“黄易寒”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于缓解、治疗酒精中毒、酒后不适的GABAA-CN202111297984.0有效
发明人：李骏;黄易寒;汤小苏 -专利权人：杭州诺莘科技有限责任公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： A61K45/06 文献下载
摘要：本发明公开了GABAA受体结合物在制备用于缓解、治疗酒精中毒、酒后不适的保健品、药物中的应用，GABAA受体结合物为除DHM外的天然物质，且满足以下要求：在利用分子对接软件进行分子对接和分子动力学计算时，GABAA受体结合物与α1βδ、α4βδ和α6βδ亚基表达的GABAA受体的苯二氮卓结合域结合后结合能数值为负值且其绝对值不小于DHM与同样配体结合能的绝对值，并大于乙醇与同样配体结合能的绝对值。本发明还公开了一种用于缓解、治疗酒精中毒、酒后不适的组合物，包括所述GABAA受体结合物，以及护肝天然物质、保护胃肠道天然物质、在免疫系统中抑制有害酒精代谢产物的天然物质中的至少一种。
用于缓解治疗酒精中毒酒后不适 gaba base sub

[发明专利]含GABA和CB1受体激动剂的营养组合物及其制备和应用-CN202110514225.9有效
发明人：李骏;黄易寒;汤小苏 -专利权人：杭州诺莘科技有限责任公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： A61K45/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种含GABA和CB1受体激动剂的营养组合物及其制备方法。该营养组合物包括质量比为100:3～40的GABA和CB1受体激动剂，且所述GABA和CB1受体激动剂的质量之和不低于所述营养组合物总质量的47％。制备方法包括：将各组分按比例混匀，然后或填充或压片或灌装。本发明还提供了所述营养组合物在制备用于缓解焦虑、缓解入睡困难、改善睡眠质量和/或治疗由失眠、精神压力引起的疲倦、忧虑、记忆力减退、反应迟钝、运动性降低的药物、保健品中的应用和在口服制剂中的应用。
gaba cb1 受体激动剂营养组合及其制备应用

[发明专利]肉桂酸、硫辛酸共接枝壳聚糖修饰的NMN脂质体及其制备和应用-CN202110501709.X有效
发明人：李骏;黄易寒;崔晔;汤小苏 -专利权人：杭州诺莘科技有限责任公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： A61K9/127 文献下载
摘要：本发明公开了一种肉桂酸、硫辛酸共接枝壳聚糖修饰的NMN脂质体及其制备方法和在制作保健食品中的应用。本发明将NMN包覆于脂质体，并用肉桂酸、硫辛酸共接枝壳聚糖对脂质体表面进行修饰。接枝硫辛酸使得NMN脂质体具有缓释效果。接枝肉桂酸、硫辛酸提高了细胞对NMN的吸收量。修饰后的脂质体具有尺寸稳定性。本发明的脂质体，有助于NMN在人体保健领域的推广应用。
肉桂辛酸接枝聚糖修饰 nmn 脂质体及其制备应用

[发明专利]预测/验证激活剂对Sirtuin与烟酰胺腺嘌呤结合效果的影响-CN202110006987.8有效
发明人：李骏;黄易寒;汤小苏 -专利权人：杭州诺莘科技有限责任公司
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G16B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种预测/验证多酚类化合物激活剂对Sirtuin与烟酰胺腺嘌呤(NAD+)结合效果影响的方法，利用一系列对复合体系的计算处理和副本交换分子动力学模拟，Sirtuin/NAD+复合物结构和Sirtuin/激活剂/NAD+复合物结构可实现全局优化并得到稳态构型。在此基础上对两种复合物体系进行结构稳定性比较、残基稳定性比较和NAD+与Sirtuin的结合能比较，预测/验证激活剂对NAD+与Sirtuin结合效果的影响。相比实验方法，本方法时间和人力成本更低，可帮助实验进行预筛选。相比传统计算方法，本方法提供了更准确的蛋白质单/双分子稳态构型，从而使稳定性和结合能的判断更准确，整体提高了激活剂预测/验证的正确率，提升效率。
预测验证激活剂 sirtuin 烟酰胺腺嘌呤结合效果影响

[发明专利]半导体结构-CN202010875082.X在审
发明人：林鑫成;周政伟;谢廷恩;黄易寒;林光明;林永丰;周政道;李棋富;陈佳麟;张舒雯 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构，包含：基板、通道层、阻挡层、化合物半导体层、栅极电极、以及介电层堆叠。通道层设置于基板上。阻挡层设置于通道层上。化合物半导体层设置于阻挡层上。栅极电极设置于化合物半导体层上。介电层堆叠设置于栅极电极上。介电层堆叠包含具有不同刻蚀速率的层。本申请能够提高半导体结构的整体可靠性。
半导体结构