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[发明专利]一种VCDL延迟单元电路及其应用-CN202110473052.0有效
发明人：王梓旭;牛旭磊;林少蟠;黄果池 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H03K5/135 文献下载
摘要：本发明公开一种VCDL延迟单元电路及其应用，延迟单元电路包括第一反相器和第二反相器，第一反相器与第二反相器采用相同的结构；第一反相器在同相压控信号Vp和反相压控信号Vn的控制下对第一级反相器充/放电电流的控制以将输入信号IN进行延迟倒相；第二反相器在同相压控信号en和反相压控信号enb的控制下将第一反相器的延迟倒相信号进行再次进行延迟倒相得到延迟输出OUT，同相压控信号en和反相压控信号enb作为开关控制信号对延迟单元电路是否对外输出进行控制。本发明提出在传统反相延迟单元的第二级加上使能晶体管，通过en/enb可对延迟单元的输出进行控制，从而达到选通特定延迟支路的目的，以实现VCDL级数可变。
一种 vcdl 延迟单元电路及其应用

[发明专利]一种不可重复触发的CMOS集成单稳态电路-CN201610910167.0有效
发明人： 黄果池;林灿昌 -专利权人：加驰（厦门）微电子股份有限公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H03K3/033 文献下载
摘要：本发明公开一种不可重复触发的CMOS集成单稳态电路，包括有输入控制电路U1、电阻电容串联网络、锁存器、时序控制网络、参考电流源IREF、稳压二极管D1以及输出反相器U6；该电阻电容串联网络包括有电阻R1和电容C1；所述锁存器的输出端接输出反相器U6的输入端，其中，锁存器包括或非门U4、电容C2、反相器U5和level‑shift电路U3；本发明采用稳定电流源对电容充电，以片上形式实现稳定的暂稳态时间宽度，避免使用大电阻，有效减小芯片面积，同时显著减小PVT对充放电的影响。并且，MOS管M1、MOS管M2可对节点1、2进行快速充放电，稳定这两点的电压值以确保在下次触发时电容两端的跳变电压值相等，从而稳定充电时间常数。
一种不可重复触发 cmos 集成稳态电路

[发明专利]一种抑制频率可调的CMOS有源多相滤波器-CN202211623422.5在审
发明人：林少蟠;陈思凯;苏柏铭;黄果池 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H03H11/02 文献下载
摘要：本发明公开一种抑制频率可调的CMOS有源多相滤波器，其包括四路RCRC滤波电路，每路RC滤波电路包括两个以上依次串联的RC滤波单元，同一路RC滤波电路中前一级RC滤波单元的输出端C接入后一级RC滤波单元的输入端A，每一路RC滤波电路的每个RC滤波单元的输入端A均与并行顺序的上一路RC滤波电路对应级的RC滤波单元的输入端B连接。四路的RC滤波电路的输入端A分别对应连接I路、Q路信号的正输入、I路、Q路信号的负输入；第一、第二路RC滤波电路的输出端C连接信号正极输出端；第三、第四路RC滤波电路的输出端C连接信号负极输出端。本发明在RC滤波网络中加入反相放大器，可以对通过滤波网络损失的信号幅度进行补偿。
一种抑制频率可调 cmos 有源多相滤波器

[发明专利]一种高精度雷达体征检测仪-CN201910571025.X有效
发明人： 黄果池;孙屹东 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： A61B5/0205 文献下载
摘要：本发明涉及一种高精度雷达体征检测仪。包括体征检测仪和信息处理终端；所述体征检测仪包括雷达基带处理模块、至少一套雷达发射链路、至少两套雷达接收链路，多套收发链路同步且刚体连接，雷达基带处理模块预处理雷达接收链路接收的回波信号，并传输给信息处理终端进一步处理后，输出心跳呼吸信号。本发明设置多套雷达收发系统，并通过对多套系统上传的复信号进行特殊处理，消除人体躯干的微动干扰，从而获得更加精确的生命体征。
一种高精度雷达体征检测

[发明专利]一种基于RDL工艺的半导体封装制作的湿度传感器-CN202110534105.5在审
发明人：牛旭磊;王梓旭;林少蟠;黄果池 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种基于RDL工艺的半导体封装制作的湿度传感器，其包括RDL金属层、感湿材料层、信号处理芯片和塑封材料层；RDL金属层设在感湿材料层的一侧，信号处理芯片设在感湿材料层的另一侧，塑封材料层设在感湿材料层的另一侧覆盖在信号处理芯片外表面，塑封材料层和感湿材料层形成容纳腔将信号处理芯片与空气隔绝，RDL金属层和信号处理芯片通过金属过孔连接，感湿材料层部分裸露并直接接触外界空气，以吸收空气中的水分引起其本身的介电常数的变化，RDL金属层和感湿材料层形成感应湿度变化的感湿电容；信号处理芯片检测感湿电容的变化量。本发明实现了湿度传感器高度集成化和微型化，不需考虑由工艺带来的测量电路和感湿单元的接口问题，提高稳定性，节约生产成本，可大规模批量制造。
一种基于 rdl 工艺半导体封装制作湿度传感器

[发明专利]一种基于有源电感的宽带模拟均衡器集成电路-CN201810210689.9有效
发明人： 黄果池 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H03G3/30 文献下载
摘要：本发明公开一种基于有源电感的宽带模拟均衡器集成电路，其包括主放大器、辅放大器和低通滤波放大器，主放大器为采用有源电感做负载的差分放大器，有源电感提供传输方程中的零点，主放大器作为主放大通路用于对高频信号的增益进行补偿；辅放大器和低通滤波放大器构成前馈通路，该前馈通路用于抑制高频信号和放大低频信号。本发明的均衡器采用有源电感做负载用以增强信号的高频增益；采用前馈低通滤波放大器通路来抑制信号的低频增益，因此可有效提高均衡器的工作带宽。
一种基于有源电感宽带模拟均衡器集成电路

[发明专利]一种探测CMOS工艺偏差的传感器集成电路-CN202010636050.4在审
发明人： 黄果池 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开一种探测CMOS工艺偏差的传感器集成电路，包括工艺偏差检测电路、参考电压电路、迟滞比较器和编码电路，工艺偏差检测电路用于产生不随温度变化且只随工艺偏差变化的电压Vsen，电压Vsen反应CMOS工艺的变化情况；参考电压电路用于产生不随工艺和温度变化的参考电压，参考电压是由i个不同电压组成的电压组；迟滞比较器负责将工艺偏差检测电压Vsen与参考电压组的i个电压依次比较，得出一组数字信号，编码电路用于对迟滞比较电路的量化结果进行编码处理以供后级电路使用。本发明可精确判断出芯片的工艺偏差程度。
一种探测 cmos 工艺偏差传感器集成电路

[发明专利]基于片上变压器的数控无源微波/毫米波带通滤波器-CN202010329123.5在审
发明人： 黄果池 -专利权人： 黄果池
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本发明为一种基于片上变压器的数控无源微波/毫米波带通滤波器，它包括变压器，为基于半导体工艺的片上变压器，原边数控电容阵列，与片上变压器的原边节点连接构成原边LC振荡器，副边数控电容阵列，与片上变压器的副边节点连接构成副边LC振荡器；原边LC振荡器以及副边LC振荡器的振荡频率随着原边数控电容阵列或副边数控电容阵列的等效电容值的变化而变化。它采用双LC振荡器结构，通过编程改变两个LC振荡器的振荡频率，从而改变滤波器的通带频率，具有滤波性能好，集成度高等特点，适用于半导体集成电路设计。
基于变压器数控无源微波毫米波带通滤波器

[发明专利]基于片上变压器的数控有源微波/毫米波带通滤波器-CN202010329150.2在审
发明人： 黄果池 -专利权人： 黄果池
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：本发明为一种基于片上变压器的数控有源微波/毫米波带通滤波器，它包括变压器，为基于半导体工艺的片上变压器；有源器件，主要由晶体管组成的放大器电路，该放大器的输出电容与片上变压器原边节点连接构成原边LC振荡器；数控电容阵列，与片上变压器的副边节点连接构成副边LC振荡器；原边LC振荡器以及副边LC振荡器的振荡频率随着数控电容阵列的等效电容值的变化而变化。本发明有益效果为：1、本发明的带通滤波器由两个不同振荡频率的LC振荡器构成，因此具有双极点特性，其对带外信号的抑制能力强于传统的单个LC振荡器构成的滤波器。2、本发明所提的构成器件可由现代半导体工艺实现，具有集成度高的特点，适用于半导体集成电路设计。
基于变压器数控有源微波毫米波带通滤波器

[发明专利]一种基于标准CMOS工艺的湿度传感器-CN201910571026.4在审
发明人：姚昊;戴矣轩;傅昱;黄果池 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于标准CMOS工艺的湿度传感器。包括基本金属层、设于所述基本金属层上方的n层金属层、设于所述n层金属层上方的RDL层，所述n层金属层之间通过金属通孔连接，所述n层金属层中的顶层金属层通过金属通孔与所述RDL层相连，其中n为大于1的整数；所述RDL层上方还设有一POLYIMIDE层，以作为感应湿度绝缘介质；还包括设于基本金属层下方的信号处理电路。本发明所提的湿度传感器集成度高，结构简单，成本低，抗干扰能力强。
一种基于标准 cmos 工艺湿度传感器

[发明专利]基于片上变压器的边缘组合式数字倍频器-CN201610268275.2有效
发明人： 黄果池 -专利权人：加驰（厦门）微电子股份有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：基于片上变压器的边缘组合式数字倍频器，涉及数字倍频器。设有第一、第二边缘组合器和基于片上变压器的双极点负载网络；第一和第二边缘组合器的输入信号均由2n个相位差为360°/2n的信号组成，第一边缘组合器输出端连接片上变压器的初级线圈一端和输入电容的上极板，第二边缘组合器输出端连接片上变压器的初级线圈另一端和输入电容下极板，片上变压器的初级线圈中间节点接第一和第二边缘组合器的供电电压或整个基于片上变压器的边缘组合式数字倍频器的供电电压；片上变压器的次级线圈一端连接输出电容的上极板作为输出信号的正极，片上变压器的次级线圈另一端连接输出电容的下极板作为输出信号的负极；片上变压器的次级线圈中间节点接地。
基于变压器边缘组合式数字倍频器

[发明专利]带有offset和动态直流恢复的跨阻放大器-CN201510573639.3有效
发明人：李景虎;黄果池;范樟 -专利权人：福建一丁芯半导体股份有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：带有offset和动态直流恢复的跨阻放大器，属于微电子领域，本发明为解决低输入电流幅度的输入噪声，和高输入电流幅度引起的非线性问题。本发明包括TIA放大器A1、TIA放大器A3、误差放大器A2、滤波电容C1、反馈电阻RF、RFR、NMOS晶体管M1、M2、电流源IN和offset电压源V1；VDD连IN正端，IN负端同时连M1漏极、A1输入端和RF一端，M1源极接地；M1栅极同时连接M2栅极、A2输出端和C1一端，C1另一端和M2源极接地；M2漏极同时连接A3输入端和RFR一端，A3输出端同时连接RFR另一端和V1正端，V1负端连接A2同相输入端；A2反相输入端同时连接A1输出端和RF另一端。
带有 offset 动态直流恢复放大器

[实用新型]一种不可重复触发的CMOS集成单稳态电路-CN201621136814.9有效
发明人： 黄果池;林灿昌 -专利权人：加驰（厦门）微电子股份有限公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H03K3/033 文献下载
摘要：本实用新型公开一种不可重复触发的CMOS集成单稳态电路，包括有输入控制电路U1、电阻电容串联网络、锁存器、时序控制网络、参考电流源IREF、稳压二极管D1以及输出反相器U6；该电阻电容串联网络包括有电阻R1和电容C1；所述锁存器的输出端接输出反相器U6的输入端，其中，锁存器包括或非门U4、电容C2、反相器U5和level‑shift电路U3；本实用新型采用稳定电流源对电容充电，以片上形式实现稳定的暂稳态时间宽度，避免使用大电阻，有效减小芯片面积，同时显著减小PVT对充放电的影响。并且，MOS管M1、MOS管M2可对节点1、2进行快速充放电，稳定这两点的电压值以确保在下次触发时电容两端的跳变电压值相等，从而稳定充电时间常数。
一种不可重复触发 cmos 集成稳态电路

[实用新型]一种基于片上变压器的边缘组合式数字倍频器-CN201620364588.3有效
发明人： 黄果池 -专利权人：加驰（厦门）微电子技术有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：一种基于片上变压器的边缘组合式数字倍频器，涉及数字倍频器。设有第一、第二边缘组合器和基于片上变压器的双极点负载网络；第一、二边缘组合器的输入信号均由2n个相位差为360°/2n的信号组成，第一边缘组合器输出端连接片上变压器的初级线圈一端和输入电容上极板，第二边缘组合器输出端连接片上变压器的初级线圈另一端和输入电容下极板，片上变压器的初级线圈中间节点接第一和第二边缘组合器的供电电压或整个基于片上变压器的边缘组合式数字倍频器的供电电压；片上变压器的次级线圈一端连接输出电容的上极板作为输出信号的正极，片上变压器的次级线圈另一端连接输出电容的下极板作为输出信号的负极；片上变压器的次级线圈中间节点接地。
一种基于变压器边缘组合式数字倍频器

[实用新型]带有offset和动态直流恢复的跨阻放大器-CN201520699100.8有效
发明人：李景虎;黄果池;范樟 -专利权人：福建一丁芯半导体股份有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：带有offset和动态直流恢复的跨阻放大器，属于微电子领域，本实用新型为解决低输入电流幅度的输入噪声，和高输入电流幅度引起的非线性问题。本实用新型包括TIA放大器A1、TIA放大器A3、误差放大器A2、滤波电容C1、反馈电阻R_F、R_FR、NMOS晶体管M1、M2、电流源IN和offset电压源V₁；VDD连IN正端，IN负端同时连M1漏极、A1输入端和R_F一端，M1源极接地；M1栅极同时连接M2栅极、A2输出端和C1一端，C1另一端和M2源极接地；M2漏极同时连接A3输入端和R_FR一端，A3输出端同时连接R_FR另一端和V₁正端，V₁负端连接A2同相输入端；A2反相输入端同时连接A1输出端和R_F另一端。
带有 offset 动态直流恢复放大器

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