至半导体基板内的第一导电类型外延层内，元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅，栅极导电多晶硅与元胞沟槽内壁之间设有绝缘栅氧化层。本实用新型延长了沟道长度，降低了饱和电流，从而提高了Tsc，增加了短路电流安全工作区，此外，本实用新型沟槽下方采用超结结构，可以降低漂移区电阻率，从而降低Vce。同时在器件关断时，因超结结构可以加速载流子抽取速度，从而降低Eoff。
半导体基板本实用新型元胞沟槽栅极导电多晶硅第一导电类型超结结构导电类型集电极区元胞区元胞主面绝缘栅氧化层安全工作区导电类型阱加速载流子终端保护区饱和电流场终止层短路电流沟槽结构电阻率漂移区外延层中心区沟道关断内壁填充抽取环绕包围延伸

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