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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构-CN202010568972.6有效
发明人：詹益旺;童宇诚;黄永泰;李甫哲;刘安淇;郭明峰 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构。本发明的特征在于，在两导电组件(例如栅极或触点结构)之间形成多层的电介质层。其中下方的电介质层具有双层凹陷顶面，因此当上方电介质层形成后可以在两电介质层之间形成包含有空孔的电介质层。此结构有助于降低两导电组件之间的寄生电容，提高整体组件质量。
半导体结构

[外观设计]饮水器-CN202230355060.0有效
发明人：黄朝黎;黄永泰 -专利权人：黄朝黎
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： 30-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：饮水器。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于畜牧养殖业，用于动物喂水。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
饮水

[发明专利]存储器及其形成方法-CN202010209607.6有效
发明人：詹益旺;李甫哲;林刚毅;黄永泰;童宇诚;蔡振文 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器及其形成方法。将字线的端部延伸至周边区中，并将接触插塞形成在周边区中以和字线的端部电性连接，从而可以充分利用周边区的空间以在周边区中制备接触插塞，有利于增大各个接触插塞的尺寸，有效降低接触插塞的制备难度，相应的提高了接触插塞和字线之间的连接性能。并且，本发明还使形成在衬底上的介质层呈现为具有多层膜层的堆叠层，从而有利于降低所构成的介质堆叠层的应力。
存储器及其形成方法

[发明专利]半导体结构-CN202210062083.1在审
发明人：方晓培;黄永泰;游馨;郭东龙;夏勇 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构。通过设置倒L型接触结构，并使倒L型接触结构的突出部朝向邻近的浅沟渠隔离结构突出，以及至少在倒L型接触结构远离主动区域的一侧设置有至少两层电介质层，该倒L型的接触结构具有特殊的形状，此形状有助于稳固形成在倒L型的接触结构侧边的第一电介质层与第二电介质层，并且提升半导体结构的稳定性。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202010568127.9有效
发明人：方晓培;黄永泰;游馨;郭东龙;夏勇 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提出一种特殊形状的半导体结构。特征在于在两个倒L型的接触结构之间形成多层的电介质层，其中下方的电介质层与上方的电介质层材质不同，且下方电介质层优选由低电介质系数的材料构成。此材料的搭配下可以降低半导体结构的电阻电容延迟(RC delay)。此外，两个倒L型的接触结构具有特殊的形状，此形状有助于稳固形成在两个倒L型的接触结构之间的第一电介质层与第二电介质层，并且提升半导体结构的稳定性。
半导体结构

[发明专利]存储器及其形成方法-CN201910487210.0有效
发明人：詹益旺;黄永泰;童宇诚;朱贤士;黄丰铭;巫俊良 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器及其形成方法。存储器中的位线，其第一导电层的宽度尺寸小于其上方的第二导电层的宽度尺寸，从而可以使相邻位线之间的底部间隔尺寸大于其顶部间隔尺寸。如此，即可以在满足第二导电层的宽度尺寸以保证位线的传输性能的基础上，同时增加相邻位线之间的底部间隔尺寸，有利于进一步增加填充于相邻位线之间的存储节点接触部的底部尺寸。
存储器及其形成方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201910566458.6在审
发明人：詹益旺;童宇诚;黄永泰;林淯慈;夏勇 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件，包括：包括多个有源区的半导体衬底，第一凹槽形成在有源区中并延伸到两侧的浅沟槽隔离中；各位线包括由底部导电材料层和顶部导电材料层形成的叠加结构；在第一凹槽中形成有由底部导电材料层组成的第一接触插塞，第一接触插塞的两侧面由位线的两侧面向下延伸而成；在第一接触插塞的第一侧的第一凹槽中形成有第一子凹槽，在第一子凹槽的底部的有源区中分别形成有第三子凹槽，第三子凹槽的底部表面低于有源区的顶部表面。本发明公开了一种半导体元件的制造方法。本发明能防止位线接触插塞的导电材料层刻蚀不干净所产生的漏电，提高产品的良率。
半导体元件及其制造方法

[实用新型]半导体结构-CN202021151399.0有效
发明人：方晓培;黄永泰;游馨;郭东龙;夏勇 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型提出一种特殊形状的半导体结构。特征在于在两个倒L型的接触结构之间形成多层的电介质层，其中下方的电介质层与上方的电介质层材质不同，且下方电介质层优选由低电介质系数的材料构成。此材料的搭配下可以降低半导体结构的电阻电容延迟(RC delay)。此外，两个倒L型的接触结构具有特殊的形状，此形状有助于稳固形成在两个倒L型的接触结构之间的第一电介质层与第二电介质层，并且提升半导体结构的稳定性。
半导体结构

[实用新型]半导体结构-CN202021151461.6有效
发明人：詹益旺;童宇诚;黄永泰;李甫哲;刘安淇;郭明峰 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体结构。本实用新型的特征在于，在两导电组件(例如栅极或触点结构)之间形成多层的电介质层。其中下方的电介质层具有双层凹陷顶面，因此当上方电介质层形成后可以在两电介质层之间形成包含有空孔的电介质层。此结构有助于降低两导电组件之间的寄生电容，提高整体组件质量。
半导体结构

[发明专利]半导体器件及其电接触结构与制造方法-CN201910926990.4在审
发明人：童宇诚;詹益旺;黄永泰;方晓培;吴少一 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其电接触结构与制造方法，通过使得形成在所述核心元件区的边界处的至少两个接触插塞的顶部相联在一起，来在核心元件区的边界处形成顶部横截面积较大的组合接触结构，由此，为后续在核心元件区的边界处的接触结构上方形成电学结构的工艺提供足够的工艺余量，使得该边界处的所述电学结构的尺寸增大，降低接触阻抗，且通过该边界处尺寸增大的所述电学结构的，缓冲核心元件区和周边电路区之间的电路图案的密度差异，改善光学邻近效应，保证核心元件区边界以内的接触插塞上方的电学结构的一致性，并防止所述边界处的接触插塞上方的电学结构出现坍塌，提高器件性能。
半导体器件及其接触结构制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910936710.8在审
发明人：詹益旺;黄永泰;游馨;方晓培;童宇诚 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。通过在互连结构的第一接触垫的侧边设置第二接触垫，如此，则在制备互连结构时，通过图形化处理以形成第一接触垫并不是孤立的暴露在一较大的空间区域中，而是在第二接触垫的保护下，避免了第一接触垫被过度解析的问题，有利于提高所形成的第一接触垫的图形精度，进而有利于保障所构成的互连结构的电性传输性能。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]存储器-CN202020375881.6有效
发明人：詹益旺;李甫哲;林刚毅;黄永泰;童宇诚;蔡振文 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种存储器。将字线的端部延伸至周边区中，并将接触插塞形成在周边区中以和字线的端部电性连接，从而可以充分利用周边区的空间以在周边区中制备接触插塞，有利于增大各个接触插塞的尺寸，有效降低接触插塞的制备难度，相应的提高了接触插塞和字线之间的连接性能。并且，本实用新型还使形成在衬底上的介质层呈现为具有多层膜层的堆叠层，从而有利于降低所构成的介质堆叠层的应力。
存储器

[实用新型]半导体存储器件-CN201921650876.5有效
发明人：詹益旺;童宇诚;黄永泰;李武新;佘法爽 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体存储器件，其位线为多层结构，包含下层导电材料、中层导电材料、上层导电材料以及顶层硬掩模层；所述下层导电材料与中层导电材料、上层导电材料依次叠加形成多层导电结构，在半导体衬底中还具有位线接触凹槽，所述位线位于半导体衬底表面的绝缘夹层上，以及位线接触凹糟中，所述位于绝缘夹层上的位线与绝缘夹层的横向接触面积大，位于位线接触凹槽中的位线与位线接触凹槽的底部横向接触面积小，提高了位线之间的横向隔离效果，改善漏电。
半导体存储器件

[实用新型]半导体器件及其电接触结构-CN201921636158.2有效
发明人：童宇诚;詹益旺;黄永泰;方晓培;吴少一 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件及其电接触结构，通过使得形成在所述核心元件区的边界处的至少两个接触插塞的顶部相联在一起，来在核心元件区的边界处形成顶部横截面积较大的组合接触结构，由此，为后续在核心元件区的边界处的接触结构上方形成电学结构的工艺提供足够的工艺余量，使得该边界处的所述电学结构的尺寸增大，降低接触阻抗，且通过该边界处尺寸增大的所述电学结构的，缓冲核心元件区和周边电路区之间的电路图案的密度差异，改善光学邻近效应，保证核心元件区边界以内的接触插塞上方的电学结构的一致性，并防止所述边界处的接触插塞上方的电学结构出现坍塌，提高器件性能。
半导体器件及其接触结构

[实用新型]一种位线结构及半导体存储器-CN201921545176.X有效
发明人：詹益旺;黄永泰;朱贤士;黄丰铭;巫俊良;童宇诚 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种位线结构及半导体存储器，包括：基底；位于所述基底上的多条位线，其中，所述位线包括自所述基底起依次叠加设置的接触层和导线层，所述接触层在所述基底上的垂直投影位于所述导线层在所述基底上的垂直投影内，且所述接触层的在横截面的宽度小于所述导线层的在横截面的宽度。由上述内容可知，本实用新型提供的技术方案，在制作位线结构时将导线层作为掩膜，而后对接触层所在材料结构层进行刻蚀，最终制备得到横截面宽度小于导线层的接触层。由于将导线层作为掩膜而无需单独制备刻蚀接触层时相应掩膜层，进而缩减了位线结构的制程，亦即缩减了半导体存储器的制程，降低了制作成本。
一种结构半导体存储器

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